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4H-SiC上镀4H-SiC薄膜
- 品牌:合肥科晶
- 型号: 4H-SiC上镀4H-SiC薄膜 P 型
- 产地:美国
- 供应商报价: 面议
- 合肥科晶材料技术有限公司
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企业性质
入驻年限第9年
营业执照
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- 详细介绍
产品名称:
4H-SiC上镀4H-SiC薄膜P型(4H-SiC?Epitaxial?Film?on?4H-SiC,?P?type)
常规尺寸:
dia4"±0.5mmx0.525±0.025mm
技术参数:
4H-SiC薄膜晶向:<0001>
4H-SiC薄膜厚度(filmtargetthickness):4.3um±10%
4H-SiC薄膜厚度(filmtargetdopinglayer):1.4E17/cc+0%/-30%
载流子浓度:(3~10)E16/cc
导电类型:P型
抛光情况:双面抛光
4H-SiC基片晶向:<0001>miscut8.0+/-0.5degree,parallel(10-10);OFlength:15.9+/-1.7mm
4H-SiC基片尺寸:dia2inchx330±25unIForientation:90degreecw.fromOF+/-5degreeIFlength:8.0+/-1.7mm
4H-SiC基片电阻率:<0.03ohm-cm
4H-SiC抛光:Si面CMP单抛边缘排除:1mm
标准包装:
1000级超净室100级超净袋真空包装或单片盒装