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Chemcut - 湿法蚀刻设备
品牌:美国Chemcut
型号:Chemcut 2300 系列
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Plasma Stripper (Asher) 等离子去胶机
品牌:牛津仪器
型号:Plasma Stripper
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Ionfab 300 IBE 牛津离子束刻蚀机
品牌:牛津仪器
型号:Ionfab 300 IBE
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PlasmaPro 100 Estrelas牛津深硅刻蚀系统
品牌:牛津仪器
型号:PlasmaPro 100 Estrelas
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德国SENTECH电感耦合等离子体ICP干法刻蚀系统 SI500
品牌:德国Sentech
型号:SI500
- 产品品牌
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离子束刻蚀机
- 品牌:美国Nano-Master
- 型号: NIE-4000,NIR-4000 IBE/RIE
- 产地:美国
NIE-4000 离子束刻蚀系统,NIR-4000 IBE/RIE 双刻蚀系统,通过加速的 Ar 离子进行物理刻蚀或铣削。对于硅的化合物也可以通过反应离子束刻蚀的方式提高刻蚀速率和深宽比。
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美国Trion Technology反应式离子刻蚀(RIE/ICP)系统及沉积(PECVD)系统
- 品牌:美国Trion
- 型号: RIE/ICP
- 产地:美国
美国Trion Technology反应式离子刻蚀(RIE/ICP)系统及沉积(PECVD)系统Trion始于一九八九年的等离子刻蚀与沉积系统制造商,Trion为化合物半导体、MEMS(微机电系统)、光电器件以及其他半导体市场提供多种设备。我们的产品在业内以系统占地面积最小、成本低而著称,且设备及工艺的可靠性和稳定性久经考验。从整套的批量生产用设备,到简单的实验室研发用系统,尽在Trion。 Trion提供升级及回收方案给现有Matrix客户。批量生产用设备:去胶系统- 低损伤去胶系统新式去胶系
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Nano-Master离子束刻蚀系统NIE-4000
- 品牌:美国Nano-Master
- 型号: NIE-4000
- 产地:美国
NIE-4000 离子束刻蚀系统,NIR-4000 IBE/RIE 双刻蚀系统,通过加速的 Ar 离子进行物理刻蚀或铣削。对于硅的化合物也可以通过反应离子束刻蚀的方式提高刻蚀速率和深宽比。
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Chemcut - 湿法蚀刻设备
- 品牌:美国Chemcut
- 型号: Chemcut 2300 系列
- 产地:美国
产品简介 导线框架(QFN)和BGA背蚀刻和半蚀刻系统 硷性蚀刻:•蚀刻速率:25 - 40 um / min,适用於厚铜(15um以上)蚀刻技术。•低侧蚀。•金属(镍/金)镀层无损坏。 酸性蚀刻: •蚀刻速率:5-10微米/分钟,适用於簿铜(15um以下)蚀刻技术。•高侧蚀。•可能会损坏金属(镍/金)电镀。 Chemcut
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Gatan 精密刻蚀镀膜系统PECS II 685
- 品牌:美国Gatan
- 型号: PECS II 685
- 产地:美国
Gatan公司的精密刻蚀镀膜仪 (PECS™) II 是一款桌面型宽束氩离子抛光及镀膜设备。对于同一个样品,可在同一真空环境下完成抛光及镀膜。
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上海伯东 KRI 考夫曼离子源 KDC 75
- 品牌:美国KRI
- 型号: KDC 75
- 产地:美国
上海伯东代理美国原装进口 KRI 考夫曼离子源 KDC 75:紧凑栅极离子源,离子束直径 14 cm ,可安装在 8“CF法兰. 适用于中小型腔内. 考夫曼离子源 KDC 75 包含2个阴极灯丝, 其中一个作为备用,KDC 75 提供紧密聚焦的电子束特别适合溅射镀膜. 标准配置下离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 250 mA.
