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镀膜机

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镀膜机

镀膜机

镀膜机主要指一类需要在较高真空度下进行的镀膜,具体包括很多种类,包括真空离子蒸发,磁控溅射,MBE分子束外延,PLD激光溅射沉积等很多种。蒸发镀膜一般是加热靶材使表面组分以原子团或离子形式被蒸发出来。并且沉降在基片表面,通过成膜过程形成薄膜。溅射镀膜,利用电子或高能激光轰击靶材,并使表面组分以原子团或离子形式被溅射出来,并且最终沉积在基片表面,经历成膜过程,最终形成薄膜。
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GSL-1100X-SPC-16单靶等离子溅射仪

GSL-1100X-SPC-16单靶等离子溅射仪

  • 品牌: 沈阳科晶
  • 型号: GSL-1100X-SPC-16
  • 产地:
  • 供应商:沈阳科晶自动化设备有限公司

    GSL-1100X-SPC-16单靶等离子溅射仪是一款紧凑型的等离子溅射仪,可进行金、铂、铟、银等多种金属的溅射镀膜,样品直径可达50mm,镀膜厚度可达300埃,特别适用于SEM样品的镀膜。主要特点1、设有真空表、溅射电流表,可实时监控工作状态。2、通过调节溅射电流控制器、微型真空气阀,控制真空室压强、电离电流及选择所需要的电离气体,以获得最佳镀膜效 果。3、钟罩边缘橡胶密封圈采用特殊设计,可保证长期使用不出现玻璃钟罩崩边现象。4、陶瓷密封高压电极接头比通常采用的橡胶密封更经久耐用。5、根据电场中气体电离特性,采用大容量溅射真空室和相应面积溅射靶,使溅射镀层更均匀纯净。6、已通过CE认证。技术参数1、电源:220V2、总功率:<2000W(包括真空泵)3、真空室:Φ160mm×120mm4、样品台:Φ50mm,且高度可调,可同时进行8个SEM样品的镀膜5、最大均匀镀膜:Φ45mm产品规格尺寸:400mm×300mm×400mm重量:30kg标准配件1、金靶材2、进气针阀3、保险丝可选配件金、铟、银、铂等各种靶材

GSL-1100X-SPC-16-3等离子三靶溅射仪

GSL-1100X-SPC-16-3等离子三靶溅射仪

  • 品牌: 沈阳科晶
  • 型号: GSL-1100X-SPC-16-3
  • 产地:
  • 供应商:沈阳科晶自动化设备有限公司

    GSL-1100X-SPC-16-3等离子三靶溅射仪是依据二极(DC)直流溅射原理设计而成的最简单、可靠、经济的镀膜设备。本机特别之处是在一个真空室内安装了三个靶,旋转样品台可依次在同一样品上涂覆三种材料。因此,适用于实验室各种复合膜样品的制备,以及非导体材料实验电极的制作。主要特点1、设有真空表、溅射电流表,可实时监控工作状态。2、通过调节溅射电流控制器、微型真空气阀,控制真空室压强、电离电流及选择所需要的电离气体,以获得最佳镀膜效 果。3、钟罩边缘橡胶密封圈采用特殊设计,可保证长期使用不出现玻璃钟罩崩边现象。4、陶瓷密封高压电极接头比通常采用的橡胶密封更经久耐用。5、根据电场中气体电离特性,采用大容量溅射真空室和相应面积溅射靶,使溅射镀层更均匀纯净。6、已通过CE认证。技术参数1、靶:Φ45mm2、真空室:Φ160mm×120mm3、最高真空度:≤4×10-2mbar4、靶位:3个5、最大电流:50mA6、可设定最长时间:900s7、微型真空气阀:连接Φ3mm软管8、最高电压: 1600V DC9、机械泵:2L/s标准配件1、金靶材2、银靶材3、铝靶材4、进气针阀5、保险丝可选配件金、铟、银、铂等各种靶材

GSL-1100X-SPC-16C溅射蒸镀膜仪

GSL-1100X-SPC-16C溅射蒸镀膜仪

  • 品牌: 沈阳科晶
  • 型号: GSL-1100X-SPC-16C
  • 产地:
  • 供应商:沈阳科晶自动化设备有限公司

    GSL-1100X-SPC-16C溅射蒸镀膜仪配备了热蒸发附件,具有溅射和蒸发两种功能。不但可以用等离子溅射的方式镀金属膜,也可以用蒸发的方式得到碳或其他金属单质的薄膜。本机能够满足扫描电子显微镜样品的制备和非导体材料实验电极的制作,也可以用于材料研究中各种新材料性能的实验。主要特点配备了热蒸发附件,可以蒸发碳丝或者其他材料,如铝、不锈钢等材料,同时具有溅射和蒸发的功能。因此扩展了应用范围,特别适用于扫描电镜样品的制备。技术参数1、靶:Φ50mm2、样品台:Φ50mm3、真空室:Φ160mm×110mm4、真空度:4×10-1mbar-2×10-2mbar5、最大电流:50mA6、可设定最长时间:9999s7、最高电压:1600V DC可调8、真空泵:4L两级机械旋转泵,极限真空2×10-2mbar标准配件1、金靶材2、碳绳3、钨丝篮4、热蒸发附件5、进气针阀6、保险丝可选配件金、铟、银、白金等各种靶材

GSL-1100X-SPC-16M磁控溅射镀膜仪

GSL-1100X-SPC-16M磁控溅射镀膜仪

  • 品牌: 沈阳科晶
  • 型号: GSL-1100X-SPC-16M
  • 产地:
  • 供应商:沈阳科晶自动化设备有限公司

    GSL-1100X-SPC-16M磁控溅射镀膜仪是依据二极(DC)直流溅射原理设计而成的最简单、可靠、经济的镀膜设备,适用于实验室各种复合膜样品的制备,以及非导体材料实验电极的制作。主要特点1、设有真空表、溅射电流表,可实时监控工作状态。2、通过调节溅射电流控制器、微型真空气阀,控制真空室压强、电离电流及选择所需要的电离气体,以获得最佳镀膜效 果。3、钟罩边缘橡胶密封圈采用特殊设计,可保证长期使用不出现玻璃钟罩崩边现象。4、陶瓷密封高压电极接头比通常采用的橡胶密封更经久耐用。5、根据电场中气体电离特性,采用大容量溅射真空室和相应面积溅射靶,使溅射镀层更均匀纯净。6、溅射头采用Peltier制冷技术,可得到高性能、精细颗粒的涂层。7、可用水冷溅射头、水冷载物台。技术参数1、靶:Φ50mm2、真空室:Φ160mm×120mm3、最高真空度:≤4×10-2mbar4、最大电流:50mA(100mA)5、可设定最长时间:9999s6、微型真空气阀:连接Φ3mm软管7、最高电压:1600V DC8、机械泵:2L/s产品规格尺寸:360mm×300mm×380mm标准配件1、金靶材2、进气针阀3、保险丝可选配件金、铟、银、铂等各种靶材

