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Xenemetrix偏振X荧光光谱仪Genius IF

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详细介绍

一、 主要特点

(1)、可对C(6)-Fm(100)(ppm~100%)进行无损定性、定量分析;

(2)、采用ZLWAG(Wide Angle Geometry)技术,配备8个二次靶;

(3)8款管滤光片,更快更精确的测定微量及痕量元素;

(4)、标准配置硅漂移探测器SDD,适于高和低原子序数的元素分析检测;

(5)、针对轻原子序数元素,可配备分辨率达123eVSDD LE探测器;

(6)、外型坚固耐用,适于移动实验室,符合冲击试验MIL810E规格;

(7)、检测光斑可变,适于不同尺寸和形状的样品检测;

(8)、配备集成电脑、专业nEXt分析软件,操作方便;

二、二次靶激发技术介绍

二次靶激发技术能zui*程度的去除散射背景,提高信噪比,降低检测器的检测限。如图,样品为含少量CrMnFe杂质的Ni合金。当直接激发时(绿),杂质元素的吸收信号被Ni元素的吸收信号淹没;相反,使用Ni二次靶激发时,杂质元素的吸收信号被大大加强。

三、主要技术参数

系统规格

SDD 版本

SDD LE

测量范围

F(9) - Fm(100)

C(6) - Fm(100)

测量浓度

ppm -100%

X-射线管靶材

Rh

X-射线管电压/功率

50kV, 50W

激发类型

直接激发和二次靶激发

探测器

硅漂移探测器SDD

超级 SDD

分辨率(FWHM)

129eV ± 5eV

123eV ± 5eV

自动进样器

8

工作环境

空气/真空/氦气

管滤光片

8款软件可选

二次靶

8

操作软件

nEXt分析包(包含基础基本参数法)

选配件

16位自动进样器、专业基本参数法、真空泵、氦气净化器等

技术资料
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