Nicolet 硅分析系统

ThermoScientificNicolet硅分析系统性能，拥有成本低，可靠性高。
Nicolet分析系统可以快速测量间隙碳和间隙氧以及外延薄膜厚度，适用于半导体晶片生产和太阳硅应用。经光伏硅转换太阳能的需求持续显著增长，Nicolet硅分析系统可提供快速、可靠的多功能分析。

Nicolet硅分析系统的处理选项包括：1）自动分析300mm（最大）的晶片；2）低成本手动测量单个点。本系统可提供行业趋势变化所需的灵活性，可用于方形晶片和金属片的分析。

具有硅分析选项，可以满足各种预算需求。所有解决方案均包括软件工具，其中包括：

碳、氧和外延薄膜（300nm至7500nm）分析

定量算法广泛，扩展了功能，其中包括：线性回归法、经典最小二乘法(CLS)和偏最小二乘法(PLS)

支持ASTM和JEIDA标准，可以测量替代碳和间隙氧

此高级自动分析系统以Nicoletx700光谱仪为基础，可满足要求苛刻的操作环境。此应用软件具有完全自动化的扫描成像平台，所含软件可以实现：

灵活的测量选择：从单点绘制到整个晶片绘制

处理300mm（最大）的晶片

透射与反射能力测量：可以接受的材料和薄膜非常广泛

简便的用户操作

此手动分析系统基于Nicoletx700或NicoletiS10FT-IR光谱仪，适用于要求不太苛刻的QA/QC应用。此系统在样品室中使用手动旋转平台，包括：

单点分析手动定位样品

在样品室中处理晶片

具有透射测量能力，可以接受众多材料和薄膜

推荐应用:

测量硅中碳和氧的含量，以便对光伏器件进行过程控制

介电薄膜中掺杂物的浓度级别（BPSG、PSG、FSG等）

氮化硅薄膜中的氢含量

外延薄膜厚度

MEMS器件厚度

硅片中的代位碳和间隙氧含量