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砷化铟(InAs)晶体基片

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详细介绍

产品名称:

砷化铟(InAs)晶体

产品简介


技术参数:

晶体结构:立方 a=5.4505?生长方法:CZ导电类型:N型掺杂类型:不掺杂载流子浓度:2~5E16/cm3迁移率:>18500cm2/V.S

常规尺寸:

常规晶向:<100>、<111>;

常规尺寸:10x10x0.5mm;

dia2″x0.5mm;抛光情况:单抛或双抛;

表面粗糙度Ra:<15A

注:可按客户需求定制相应的方向和尺寸。

备注:

1000级超净室100级超净袋

OtherInAs

InSb

InP

GaAs

GaSb

基片包装盒系列

薄膜制备设备

RTP快速退火炉


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