GSL-1100X-SPC-15E-LD小型蒸镀仪

GSL-1100X-SPC-15E-LD小型蒸镀仪

  • 品牌: 沈阳科晶
  • 型号: GSL-1100X-SPC-15E-LD
  • 产地:
  • 供应商:沈阳科晶自动化设备有限公司

    GSL-1100X-SPC-15E-LD小型蒸镀仪特别适合蒸镀一些轻金属,如、Al、Mg、和Li等;同时也可对样品进行镀碳处理,最大可处理的样品直径为50mm。主要特点1、配有直连式双旋机械泵(装有油污过滤器和防回油装置),可使真空腔体真空度达到10-2torr。2、配有KF25波纹管和卡箍。3、可进行镀碳处理。4、已通过CE认证。技术参数1、输入电压:AC208V-240V 50/60Hz2、功率:<2000W3、真空腔体:熔融玻璃管,Φ160mm×110mm4、载物台:Φ50mm5、最大蒸镀区域:Φ45mm6、钨丝舟:3个7、真空度:≤10-2torr(双旋机械泵)产品规格尺寸:360mm×300mm×380mm重量:50kg标准配件1、钨丝舟2、碳纤维注意事项1、对于蒸镀对氧较敏感的材料,建议使用涡旋分子泵。2、为了达到较高的无氧环境,至少要用高纯惰性气体对真空腔体清洗3次。

GSL-1100X-SPC-12等离子薄膜溅射仪

GSL-1100X-SPC-12等离子薄膜溅射仪

  • 品牌: 沈阳科晶
  • 型号: GSL-1100X-SPC-12
  • 产地:
  • 供应商:沈阳科晶自动化设备有限公司

    GSL-1100X-SPC-12等离子薄膜溅射仪专门为在基底上镀金属膜(如金、铂、铟、银等)而设计,最大放置样品尺寸直径为40mm,膜厚可达300?,特别适用于为SEM样品镀金而作为导电极。主要特点1、可以调节电流大小,可设置溅射时间。2、已经过CE认证。技术参数1、输入电源:208V-240V 50Hz/60Hz2、样品台:Φ60mm,高度可调节3、石英腔体:Φ100mm×130mm4、进气口:内部装有阀门,可以向腔体内通入各种气体5、靶材:纯度为4N的金靶,Φ57mm×0.12mm 产品规格尺寸:480mm×320mm×150mm重量:20kg可选配件1、Au(Φ57mm×0.12mm,4N)2、Pt(Φ57mm×0.12mm,4N)3、Ag(Φ57mm×0.5mm,4N)

英国QuorumSC7620离子溅射镀膜仪

英国QuorumSC7620离子溅射镀膜仪

  • 品牌: 英国Quorum
  • 型号: SC7620
  • 产地:英国
  • 供应商:南京覃思科技有限公司

    仪器简介:SC7620溅射镀膜仪英国Quorum的SC7620是一台结构紧凑、价格低廉的磁控离子溅射镀膜仪。如与镀碳附件(CA7625F)结合使用,为理想的低价位扫描电镜溅射、镀碳系统。SC7620耐用、易操作。SC7620适合预算有限、需要高质量镀膜、仪器易操作的用户。对于常规应用,SC7620具有φ100(4″)的玻璃腔室,使用磁控溅射头,带有易更换的圆片靶(标配为金/钯合金)。溅射头为方便的铰链式,并具有电安全互锁装置。高压电缆带有屏蔽功能,以预防意外损坏。通过氩气针阀调整真空度,以改变等离子电流;气体注入系统可预设等离子放电。必备:推荐使用50l/m双级旋转机械泵(E5005F),随机配有油雾过滤器。如果想使用已有的旋转机械泵,确保它的容量为50l/m或更优是非常重要的。可选附件-镀碳仪SC7620可选配(CA7625F)镀碳装置,包括蒸发电源和碳丝头。镀碳附件很容易安装。用碳丝头替换铰链式连接的溅射头即可。为确保暴露在外的溅射头不被供电,安装了机电互锁装置,以确保溅射头断电。SC7620定单信息选择靶金/钯合金作为标配。与金相比,颗粒更细。金:通常为首选。铂:溅射颗粒尺寸比金和金/钯合金还要细小。溅射速率减慢,价格比金和金/钯合金昂贵一些。银:与其它金属比较,银镀层容易取下,较适用于博物馆和法院的样品镀膜。钯:用于X-射线微量分析时,常用来取代金、金/钯和铂。请访问:www.tansi.com.cn查看详细资料技术参数:靶所有的靶尺寸均为57mm直径x0.1mm厚(除非另外指定)SC502-314A 金靶SC502-314B 金/钯合金靶SC502-314E 银靶SC502-314F 钯靶SC502-314A/0.2MM 金靶,厚度0.2mmSC502-314B/0.2MM金/钯合金靶,厚度0.2mmSC502-314C/0.2MM铂靶,厚度0.2mm泵E5005F 50 l/m双级旋转机械泵,带有油雾过滤器(115/230 50/60Hz)E5006 替换的油雾过滤器可根据要求选用其它的泵,可选用国产泵。镀碳CA7625F蒸碳电源220 - 240V尺寸:340 x 355 x 375mm头:带有碳丝A0819(1m)的碳丝头CA0762F主要特点:价格低易操作磁控溅射头紧凑设计快速循环时间(典型为2-3分钟)可选碳丝蒸镀样品台高度可调快速换靶(标配为金/钯合金)符合所有新的安全标准:包括机电互锁,以确保使用镀碳附件时溅射头断电可靠耐用

电子束蒸发镀膜 E-Beam

电子束蒸发镀膜 E-Beam

磁控溅射镀膜 Sputter

磁控溅射镀膜 Sputter

  • 品牌: 德国普发真空
  • 型号: Sputter 16
  • 产地:德国
  • 供应商:伯东企业(上海)有限公司

    上海伯东代理 AdNaNo 铠柏科技超高真空磁控溅射镀膜机. 真空度最高 5E-10 Torr, 特比适合生长高质量的薄膜或超薄膜, 金属与绝缘材料. 使用德国 Pfeiffer 分子泵和美国 KRI 离子源

离子刻蚀机

离子刻蚀机

  • 品牌: 德国普发真空
  • 型号: IBE
  • 产地:德国
  • 供应商:伯东企业(上海)有限公司

    上海伯东代理 AdNaNo 铠柏科技超高真空离子刻蚀机 IBE, AdNaNo 数十年来一直致力于超高压沉积技术, 帮客户定制设备完成特殊应用, 在客户预算内提供一流组件和先进的设计!

