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电化学ECV +掺杂浓度PN结深测试+CVP21

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详细介绍

德国WEP公司的ECV(型号为CVP21)在太阳能光伏行业的应用非常普及,市场占有率甚至达95%以上,是光伏行业电池技术研究和发展的必要工具之一,几乎知名的光伏企业都有使用。

WEP公司的ECV设备:CVP21(见图)
1. ECV又名扩散浓度测试仪,结深测试仪等,即电化学CV法测扩散后的载流子浓度分布(见图);
2. 相比其他方法如SRP,SIMS等,ECV具有测量使用方便,价格低的优点;

WEP公司的ECV具有独特技术可应用于测试电池片的绒面样片,这也是其被广泛使用的原因之一; 4. CVP21所能测量的深度范围是nm---10um;
5. 测量的载流子浓度范围在10e12cm-3 < N < 10e21cm-3之内都无需校准;
6. 测量扩散样片时,样片是保持“Dry in”和“Dry out”,并无需做特别处理;
7. 其所用到的化学试剂本地就能买到,价格低且用量很少买一次可以用好几年;
8. 从CVP21所测得的数据能带给研发或工艺人员三方面的信息:一是表面浓度,二是浓度变化曲线,三是结深(见图);
9. 表面浓度对于选择和使用适合的浆料很有帮助,如粘合性,接触电阻等的匹配问题;
10. 浓度分布曲线对掌握和改进扩散工艺提供依据;
11. 结深的信息对电池工艺的总体把握来说是必须的,也是扩散工艺时常需要抽测的项目之一;
12. 参考:测试出的几种扩散浓度分布曲线(见图);
13. 广泛的客户群:Q-CELL, NREL, ISFH, SHELL,ECN,RWE,HMI,SISE尚德,天合,晶澳,英利,交大泰阳,BYD,海润,晶科,吉阳,南玻,格林保尔…


仪器简介:电化学ECV,掺杂浓度检测(C-V Profi领)PN结深测试


电化学ECV可以用于太阳能电池、LED等产业,是化合物半导体材料研究或开发的主要工具之一。电化学ECV主要用于半导体材料的研究及开发,其原理是使用电化学电容-电压法来测量半导体材料的掺杂浓度分布。电化学ECV(CV-Profiler, C-V Profiler)也是分析或发展半导体光-电化学湿法蚀刻(PEC Etching)很好的选择。


本设备适用于在半导体生产中的外延过程的性能评估和过程控制,可以测试多种不同的材料,例如:硅, 锗, III-V 族和 III-N族材料等。CVP 21的模块化系统结构让测量半导体材料(结构,层)中的掺杂浓度分布变得GX、准确。选用合适的电解液与材料接触、腐蚀,从而得到材料的掺杂浓度分布。电容值电压扫描和腐蚀过程由软件全自动控制 。


CVP21的系统特点:
*坚固可靠的模块化系统结构 .光学,电子和化学部分相对独立.
*精确的测量电路模块
*QL的控制软件,系统操作,使用简便
*完善的售后服务体系

提供免费样品测试并提供测试报告。
保修期:2年,终身维修。
对用户承诺终身免费样品测试每月1次。


技术参数:

我们在电化学方分布测试产品方面有超过30年的经验和世界上zuixianjin的电路系统。

全自动,特别适用于新材料,如氮化镓,碳化硅材料等。 

有效检测: 外延材料、扩散 、离子注入
适用材料: CVP21应用范围宽,可以用于绝大多数的半导体材料。
IV族化合物半导体如:硅(Si)、锗(Ge)、碳化硅(SiC)等;
III-V族化合物半导体如:砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)、磷化镓(GaP)等;
三元III-V族化合物半导体如:铝镓砷(AlGaAs)、镓铟磷(GaInP)、铝铟砷(AlInAs)等;
四元III-V族化合物半导体如:铝镓铟磷(AlGaInP)等;
氮化物如:氮化镓(GaN)、铝镓氮(AlGaN)、铟镓氮(InGaN)、铝铟氮(AlInN)等;
II-VI族化合物半导体如:氧化锌(ZnO)、碲化镉(CdTe)、汞镉碲(HgCdTe)等;
其他不常见半导体材料(可以联系我们进行样品测量)。
 
载流子浓度测量范围:
*最大 1021/cm³; 最小 1011/cm
深度解析度: 最大无上限;最小可至1 nm (或更低)
模块化系统结构: 拓扑型结构,实时监控腐蚀过程,适于微小样品及大尺寸的晶圆,全自动化系统。


主要特点:

CVP21电化学ECV是半导体载流子浓度分布wan美的解决方案:
1, CVP21应用范围宽,可以用于绝大多数的半导体材料。
* IV族化合物半导体如:硅(Si)、锗(Ge)、碳化硅(SiC)等;
* III-V族化合物半导体如:砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)、磷化镓(GaP)等;
* 三元III-V族化合物半导体如:铝镓砷(AlGaAs)、镓铟磷(GaInP)、铝铟砷(AlInAs)等;
* 四元III-V族化合物半导体如:铝镓铟磷(AlGaInP)等;
* 氮化物如:氮化镓(GaN)、铝镓氮(AlGaN)、铟镓氮(InGaN)、铝铟氮(AlInN)等;
* II-VI族化合物半导体如:氧化锌(ZnO)、碲化镉(CdTe)、汞镉碲(HgCdTe)等;
* 其他不常见半导体材料(可以联系我们进行样品测量)。
2, CVP21可用于不同形态的样品:多层结构的薄膜材料、基底没有限制(基底导电或绝缘均可)、标准样品尺寸从4*2mm ~ 8英寸晶圆(更小尺寸样品请预先咨询我们)。
3, CVP21拥有很好的分辨率范围。
* 载流子浓度分辨率范围从< 1012 cm-3 ~ > 1021 cm-3
* 深度分辨率范围从1nm ~ 100um (依样品类型、样品质量决定)
4, CVP21是一套完整的电化学ECV测量系统。
* 系统可靠性高(仪器的电子、机械、光学、液体传动几个主要部分均经特殊设计)
* 免校准的系统(完全自校准的电子系统,电缆电容均无须用户再次校准)
* 易于使用(全用户管理软件优化,在实验室环境或生产环境均易于使用)
* 照相机镜头控制(过程在线由彩色照相机镜头控制;每次测量后,镜头数据均可取出。)
* 实验菜单(测量菜单预定义,优先权用户可以很容易修改或改进测量菜单)
* Dry-In/Dry-Out: Auto-Load/Unload/Reload (电化学样品池自动装载/卸载/再装载,优先权用户易于修改,进行样品dry-in/dry-out处理。)


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