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上海伯东大口径射频离子源 RFICP 380
- 品牌:美国KRI
- 型号: RFICP 380
- 产地:美国
上海伯东美国 KRi 大口径射频离子源 RFICP 380, 3层栅极设计, 栅极口径 38cm, 提供离子动能 100-1200eV 宽束离子束, m a x离子束流 > 1000mA, 满足 300 mm (12英寸)晶圆应用. KRi 射频离子源 RFICP 380 特性 1. 放电腔 Discharge Chamber, 无需电离灯丝, 通过射频技术提供高密度离子, 工艺时间更长. 2kW & 1.8 MHz, 射频自动匹配 2. 离子源结构模块化设计 3. 离子光学, 自对准技术, 准直光束设计, 自动调节技术保障栅极的使用寿命和可重复的工艺运行 4. 全自动控制器 5. 离子束动能 100-1200eV 6. 栅极口径 38cm, 满足 300 mm (12英寸)晶圆应用
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反应离子刻蚀系统
- 品牌:美国Rocky Mountain
- 型号: RIE
- 产地:美国
RE系列反应离子蚀刻系统带有淋浴头式样的气体分配系统及水冷射频压盘,柜体为不锈钢材质。
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上海伯东代理美国 KRi 考夫曼品牌离子源RF2100ICP
- 品牌:美国KRI
- 型号: 考夫曼离子源
- 产地:美国
上海伯东代理美国 KRi 考夫曼品牌离子源, 推出 RF2100ICP Plasma Source 射频等离子体源及配套控制器, RF2100 等离子体放电, RFICP 在 2MHz, 电子自动匹配, 固定匹配网络. 离子源 RF2100ICP 适用于预清洁, 氧化和氮化处理, 辅助沉积, 以及各类半导体材料, 磁性金属等的制备.
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电子束蒸发镀膜机 NEE-4000(A)全自动电子束蒸发系统 那诺-马斯特
- 品牌:美国那诺-马斯特
- 型号: NEE-4000(A)
- 产地:美国
NEE-4000电子束蒸发系统为双腔配置,样品台位于主腔体,二级腔体则用于安置电子束源。两腔体之间的门阀作为预真空锁,使得电子束源腔体保持真空的情况下,通过主腔放入基片到样平台(或夹具)上或从中取出。自动装/卸载基片可通过第三方的预真空锁实现。通过PC计算机控制,系统可以提供多电子束源的共蒸发能力,以及对组分或组分梯度进行编程的能力。
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上海伯东代理美国原装进口 KRI 考夫曼型离子源 RFICP 40
- 品牌:美国KRI
- 型号: RFICP 140
- 产地:美国
上海伯东代理美国原装进口 KRI 考夫曼型离子源 RFICP 40 : 目前 KRI 射频离子源 RFICP 系列尺寸zui小, 低成本GX离子源. 适用于集成在小型的真空腔体内
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刻蚀设备 NDR-4000(A)全自动DRIE深反应离子刻蚀 那诺-马斯特
- 品牌:美国那诺-马斯特
- 型号: NDR-4000(A)
- 产地:美国
全自动上下载片,带低温晶圆片冷却和偏压样品台的深硅刻蚀系统,带8“ ICP源。系统配套500L/S抽速的涡轮分子泵,可以使得工艺压力达到几mTorr的水平。在低温刻蚀的技术下,系统可以达到硅片的高深宽比刻蚀。
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上海伯东 KRI 考夫曼离子源 KDC 10
- 品牌:美国KRI
- 型号: KDC 10
- 产地:美国
KRI 考夫曼离子源 KDC 10 应用领域 离子清洗, 显微镜抛光 IBP 溅镀和蒸发镀膜 PC 辅助镀膜(光学镀膜) IBAD 表面改性, 激活 SM 离子溅射沉积和多层结构 IBSD 离子蚀刻 IBE
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上海伯东 KRI 射频离子源 RFICP 140
- 品牌:美国KRI
- 型号: RFICP 140
- 产地:美国
上海伯东代理美国原装进口 KRI 射频离子源 RFICP 140 是一款紧凑的有栅极离子源, 非常适用于离子束溅射沉积, 离子辅助沉积和离子束刻蚀. 在离子束溅射工艺中,射频离子源 RFICP 140 配有离子光学元件, 可以很好的控制离子束去溅射靶材, 实现完美的薄膜特性. 同样的在离子束辅助沉积和离子束刻蚀工艺中, 最佳的离子光学元件能够完成发散和聚集离子束的任务. 就标准的型号而言, 可以在离子能量为 100~1000 eV 范围内获得很高的离子密度. 可以输出 600 mA max离子流
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上海伯东代理 KRI 霍尔离子源 eH 1000
- 品牌:美国KRI
- 型号: eH 1000
- 产地:美国
上海伯东代理美国原装进口 KRI 霍尔离子源 eH 1000 高效气体利用, 低成本设计提供高离子电流, 特别适合中型真空系统. 通常应用于离子辅助镀膜, 预清洗和低能量离子蚀刻. 尺寸: 直径= 5.7“ 高= 5.5” 放电电压 / 电流: 50-300V / 10A 操作气体: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有机前体 KRI 霍尔离子源 eH 1000 特性: • 可拆卸阳极组件 - 易于维护; 维护时, 最大限度地减少停机时间; 即插即用备用阳极 • 宽波束高放电电流 - 高电流密度; 均匀的蚀刻率; 刻蚀效率高; 高离子辅助镀膜 IAD 效率 • 多用途 - 适用于 Load lock / 超高真空系统; 安装方便; 无需水冷 • 高效的等离子转换和稳定的功率控制