金/碳镀膜机

金/碳镀膜机

  • 品牌: 美国Denton Vacuum
  • 型号: Desk V HP
  • 产地:美国
  • 供应商:香港电子器材有限公司

    产品简介蒸发膜的厚度分布蒸发源的排放分布特性可用于确定真空室中用于生产均匀厚度涂层的正确几何形状。在大孔径衬底上或者在装载有许多小衬底的架子上生产均匀厚度的涂层可以通过对装有测试件的架子进行重复试验来完成。从一次试运行到下一次试运行,有意改变了几何形状 - 例如蒸发源的偏移量增加了,直到找到最佳排列。在本文中,我们首先测量了位于已知径向距离处的测试件上的涂层的厚度,在真空蒸发室中的单个旋转平板架上,并使用这些数据来查找源发射函数。然后使用已知的发射函数来确定在直径上产生最佳厚度均匀性的源偏移和弧线曲率。 更低的成本...更高的投资回报率 离子辅助沉积可提供高要求的光学应用所需的高品质,无缺陷,低应力,环境稳定(无漂移)的薄膜。您将受益于:独立控制离子电流密度和离子能量以优化薄膜性能长期运行,100%氧气或氮气反应气体稳定运行,延长运行时无过程漂移冷阴极离子源是差分泵浦器件,等离子体腔室的一端通向真空环境。离子源的操作参数和薄膜的质量受控制真空度的参数的影响。在抽速很高的系统中制作好的薄膜要容易得多。当比较IAD薄膜沉积参数时,压力的差异可能是由泵浦速率引起的。要了解泵浦速率对冷阴极离子源的影响,请下载我们的技术文章 download our technical paper.Desk V HP 专用电子显微镜样品制备– 金/碳镀膜机特点(SEM / TEM / FE-SEM) ● 内置泵系统● 极短的沉积时间● 一致的沉积参数● 图形界面彩色触摸板● 薄膜厚度控制● 样品清洁的蚀刻模式● 多样靶材材料选择● 更多可选功能 

全自动原子层沉积系统(ALD)

全自动原子层沉积系统(ALD)

  • 品牌: 美国Veeco
  • 型号: Savannah G2 ALD
  • 产地:美国
  • 供应商:香港电子器材有限公司

    Veeco(之前称之为Cambridge Nanotech)已经有15年以上的ALD研发生产经验。2003年Cambridge Nanotech成立于哈佛大学,05年搬到Boston并生产出Thermal ALD - Savannah, 之后生产出Plasam ALD - Fuji、批量生产ALD-Phoenix。2017年被Veeco收购,并更新了Batch HVM ALD - Firebird。至今为止,Veeco在ALD设备已有15年多的经验,全球已安装五百多台ALD设备。​方式: Thermal ALD (plasma option)优势: 高性能,低成本,易于操作和维护薄膜: 氧化物Al2O3, HfO2, La2O3, Li2O, Li7La3Zr2O12, LiFePO4, SIO2, TiO2, ZnO, ZrO2, Ta2O5, In2O3, SnO2, Fe2O3, MnOx, Nb2O5, MgO, Er2O3, WOx, MoO3, V2O3 硫化物ZnS, SnS, Cu2S, In2S3, Cu2ZnSnS4,PbS, CoS等反应腔体大小: S100: 可达100 mm / S200: 可达200 mm  / S300: 可达300 mm设备尺寸: S100: 585 x 560 x 980 mm / S200: 585 x 560 x 980 mm / S300: 686 x 560 x 980 mm操作模式: 连续模式(高速) / 曝光模式(超高深宽比)功率: 115 VAC / 220 VAC,1900 W (不包含泵) (S300 2000W)最高温度: S100: RT - 400 °C / S200: RT - 350 °C / S300: RT - 350 °C沉积均一性: Al2O3:<1% (1σ)循环时间: <2s per cycle with Al2O3 at 200°C兼容: 标准二端口,可增加至六端口。每一个源瓶均可放固态/液态/气态前驱体,可独立加热至200°C阀门: 高速ALD阀门,10ms响应前驱体源瓶: 独立可加热50ml不锈钢气瓶,可选择更大容量载气/排气: N2,100SCCM原位分析选项: 原位QCM, 原位椭便仪, 残余气体分析, LVPD, 批量生产, 集成手套箱等, 臭氧发生器, 批量生产, 自组装单层膜(SAMs)颗粒镀膜, 等离子体加强

全自动原子层沉积系统(ALD)

全自动原子层沉积系统(ALD)

  • 品牌: 美国Veeco
  • 型号: Fiji G2 Plasma ALD
  • 产地:美国
  • 供应商:香港电子器材有限公司

    Veeco(之前称之为Cambridge Nanotech)已经有15年以上的ALD研发生产经验。2003年Cambridge Nanotech成立于哈佛大学,05年搬到Boston并生产出Thermal ALD - Savannah, 之后生产出Plasam ALD - Fuji、批量生产ALD-Phoenix。2017年被Veeco收购,并更新了Batch HVM ALD - Firebird。至今为止,Veeco在ALD设备已有15年多的经验,全球已安装五百多台ALD设备。方式: Plasma & Thermal ALD优势: 标准自动加载锁定集成、加热、薄箔ALD trap薄膜: 氮化物AlN, Hf3N4, SiN, TiN, GaN, InN, AlGaN, BN, NbN, NbTiN, VN, TiVN, WN, WCN, TaN, CoN 金属Ni, Pt, Ru 氧化物Al2O3, HfO2 , Nb2O5, NiO, SiO2, Ta2O5, TiO2, ZnO, ZrO2, Li2O, LiPON, La2O3, SnO2, In2O3, ITO, Ga2O3, MgO, MgxZn1-xO 硫化物ZnS, SnS, Cu2S, In2S3, Cu2ZnSnS4,PbS, CoS, ZnOS等反应腔体大小: 可达200 mm设备尺寸: 1845 x 715 x 1920 mm操作模式: 连续模式(传统Thermal ALD) 曝光模式(超高深宽比) 等离子体模式(等离子体加强ALD)功率: 220-240 VAC, 4200 W per reactor (不包含泵)最高温度: 标准200mm衬底加热至500°C / 可选100mm衬底加热至800°C沉积均一性: 1σ均一性 / Thermal Al2O3 -1.5%, Plasma Al2O3 -1.5%循环时间: <2s per cycle with Al2O3 at 200°C兼容: 标准四端口,可增加至六端口。每一个源瓶均可放固态/液态/气态前驱体,可独立加热至200°C阀门: 工业标准ALD阀门(最小响应10ms)前驱体源瓶: 50cc(最多填充25ml)不锈钢气瓶载气/排气: 100 sccmAr precursor carrier gas MFC  / 500 sccmAr Plasma gas MFC / 100 sccm N2 plasma gas MFC / 100 sc100 sccm H2 plasma gas MFC / cm O2 plasma gas MFC原位分析选项: H2S兼容配件, 原位QCM, 原位椭便仪, RGA端口, 光发射光谱仪, 样品高度高达57mm的晶圆臭氧发生器, LVPD, 集成手套箱, 衬底偏压​

全自动原子层沉积系统(ALD)

全自动原子层沉积系统(ALD)

  • 品牌: 美国Veeco
  • 型号: Phoenix G2 ALD System
  • 产地:美国
  • 供应商:香港电子器材有限公司

    Veeco(之前称之为Cambridge Nanotech)已经有15年以上的ALD研发生产经验。2003年Cambridge Nanotech成立于哈佛大学,05年搬到Boston并生产出Thermal ALD - Savannah, 之后生产出Plasam ALD - Fuji、批量生产ALD-Phoenix。2017年被Veeco收购,并更新了Batch HVM ALD - Firebird。至今为止,Veeco在ALD设备已有15年多的经验,全球已安装五百多台ALD设备。方式: Thermal batch ALD优势: 大批量热ALD镀膜,可靠成熟,设计灵活,易于使用,并具有许多操作界面,许多内置安全功能薄膜: 高达370 mm x 470 mm (Gen 2.5 Panels) / 100mm 晶片 - 240 to 360 / 150mm 晶片 - 80 to 160 / 200mm 晶片 - 80 to 100 / 300 mm 晶片 - up to 40 / 其它3D 对象自定义支架设备尺寸: 900 mm x 1370 mm x 1700 mm功率: 208 VAC 3 Phase, 8500 W (包含泵)最高温度: 可达285°C沉积均一性: Al2O3 晶片<1.5% / Al2O3批量<1% 前驱体源瓶: 3.1 l 源瓶或 600 ml载气/排气: N2 or Ar MFC flow control原位分析选项: 臭氧发生器, LVPD,集成手套箱, 半自动负载自动负载, SECS/GEM 界面

