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非极性GaN晶体基片

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详细介绍

产品名称:

非极性氮化镓(GaN)晶体基片

产品简介:


技术参数:

晶体定位面:Aplane<11-20>+/-1;Mplane<1-100>+/-1°.传导类型:N型;半绝缘型电阻率:R<0.5Ω.cm;R>106Ω.cm表面粗糙度:<0.5nm位错密度:<5x106Ω.cm可用表面积:>90%TTV:≤15um;

产品规格:

常规尺寸:10x5x0.5mm

厚度公差:+/-0.05mm;

注:可按照客户要求加工尺寸及方向。

标准包装:

1000级超净室100级超净袋

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