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功率器件分析仪

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详细介绍

普赛斯功率器件分析仪特点和优势:

单台Z大3000V输出;

单台Z大1000A输出,可并联后Z大4000A;

10us的超快电流上升沿;

同步测量;

国标全指标的自动化测试;

宣传图1.jpg

产品参数                                          

项目参数
集电极-发射极Z大电压.3000V
Z大电流1000A
精度0.10%
漏电流测试量程1uA~100mA
栅极-发射极Z大电压.300V
Z大电流1A(直流)/10A(脉冲)
精度0.10%
Z小电压分辨率30uV
Z小电流分辨率10pA


可测项目

集电极-发射极电压Vces,集电极-发射极击穿电压V(br)ces

集电极-发射极饱和电压Vce     sat

集电极电流Ic,集电极截止电流Ices

栅极漏电流Iges,栅极-发射极阈值电压Vge(th)

栅极电阻Rg

电容测量

I-V特性曲线扫描,C-V特性曲线扫描等

普赛斯功率器件分析仪集多种测量和分析功能一体,可J准测量功率器件(MOSFET、BJT、IGBT等)的静态参数,电压可高达3KV,电流可高达4KA。该系统可测量不同封装类型的功率器件的静态参数,具有高电压和大电流特性,uΩ级电阻,pA级电流J准测量等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容,如输入电容,输出电容、反向传输电容等。功率器件静态参数测试系统采用模块化设计,方便用户添加或升级测量模块,适应测量功率器件不断变化的需求。





产品优势
普赛斯功率器件分析仪集多种测量和分析功能一体,可精准测量功率器件(MOSFET、BJT、IGBT等)的静态参数,电压可高达3KV,电流可高达4KA。该系统可测量不同封装类型的功率器件的静态参数,具有高电压和大电流特性,uΩ级电阻,pA级电流精准测量等特点
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