全自动原子层沉积系统(ALD)

全自动原子层沉积系统(ALD)

  • 品牌: 美国Veeco
  • 型号: Firebird
  • 产地:美国
  • 供应商:香港电子器材有限公司

    Veeco(之前称之为Cambridge Nanotech)已经有15年以上的ALD研发生产经验。2003年Cambridge Nanotech成立于哈佛大学,05年搬到Boston并生产出Thermal ALD - Savannah, 之后生产出Plasam ALD - Fuji、批量生产ALD-Phoenix。2017年被Veeco收购,并更新了Batch HVM ALD - Firebird。至今为止,Veeco在ALD设备已有15年多的经验,全球已安装五百多台ALD设备。Firebird Batch Thermal ALD System​方式: Thermal batch ALD优势:完全自动化的批量生产系统,最佳生产能力(每月最多40000片),最低的成本,最高的产量,极优的一致性针对脆弱/温度敏感的衬底解决方案,包括LNO/LTO/玻璃模块化热管理,以实现最佳工艺灵活性和产量薄膜: 氧化物薄膜,包含封装层、光学涂层氧化物薄膜,包含封装层、光学涂层反应腔体大小:  无缝晶片尺寸转换能力高达300mm

真空镀膜仪

真空镀膜仪

手动镀金仪

手动镀金仪

自动(镀)金仪

自动(镀)金仪

自动镀碳仪

自动镀碳仪

R&D Cluster tools 研发用团簇

R&D Cluster tools 研发用团簇

  • 品牌: 美国MVSystems
  • 型号: Cluster
  • 产地:美国
  • 供应商:上海瞬渺光电技术有限公司

    R&D Cluster tools 研发用团簇PECVD PVDR&D Cluster toolsCluster tool w/ 8 port locations具有8个腔室的团簇型沉积系统30x40cm substrate衬底尺寸为30x40cmComputer controlled可完全由电脑程序控制操作运行?PECVD, HWCVD and Sputter capability 制备方式包括等离子体和热丝化学气相沉积,及溅射。

制备多晶硅太阳电池的氮化硅涂层沉积设备

制备多晶硅太阳电池的氮化硅涂层沉积设备

  • 品牌: 美国MVSystems
  • 型号: SiNx-PECVD
  • 产地:美国
  • 供应商:上海瞬渺光电技术有限公司

    用于制备多晶硅太阳电池的氮化硅涂层沉积设备 MVSSilicon Nitride Coating Systems for Multi-crystalline Silicon Solar CellsThroughput: >475 wafers/hrSiNx uniformity: < ?5%产率:>475硅片/小时。氮化硅膜不均匀性:< 5%。

在线式HIT用PECVD MVS

在线式HIT用PECVD MVS

  • 品牌: 美国MVSystems
  • 型号: HIT-PECVD
  • 产地:美国
  • 供应商:上海瞬渺光电技术有限公司

    在线式HIT用PECVDIn-Line PECVD system for HIT junctions用于制备高效异质结太阳电池的直线型等离子体化学气相沉积系统Throughput: 18 wafers (6”)/cycle产率:18片6硅片/循环

卷对卷柔性薄膜沉积设备 MVS

卷对卷柔性薄膜沉积设备 MVS

  • 品牌: 美国MVSystems
  • 型号: Reel to Reel Cassette System
  • 产地:美国
  • 供应商:上海瞬渺光电技术有限公司

    卷对卷柔性薄膜沉积设备Cassette houses flexible material卷筒用于装载柔性衬底材料Cassette transported from one process chamber to another via a robotic handler制备薄膜时,卷筒可由真空机器手从一个腔室输送至另一个腔室Advantages 此沉积系统的优点- Eliminates cross-contamination 在制备多层膜器件时消除了交互掺杂影响- Flexibility to adjust parameters on any part of the process. 制备薄膜时,能灵活控制各种运转沉积参数- Down time reduced, i.e. each chamber can be serviced independently 因每个腔室可单独维护,减少了停机非运转时间Reel to Reel Cassette Cluster toolsCluster tool w/ 8 port locations具有8个腔室的团簇型沉积系统15cm and 30cm webwidth柔性衬底的宽度可从15cm至30cmComputer controlled可完全由电脑程序控制操作运行PECVD, HWCVD and Sputter capability制备方式包括等离子体和热丝化学气相沉积,及溅射(US patent #6,258,408B1)(本产品获美国专利#6,258,408B1)

热丝CVD设备HWCVD MVS

热丝CVD设备HWCVD MVS

  • 品牌: 美国MVSystems
  • 型号: MVS
  • 产地:美国
  • 供应商:上海瞬渺光电技术有限公司

    热丝薄膜沉积设备MVSystems 公司设计,制造和提供各类单腔室和多腔室薄膜沉积设备。另外,根据用户的需求,各种PECVD,HWCVD,和PVD腔室可以单个制造,也可配备到现有的团簇型(星型)或是直线型沉积系统。MVSystems具有制造用于各类研发,中试以及小型生产设备的强大能力和丰富经验,所生产的设备已成功地使用在全世界23个国家的大学,研究院所和公司。我们公司的工程部门可最大限度地为用户着想, 以使用户们获取他们最需要的且价格合适的设备。作为设备销售的一部分,我们还能向用户保证薄膜半导体材料具有最佳光电子性能参数。这些材料包括非晶硅,纳米硅(微晶硅),介质材料(比如氮化硅和氧化硅)和透明导电膜。其他业务 MVSystems 公司拥有各类研发设施和技术人员,具备开发各种光电子薄膜技术的能力。研发: 可以为全球的大学,政府研究机构和公司提供服务。代工服务: 使用计算机控制的大面积团簇型(星型)等离子辉光放电(PECVD)/溅射系统,MVSystems 公司可以为用户提供如下各类薄膜材料和器件,包括:非晶硅本征和掺杂(n+ and p+ 型)膜。纳米(或者微晶)硅 (本征和掺杂)膜。介质材料(如SiNx, SiOx)。透明导电薄膜 (如ITO,AZO)。太阳电池,非晶硅薄膜晶体管,电子成像和存储器件等。研发设施: 在公司实验室内配置了具有高度安全性的监测系统用于监控和处理各类危险有毒气体,比如硅烷等。(1) 大面积团簇型薄膜沉积系统:最大衬底面积可达30厘米×40厘米,具有6个PECVD腔室(配有射频,甚高频电源以及具有脉冲调制功能)和1个双靶位溅射系统(配有直流和射频电源),以及多片仓位功能。整个操作可由电脑控制。(2) 热蒸发系统用于制作金属电极。(3) 太阳电池测试系统:配有符合AM1.5G光谱的氙灯光源。可用于测量电池的光暗I-V曲线和量子效率。也可用作测试各类半导体薄膜的光暗电导率以及γ参数。(4) 电导率激活能测试系统。(5) 红外光谱测试仪。(6) 紫外至红外光的透射和反射测量仪,配置有积分球。(7) 椭偏仪用于测量薄膜厚度和介电常数。(8) 台阶仪用于测量薄膜厚度。(9) 光发射谱仪用于实时监控等离子体过程。(10) 各种光源,滤波片,示波仪,显微镜以及其它实验室通用仪器。

