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4H-SiC上镀4H-SiC薄膜

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详细介绍

产品名称:

4H-SiC上镀4H-SiC薄膜P型(4H-SiC?Epitaxial?Film?on?4H-SiC,?P?type)

常规尺寸:

dia4"±0.5mmx0.525±0.025mm

技术参数:

4H-SiC薄膜晶向:<0001>

4H-SiC薄膜厚度(filmtargetthickness):4.3um±10%

4H-SiC薄膜厚度(filmtargetdopinglayer):1.4E17/cc+0%/-30%

载流子浓度:(3~10)E16/cc

导电类型:P型

抛光情况:双面抛光

4H-SiC基片晶向:<0001>miscut8.0+/-0.5degree,parallel(10-10);OFlength:15.9+/-1.7mm

4H-SiC基片尺寸:dia2inchx330±25unIForientation:90degreecw.fromOF+/-5degreeIFlength:8.0+/-1.7mm

4H-SiC基片电阻率:<0.03ohm-cm

4H-SiC抛光:Si面CMP单抛边缘排除:1mm

标准包装:

1000级超净室100级超净袋真空包装或单片盒装

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