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SiC/GaN器件动态参数测试系统
- 品牌:西安易恩电气
- 型号: EN-MOS
- 产地:西安
- 供应商报价: ¥ 188 (市场参考价:¥ 199)
- 西安易恩电气科技有限公司 更新时间:2023-03-20 10:07:56
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企业性质生产商
入驻年限第7年
营业执照已审核
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- 详细介绍
SiC/GaN器件动态参数测试系统
规格环境
A. 环境温度: 25±10℃,
B. 相对湿度: 湿度不大于65%
C. 大气压力: 86Kpa~ 106Kpa
D. 工作电压:三相五线制AC 380V±10%,或者单相三线制AC 220V±10%
E. 电网频率: 50Hz±1Hz
F. 压缩空气: 0.4~0.6Mpa
G. 防护:无较大灰尘,腐蚀或爆炸性气体,导电粉尘等空气污染的损害;功能简介
此设备具有以下测试单元。注:开关时间,二极管反向恢复,栅极电荷需要可在分装后测试,静态参数及雪崩测试需要在加电容前测试。
开关时间测试单元
开启延迟时间(Td(on)) 上升时间(Tr)
关断延迟时间(Td(off)) 下降时间(Tf)
开启损耗Eon 关断损耗Eoff
二极管反向恢复测试单元
反向恢复时间(Trr) 反向恢复电荷(Qrr)
栅极电荷测试单元
阈值电荷(Qg(th)) 栅电荷(Qg)
静态全参数测试单元
RDS(ON) VGS(th) TDSS IGSS VSD R25
雪崩测试单元
雪崩电流(I),雪崩电压(V),雪崩能量(E)
测量的MOSFET动态参数
参数名称
符号
参数名称
符号
开通延迟时间
td(on)
关断延迟时间
td(off)
上升时间
tr
下降时间
tf
开通时间
ton
关断时间
toff
开通损耗
Eon
关断损耗
Eoff
栅极电荷
Qg
拖尾时间
tz
测量的DIODE动态参数
参数名称
符号
参数名称
符号
反向恢复时间
trr
反向恢复电荷
Qrr
- 产品优势
- 此设备具有以下测试单元。注:开关时间,二极管反向恢复,栅极电荷需要可在分装后测试,静态参数及雪崩测试需要在加电容前测试。
开关时间测试单元
开启延迟时间(Td(on)) 上升时间(Tr)
关断延迟时间(Td(off)) 下降时间(Tf)
开启损耗Eon 关断损耗Eoff
二极管反向恢复测试单元
反向恢复时间(Trr) 反向恢复电荷(Qrr)
栅极电荷测试单元
阈值电荷(Qg(th)) 栅电荷(Qg)
静态全参数测试单元
RDS(ON) VGS(th) TDSS IGSS VSD R25
雪崩测试单元
雪崩电流(I),雪崩电压(V),雪崩能量(E)