奥匹维特 高真空电阻蒸发镀膜设备

奥匹维特 高真空电阻蒸发镀膜设备

PECVD沉积

PECVD沉积

  • 品牌: 美国Trion
  • 型号: Minilock-Orion III PECVD
  • 产地:美国
  • 供应商:德国韦氏纳米系统(香港)有限公司

    PECVD沉积Minilock-Orion III是一套最先进的等离子增强型化学汽相沉积(PECVD)系统。 系统的下电极尺寸可为200mm或300mm,且根据电极配置,可以处理单个基片或带承片盘的基片(3”- 300mm尺寸),或者多尺寸批处理基片(4x3”; 3x4”; 7x2”)。Minilock-Orion III用于有毒/发火PECVD工艺。沉积薄膜:氧化物、氮氧化物、氮化物、无定形硅和碳化硅。工艺气体:100%硅烷、氨、TEOS、二乙基硅烷、氧化亚氮、氧、氮、三甲基硅烷和甲烷。该系统可选配一个三极管(Triode)或电感耦合等离子(ICP)源。三极管源使得用户可以创建高密度等离子,从而控制薄膜应力。基片通过预真空室装入工艺室,其避免了与工艺室以及任意残余沉积副产品接触,从而提高了用户的安全性。预真空室还使得工艺室始终保持在真空下,从而保持反应室与大气隔绝。

AT-400 原子层沉积

AT-400 原子层沉积

  • 品牌: 美国ANRIC
  • 型号: AT-400
  • 产地:美国
  • 供应商:德国韦氏纳米系统(香港)有限公司

    原子层沉积(Atomic layer deposition, ALD)是通过将气相前驱体脉冲交替的通入反应器,化学吸附在沉积衬底上并反应形成沉积膜的一种方法,是一种可以将物质以单原子膜形式逐层的镀在衬底表面的方法。因此,它是一种真正的“纳米”技术,以精确控制方式实现纳米级的超薄薄膜沉积。由于ALD利用的是饱和化学吸附的特性,因此可以确保对大面积、多空、管状、粉末或其他复杂形状基体的高保形的均匀沉积。

Bench-Top Plasma Tool

Bench-Top Plasma Tool

  • 品牌: 美国AGS Plasma
  • 型号: AGS TT-RIE/CVD/PECVD
  • 产地:美国
  • 供应商:德国韦氏纳米系统(香港)有限公司

    AGS Plasma Systems, Inc.Now Celebrating Our 25th year! 美国AGS公司成立于1991年,在等离子系统领域已有25年的历程,是一家历史悠久的等离子系统供应商,提供的真空等离子系统主要应用于图案转换中薄膜沉积,刻蚀,如微电子,MEMS,光伏,光电,纳米科技等行业领域。2012年Semicon West ,AGS公司推出一个新型的,桌面式 TT-150RIE/CVD 系统,非常经济实用,对世界各地大学,研究所来说这样如此特色的RIE和CVD应用是非常完美的。模块化的TT-150适合半导体MEMS,TFT,PV的2寸---6寸应用。AGS TT 等离子系统在一个平台上提供了所有的功能特征RIE,PECVD,和等离子刻蚀PE都能在一个易操作,低维护,实用简单的平台上实现,同时可以根据您的工艺要求升级您的需求当您需要更换工艺技术是,腔体的部件,材料,进气装置提供更多的工艺扩展AGS依靠公司丰富的经验为新工艺开发提供低成本的先进的技术资源便于提前研发先进的领域技术桌面式,占地面积小,节省实验室空间工艺控制简单,易于使用者操作兼容等离子刻蚀PE和PECVD,成本低

