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氮化镓(GaN)晶体基片
- 品牌:合肥科晶
- 型号: G-a-N
- 产地:安徽
- 供应商报价: ¥ 100
- 合肥科晶材料技术有限公司
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企业性质
入驻年限第9年
营业执照
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- 详细介绍
产品名称:
氮化镓(GaN)晶体基片
产品简介:
GaN易与AlN、InN等构成混晶,能制成各种异质结构,已经得到了低温下迁移率达到105cm2/Vs的2-DEG(因为2-DEG面密度较高,有效地屏蔽了光学声子散射、电离杂质散射和压电散射等因素).科晶公司将为您提供高品质低价位的氮化镓晶体和基片。
技术参数:
制作方法:HVPE(氢化物气象外延法)传导类型:N型;半绝缘型电阻率:R<0.5Ω.cm;R>106Ω.cm表面粗糙度:<0.5nm位错密度:<5x106Ω.cm可用表面积:>90%TTV:≤15umBow:≤20um 产品规格:
晶体方向:<0001>;常规尺寸:dia50.8mm±1mmx0.35mm±25um;
注:可按照客户要求加工尺寸及方向。
标准包装:
1000级超净室100级超净袋或单片盒装
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