HMDS真空镀膜机

HMDS真空镀膜机

  • 品牌: 上海实贝
  • 型号: HMDS-090-DM
  • 产地:
  • 供应商:上海实贝仪器设备厂

    HMDS真空镀膜机一、HMDS真空镀膜机的预处理系统的重要性在半导体生产工艺中,光刻是至关重要的一个工艺环节,而涂胶工艺的好坏,直接影响到光刻的质量,所以涂胶也显得尤为必要,尤其在所刻线条比较细的时候,任何一个环节有一点纰漏,都可能导致光刻的失败。在涂胶工艺中,所用到的光刻胶绝大多数是疏水的,而晶片表面的羟基和残留的水分子是亲水的,如果在晶片表面直接涂胶的话,势必会造成光刻胶和晶片的粘合性较差,甚至造成局部的间隙或气泡,涂胶厚度和均匀性都受到了影响,从而影响了光刻效果和显影。为了解决这一问题,涂胶工艺中引入了一种化学制剂,即HMDS,它的英文全名叫Hexamethyldisilazane(HMDS),化学名称叫六甲基二硅氮甲烷,把它涂到硅片表面后,通过加温可反应生成以硅氧烷为主题的化合物,这实际上是一种表面活性剂,它成功地将硅片表面由亲水变为疏水,其疏水基可很好地与光刻胶结合,起到耦合的作用,再者,在显影的过程中,由于它增强了光刻胶与基底的粘附力,从而有效地抑制刻蚀液进入掩模与基底的侧向刻蚀。 最初,人们用液态的HMDS直接涂到晶片上,然后借着晶片的高速旋转在晶片表面形成一层HMDS膜。这样就阶段性的解决了基片和光刻胶之间的结合问题,但随着光刻线条的越来越细,胶的越来越薄,对粘附力提出了更高的要求,于是我们研制出了现在的HMDS预处理系统。二、 HMDS预处理系统的优越性(1)预处理性能更好,是在经过数次的氮气置换再进行的HMDS处理,所以不会有尘埃的干扰,再者,由于该系统是将"去水烘烤"和HMDS处理放在同一道工艺,同一个容器中进行,晶片在容器里先经过100℃-200℃的去水烘烤,再接着进行HMDS处理,不需要从容器里传出,而接触到大气,晶片吸收水分子的机会大大降低,所以有着更好的处理效果。(2)处理更加均匀。由于它是以蒸汽的形式涂布到晶片表面上,所以有液态涂布不可比拟更好的均匀性。(3)效率高。液态涂布是单片操作,而本系统一次可以处理多达多盒的晶片。(4)更加节省药液。实践证明,用液态HMDS涂布单片所用的药液比用本系统处理多盒晶片所用药液还多;(5)更加环保和安全,HMDS是有毒化学药品,人吸入后会出现反胃、呕吐、腹痛、刺激胸部、呼吸道等,由于整个过程是在密闭的环境下完成的,所以不会有人接触到药液及其蒸汽,也就更加安全,它的尾气是直接由机械泵抽到尾气处理机,所以也不会对环境造成污染。三、系统结构整个系统由加热、真空系统、充氮、加药和控制模块等5部分组成。1.加热模块由于工艺的整个过程都需要在150℃左右的环境下进行,所以自始至终加热系统都在工作。本系统采用在腔体外侧加热,采用人工智能PID调节仪实现闭环控制,调节仪控制固态继电器的输出,从而实现温度的精确稳定控制,测温采用通用的高精度热敏电阻Pt100。2.真空模块由机械泵、真空组件、真空测量等组成,主要作用是置换气体和抽走剩余的HMDS蒸汽,不再赘述。3.充氮模块作用是在置换过程中,用氮气来逐渐稀释空气或药液蒸汽,从而最终替换空气或药液蒸汽的气氛。主要由氮气源、控制阀和喷头组成。4.加药模块加药模块的作用是在需要的时候把药液变成蒸汽,均匀的涂布到晶片表面。它主要由药液瓶,接口、控制阀和喷头组成。5.控制模块控制模块是本系统的核心模块,它的作用是控制各个模块的动作和时序,完成整个工艺过程。它主要由人机界面,CPU控制中心,控制接口和输出部件,报警等5部分组成。人机界面采用台湾威纶通触摸屏来实现参数、状态等界面的显示和参数的设定输入。PLC采用三凌FX系列小型化PLC。6.软件组成整个控制软件共分4个部分,即自动运行、手动控制、参数设定、帮助。当按下自动运行键后,画面转换到运行画面,显示当前的工艺状态,运行时间等,同时系统开始运行。7.运行流程首先打开真空泵、开始抽真空、待腔内真空度达到某高真空度(该值可预设)后,开始充入氮气,充到达到某低真空度(该值也可预设)后的再次重复抽真空、充入氮气的过程,达到设定的充入氮气的次数后再次抽真空,然后充入药液,达到设定时间后,停止充入药液,进入保持阶段。当到达设定的保持时间后,再次开始抽真空、充入氮气,次数为设定值,当系统自动工作完成后,画面切换到结束画面,同时给出声光报警等待取片,在自动工作过程中若出现异常可点击运行画面中的停止键,随时终止程序的运行。流程控制:液晶触摸屏(台湾威纶通)、PLC控制(三菱),流程可编辑,可以预存5组程序。(可按照用户使用要求更改流程)氮气装置:氮气进入箱内有调压装置,控制有自动阀完成。HMDS装置:HMDS药液进入箱内采用压力差吸取瓶内HMDS方式,自动阀控制四、产品特征:1)设备外壳采用SS41粉末静电喷涂,内胆为不锈钢316L材质;采用无缝不锈钢加热管,均匀分布在内胆外壁,内胆内无任何电气配件及易燃易爆装置;内门采用钢化、防弹双层玻璃观察窗,便于观察工作室内物品实验情况。2)箱门闭合松紧能调节,整体成型的硅橡胶门封圈,确保箱内保持高真空度。3) 采用微电脑PID控制,系统具有自动控温,定时,超温报警等,采用LCD液晶显示,触摸式按钮,简单易用,性能稳定.4)智能化触摸屏控制系统配套日本三菱PLC模块可供用户根据不同制程条件改变程序、温度、真空度及每一程序时间。5)HMDS气体密闭式自动吸取添加设计,使真空箱密封性能极好,确保HMDS气体无外漏顾虑。6)整个系统采用优质医用级316L不锈钢材料制作,无发尘材料,适用百级光刻间净化环境。 7)管路:SUS316洁净管8)隔板:SUS316材质四、HMDS真空镀膜机技术参数型号:HMDS-090-DM容积:90L加热方式:内腔体外侧加温控温范围:R.T.+10~200℃温度分辨率:0.1℃控温精度:±0.5℃隔板数量:2PCS真空度:常压~<133Pa或1TORR以下真空泵:抽气速度4升/秒,型号DM4电源:AC220/50HZ额定功率:3.0KW内胆尺寸mm:宽450*深450*高450外形尺寸mm:宽650*深640*高1250连接管:316不锈钢波纹管,将真空泵与真空箱完全密封无缝连接HMDS-210-DM真空镀膜机技术参数:电源电压:AC380V/50Hz输入功率:4000W控温范围:室温+10℃-200℃温度分辨率:0.1℃温度波动度:±0.5℃真空度:常压~<133Pa容积:210L内室尺寸(mm):560*640*600外形尺寸(mm):720*820*1425载物托架:3块时间单位:分钟

箱式溶剂干燥器

箱式溶剂干燥器

  • 品牌: 美国VAC
  • 型号: 箱式溶剂干燥器
  • 产地:美国
  • 供应商:香港环球分析测试仪器有限公司

    箱式溶剂干燥器*根据配置,可在几分钟内干燥多达75 ml溶剂*Karl Fisher试验结果显示在THF中水氧含量小于10PPM*可为特定反应干燥定量溶剂*最大化减少溶剂损失*再生处理之前,一个柱子可运行5次*干燥柱易于开关*干燥介质可用户自行更换*干燥柱可用户自己完成再生*便捷的箱式设计消除了意外泄漏*无需真空泵*无需防火柜*无需惰性气体源*易于安装在任何干燥箱中

高分解离子束镀膜仪

高分解离子束镀膜仪

  • 品牌: 美国Gatan
  • 型号: 681
  • 产地:美国
  • 供应商:科扬国际贸易(上海)有限公司

    仪器简介:型号681离子束镀膜仪 用于扫描电镜和透射电镜的离子束镀膜系统 型号681离子束镀膜仪采用独特的离子溅镀技术得到连续,超薄,无定形像镀膜样品,非常适用场发射扫描电镜(FESEM)和透射电镜(TEM)的需要。与只能得到粗糙喷镀效果的传统镀膜技术如热蒸镀、电磁管或RF溅镀等相比,具有非常明显的优势。 两束离子源能够提供高速的溅镀速率,根据耙材、离子束强度和镀膜厚度的不同,镀膜时间范围从10秒到2分钟不等。 WhisperlokTM 机械装置能够在装样和换样时保持腔体的真空状态,避免再次抽真空,真正实现“快速换样”(<1分钟)。另一个重要特点是能够提供不同的样品旋转和摇摆速率,确保样品镀膜均一。 TEM WhisperlokTM 适配器(可选配)适用于所有TEM或SEM侧插样品载台的制造。如果需要,样品可以使用TEM生物冷冻样品载台在较低温度下镀膜。 多重耙材:耙材交换仪器可以在保持真空的情况下极短时间内选择两个可用耙材中的任意一个。增加第二个耙材交换仪器(可选配)即可再增加两个耙材,用户可以同时使用四个耙材中的任意两个。隐藏在腔体内的耙材完全与溅射污染物隔离。 Gatan离子束镀膜仪是一台具有便捷、高效以及可靠性特点的精密台式装置。通过它能够得到超细晶粒/非晶及非人工镀膜,能够满足高分辨率场发射电镜的更高要求。样品能够快速镀膜且只产生极小的热量。 可选配的测膜厚度仪(FTM)能够连续测量沉积速率并不断改进控制膜厚度。 规格: 离子源 离子枪 两个潘宁离子枪与微型稀土永磁体 离子束能量 1.0 KeV 到10.0 KeV 离子束直径 约1mm FWHM 离子电流密度 峰 10mA/cm2 气体流量 氩气 0.1cc/分/枪 Airlock组装 样品载台 接纳1英寸(31mm)金相套和多种SEM短截线 样本旋转速率 可变速率10-60rpm 样品倾斜角度 固定角度或可变摇摆角度(0° - 90°) 样品摇摆速率 可变速率5°/秒 - 36°/秒 选配 用于侧插TEM的TEM适配器或SEM样品载台 镀膜 镀膜速率 10.0KeV下约0.5 /秒 碳 及 1.5 /秒 铬 镀膜范围 均匀直径超过1英寸 耙材装置 一方双重耙材,可在真空状态下从外直接选择耙材 耙材材质 四种耙材选择(见详细清单) 真空 干燥泵系统 两个部分,隔膜泵搭配一个60 升/秒分子泵 真空计 样品腔冷阴极规,搭配固态压力传感器 样品调换 Gatan专利 WhisperlokTM,样品更换时间<1分钟 液态氮阀 约5小时容量(标准) 尺寸及功率 总尺寸 560mmW x 480mmD x 430mmH (22W x 19D x 17H) 货运重量 45kg (100 lbs) 电源要求 通用电压 100VAC-240VAC,50/60Hz 用户需确定电源型号以保证正确的线路 能量消耗 运行时需200瓦特,离子枪关闭时需100瓦特 气体需求 氩气 70psi (4.82 bar) 保修 一年

多发射极晶体管刻蚀

多发射极晶体管刻蚀

  • 品牌: 美国Gatan
  • 型号: 683
  • 产地:美国
  • 供应商:科扬国际贸易(上海)有限公司

    仪器简介:型号683金属刻蚀 离子束刻蚀金相材料的制备 金相刻蚀仪提供一个离子束刻蚀是有多功能的PECS系统的一种功能。其成本经济,价格适宜,且使用新一代仪器制备金相样品时不需要溅射镀膜。典型应用包括扫描电子显微镜(SEM或高分辨率FESEM)和光学显微镜(LM)。高质量样品在一个干净的环境中制备,过程可控且结果可重复。离子束刻蚀技术可以避免湿化学刻蚀所带来的危险及消耗。金相刻蚀仪提供众多独具特色技术比如682.40000斜面切割工具,适用于横截面切割方面的特殊工具。 化学刻蚀的替代或补充 简易使用可重复的结果与控制 减少样品处理 无样品污染 高样品生产量,专利Whisperlok能快速、简单进行样品交换 Whisperlok具有使样品同时旋转和摇动保证刻蚀和镀膜均匀的特点 低成本的所有权 反应离子束刻蚀(RIBE系统) 无化学处理或操作安全

682.400斜面切割工具

682.400斜面切割工具

  • 品牌: 美国Gatan
  • 型号: 682.400
  • 产地:美国
  • 供应商:科扬国际贸易(上海)有限公司

    仪器简介:可选配斜面切割工具 型号682.40000斜面切割工具(SC-Tool)- 提供均质/非均质材料横截面可组合切割并最小化减少其机械变形或损坏。 规格: 离子源 离子枪 一个潘宁离子枪与微型稀土永磁体 离子束能量 1.0 KeV 到10.0 KeV 离子束直径 5mm FWHM 离子电流密度 峰 10mA/cm2 气体流量 氩气 0.1cc/分/枪 刻蚀范围 根据离子枪能量为7mm-10mm不等 刻蚀速率 10.0keV下,硅材料约10m/小时,钨材料约3m/小时 Airlock组装 样品载台 接纳1英寸(31mm)金相套和多种SEM短截线 样本旋转速率 可变速率10-60 rpm 样品倾斜角度 固定角度或可变摇摆角度(0° - 90°) 样品摇摆速率 可变速率5°/秒 - 36°/秒 选配 用于侧插TEM的TEM适配器或SEM样品载台 真空 干燥泵系统 两个部分,隔膜泵搭配一个70 升/秒涡轮泵 压力 5E-6 托(6.6E-4Pa)基本压力 6E-5 托(8E-3Pa)工作压力 真空计 样品腔冷阴极规,搭配固态压力传感器 样品调换 Gatan专利 WhisperlokTM,样品更换时间<1分钟 活性碳过滤器 真空排气装置,以减少碘蒸汽排放到安全标准 尺寸及功率 总尺寸 560mmW x 480mmD x 430mmH (22W x 19D x 17H) 货运重量 45kg (100 lbs) 电源要求 通用电压 100VAC-240VAC,50/60Hz 用户需确定电源型号以保证正确的线路 能量消耗 运行时需200瓦特,离子枪关闭时需100瓦特 气体需求 氩气 70psi (4.82 bar) 替代气体(其它惰性)20psi (1.38 bar) 碘蒸汽用于反应离子束刻蚀(结晶碘由用户自行提供) 保修 一年 斜面切割工具 斜面切割工具是标准PECS载台的一个直接替代工具 Gatan的精密刻蚀镀膜仪(PECS)是一个多功能的仪器,根据操作条件和参数提供各种功能应用于透射电镜和扫描电镜。这些特点包括离子束清洗、平滑、细化、选择性刻蚀、溅射镀膜和斜面切割。单独使用斜面切割得不到高质量图像适应当今扫描应用所需;但当配合使用PECS,其独特切割、刻蚀和镀膜一体的特点使得样品图像具有高清晰度和高质量。 什么是离子束斜面切割? 斜面切割技术是一个样品使用平行离子溅射后,再由一个屏幕观测器检测其明显边界,在未溅射部分与溅射部分之间进行斜面切割。这个斜面切穿材料而且无变形。使用离子束切割的时候,因为离子束是从上方打下来,不可以选择刻蚀的区域。无论什么样的材料,都可以被切割成一个平滑的表面。摇动样品可避免折皱。 斜面切割基本原理 斜面切割使用的材料: l 难刨光软性材料:铜、铝、金、铅或无铅焊料。 l 难切割硬性材料:陶瓷、碳化物和这些材料的复合材料。 由斜面切割工具制得的横截面部分适合于能谱仪、波谱仪、螺旋钻和EBSD分析、观察和测量,也适合多层结构测量。 离子束斜面切割表面可以进一步改进离子束额外的加工步骤。定向短离子特定轰击斜面有助于消除再沉积,也有助于选择性刻蚀切割面以增强内部颗粒和相结构的清晰度。 型号682 PECS斜面切割 PECS斜面切割技术 PECS斜面切割在横截面刨光类(CP)工具中具有多重优点。 离子束加工三个步骤: 步骤一:斜面切割 步骤二:选择性刻蚀 步骤三:如需要溅射镀膜 步骤一 斜面切割 PECS的优点: 1. 切割90° 横截面部分(半导体) 2. 切割45° 横截面部分(均相/非均相) 3. 切割30° 横截面部分(均相/非均相) 4. 长切割长度 8mm(相对于1.5mm) 5. 切割的深度由以下因素决定 l 离子束电压(2.5keV - 10.0keV) l 离子束电流(10.0keV下最大610 uA) l 材料 l 时间 6. 由于PECS斜面切割工具不能破坏初级上层表面因此使用3D观测器观察各相异性固相结构,进一步提高样品检测结果: l SEM顶部观测(初级表面) l SEM观察切割斜面 l SEM观察溅射范围 步骤二 选择性刻蚀(不适用于横截面刨光类工具) 1. 选择性离子束刻蚀和/或刨光 l 能够装饰切割表面 l 揭露内部颗粒/相结构 l 刻蚀确定表面分布 2. 离子束刻蚀可选择多种气体 l 氩气 l 疝气 l 氪气 l 碘蒸汽 步骤三 溅射镀膜(不适用于横截面刨光类工具) 1. 如需要溅射镀膜 2. 高分辨率显微镜离子束镀膜消除电荷 3. 超过20种耙材可供选择 PECS刻蚀和斜面切割应用 1. 控制样品去除材料时无机械损伤(深度压型或免除机械损坏)。 2. 通过惰性气体或反应离子选择性离子束刻蚀多晶体和不同种类材料的颗粒,相,缺陷结构。 3. 离子束斜面切割(IBSC)对于大部分试样材料(金属、合金、复合材料、半导体、陶瓷、高分子、生物材料),都可以在显微镜下精确选定的位置无损切割任何所需角度的表面。 l 界面(硬/软材料组合) l 层体系(厚、薄膜技术) l 改进近表面地区(如变形、放射或腐蚀) l 微观结构(集成电路、化学键接触) l 非大量材料(多孔材料、金属丝、粉末、独立的金属箔片)。 4. 扫描电镜中观察所用的绝缘体需通过离子束溅射镀膜覆盖来导电或为了其他原因(离子束斜面切割之前样品表面需镀膜用以保存或标明原样品表面)。 一般同类产品的工具其特殊功能只有一个 - 离子束垂直切割通过不同种类样本。而PECS则不同,它可以随意选择刻蚀或溅射镀膜工艺。和其他工具相比PECS具有多功能、多重处理功能的特点,各类样品和应用领域都可以使用,并且PECS还可以容纳更大尺寸的样品。

伯东公司德国普发Pfeiffer真空镀膜机

伯东公司德国普发Pfeiffer真空镀膜机

  • 品牌: 德国普发真空
  • 型号: classic
  • 产地:德国
  • 供应商:伯东企业(上海)有限公司

    伯东公司授权代理德国普发pfeiffer 镀膜机-灵活设计适合技术研究、开发和生产,可实现高真空蒸发镀膜,磁控溅射镀膜,离子镀.Pfeiffer Classic 系列镀膜机(高真空镀膜系统)经过大量实验和技术知识积累研发设计,通过ISO 9001认证, ISO 14001认证,低能耗主要应用领域: 半导体,光学,微电子学,显示屏,光电工程,表面处理等行业.Pfeiffer 镀膜机主要型号包含:Pfeiffer Classic 250 镀膜机(科研,小型研发)Pfeiffer Classic 500 镀膜机(科研,小规模生产)Pfeiffer Classic 570 镀膜机 (批量生产)Pfeiffer Classic 580 镀膜机 (生产线大批量生产)Pfeiffer Classic 590 镀膜机 (高吞吐量,通用的制造系统,满足最高工业需求)Pfeiffer Classic 620 镀膜机 (最大吞吐量)伯东公司pfeiffer 德国普发镀膜机 Classic 500,选用pfeiffer分子泵 Hipace 700,可定制,我司将竭诚为您服务pfeiffer 德国普发镀膜机 Classic 500 技术参数:真空腔体容量150 l内部尺寸500 mm高度575 mmDoor OpeningW x H 500 x 575 mm整机漏率<1x10-5 mbar x l /s最终压力<5x10-7 mbar高真空泵组(标准型)分子泵Hipace 700隔膜泵MD4旋片泵DUO 20真空测量全量程真空计电源电压3 x 400 V频率50/60 HZ水冷Chamber Usage approx (a)500 l/hPump Set Usage approx (a)15 l/h进气温度25 °C压力4 6 barIn- and Outlet Nipple3/4"Hot WaterChamber Usage approx (a)500 l/h进气温度70 °C压力4 6 barIn- and Outlet Nipple3/8"尺寸占地面积1.4 m2L x W x H1,4 x 1 x 1,9 m重量600 kg最大环境温度40 °C伯东公司 主要经营产品 德国 Pfeiffer 涡轮分子泵, 干式真空泵, 罗茨真空泵, 旋片真空泵; 应用于各种条件下的 真空测量(真空计, 真空规管); 氦质谱检漏仪;质谱分析仪;真空系统以及 Cryopump 冷凝泵/低温泵, HVA 真空阀门, Polycold 冷冻机和美国KRI 离子源.若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请登录我们网站: www.hakuto-vacuum.cn或与市场部: 叶南 小姐联系Tel: 86-21-5046-3511转106Fax: 86-21-50461490Mobile: 86 13816124243E-mail: ec@hakuto-vacuum.cn

108镀膜仪

108镀膜仪

  • 品牌: 美国泰德派勒
  • 型号: 108Auto
  • 产地:美国
  • 供应商:北京中兴百瑞技术有限公司

    技术参数:l自动的换气与泄气功能,可以得到一致的膜厚,和最佳的导电喷镀效果。l通过高效低压直流磁控头进行冷态精细的喷镀过程,避免样品表面受损。l操作容易快捷,可全自动或手动进行喷镀操作,控制的参数包括自动放气以及氩气换气控制。l在自动模式下,可通过两种方式进行控制镀膜过程。可通过数字显示器控制得到可重现的喷镀效果,l数字化的喷镀电流控制不受样品室内氩气压力影响,可得到一致的镀膜速率和最佳的镀膜效果。l可使用多种金属靶材:Au,Au/Pd,,Pt,,Pt/Pd(Au靶为标配),靶材更换快速方便。l样品室大小:直径120mmx120mm高(4.75x4.75")l样品台:可以装载12个SEM样品座,高度可调范围为50mml溅射控制:微处理器控制,安全互锁,可调,最大电流40mA,程序化数字控制l溅射头:低电压平面磁控管,靶材更换快速,环绕暗区护罩l模拟计量:真空:Atm-0.001mbar,电流:0-50mAl控制方法:自动气体换气和泄气功能,自动处理排序,带有“暂停”控制的数字定时器(5-300s),自动放气.整个操作亦可全手动控制。l真空泵:原装进口,抽气速率:6.0m3/小时,真空度到0.1mb所需时间30秒.l桌上系统:真空泵可置于抗震台上,全金属集成耦合系统l保修期:免费保修一年

VTC-200真空旋转涂膜机

VTC-200真空旋转涂膜机

  • 品牌: 沈阳科晶
  • 型号: VTC-200
  • 产地:
  • 供应商:沈阳科晶自动化设备有限公司

    VTC-200真空旋转涂膜机主要应用于大专院校、科研院所的实验室中的薄膜形成。本机利用高速旋转使粘滞系数较大的胶体、溶液等材料均匀地涂覆在样件表面。主要特点1、二段程序控制速度。2、真空吸附方式固定样件,操作简便。3、采用铸铝结构,运行稳定、噪音低。技术参数1、功率:70W2、转速:500-6000rpm3、时间:1-60s4、真空泵流速:>60L/min产品规格尺寸:500mm×400mm×400mm重量:30kg标准配件1、真空吸盘2、滴液器3、无油真空泵可选配件过滤器(真空泵用)

镀膜机招标信息

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