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上海伯东 KRI 霍尔离子源 eH 400
- 品牌:美国KRI
- 型号: eH 400
- 产地:美国
上海伯东代理美国原装进口 KRI 霍尔离子源 eH 400 低成本设计提供高离子电流, 霍尔离子源 eH 400 尺寸和离子能量特别适合中小型的真空系统, 可以控制较低的离子能量, 通常应用于离子辅助镀膜, 预清洗和低能量离子蚀刻. 尺寸: 直径= 3.7“ 高= 3” 放电电压 / 电流: 50-300eV / 5安培 操作气体: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有机前体 KRI 霍尔离子源 eH 400 特性: • 可拆卸阳极组件 - 易于维护; 维护时, 最大限度地减少停机时间; 即插即用备用阳极 • 宽波束高放电电流 - 均匀的蚀刻率; 刻蚀效率高; 高离子辅助镀膜 IAD 效率 • 多用途 - 适用于 Load lock / 超高真空系统 • 高效的等离子转换和稳定的功率控制
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上海伯东射频离子源 RFICP 220
- 品牌:美国KRI
- 型号: RFICP 220
- 产地:美国
上海伯东代理美国原装进口 KRI 射频离子源 RFICP 220 高能量栅极离子源, 适用于离子溅镀, 离子沉积和离子蚀刻. 在离子束溅射工艺中, 射频离子源 RFICP 220 配有离子光学元件, 可以很好的控制离子束去溅射靶材, 实现完美的薄膜特性. 同样的在离子束辅助沉积和离子束刻蚀工艺中, 最佳的离子光学元件能够完成发散和聚集离子束的任务. 标准配置下射频离子源 RFICP 220 离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 800 mA.
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NMC ICP反应离子刻蚀机
- 品牌:北京华测
- 型号: NMC ICP
- 产地:美国
反应离子刻蚀机主要用于介质薄膜干法刻蚀,包括SiO2、Si3N4、SiON、SiC等
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等离子刻蚀机PlasmaStar 100
- 品牌:美国AXIC
- 型号: PlasmaStar 100/100RIE
- 产地:美国
PlasmaSTAR®系列等离子处理系统适合处理所有的材料,拥有多种腔室和电极配置,可满足不同的等离子工艺和基片尺寸。占地面积小,用于各种等离子工艺的模块化腔室和电极配置。此外,触摸屏计算机控制,多级程序控制和组件控制,操作简单。PlasmaSTAR®模块化腔室和电极组件是该系统的独特功能。 腔室材料是硬质阳极氧化铝, 有几种不同的电极设计,包括用于反应离子刻蚀(RIE)和平面处理的水冷平板电极,用于表面清洗或处理的交替多层托盘电极,用于最小化离子损伤的下游电极,和用于普通的圆柱形笼式电极。1、腔体尺寸:
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上海伯东 考夫曼离子源 e-Mission Filament
- 品牌:美国KRI
- 型号: e-Mission Filament
- 产地:美国
离子源 e-Mission 上海伯东美国 KRI 考夫曼离子源提供多个类型的低能量高密度的电子源, 从简单的热电子灯丝模式到中空阴极模式,典型应用在等离子和离子工艺中的阴极和阳极中和器, 通过专利技术完成电子的发射, 测量和束流控制, 广泛应用于对静电敏感和电介质材料领域.
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上海伯东代理美国原装进口 KRI 霍尔离子源 eH200
- 品牌:美国KRI
- 型号: eh
- 产地:美国
上海伯东代理美国原装进口 KRI 霍尔离子源 eH200 是霍尔离子源型 eH 系列中尺寸最小, 低成本设计离子源. 霍尔离子源 eH200 适用于小型真空腔内, 例如研发分析, 薄膜沉积和离子清洗. 霍尔离子源 eH200 操作简单是理想的生产工具.
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上海伯东 KRI 霍尔离子源 eH 3000
- 品牌:美国KRI
- 型号: eH 3000
- 产地:美国
上海伯东代理美国原装进口 KRI 霍尔离子源 eH 3000 最适合大型真空系统, 与友厂大功率离子源对比, eH 3000 是目前市场上最 高效, 提供较高离子束流的离子源. 尺寸: 直径= 9.7“ 高= 6” 放电电压 / 电流: 50-300V / 20A 操作气体: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有机前体
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离子束刻蚀机 NIM-4000(A)全自动离子铣刻蚀 那诺-马斯特
- 品牌:美国那诺-马斯特
- 型号: NIM-4000(A)
- 产地:美国
NIM-4000(A)全自动离子铣刻蚀:利用离子束轰击固体表面的溅射作用,剥离加工各种几何图形,通过大面积离子源产生的离子束,可对固体材料溅射刻蚀,对固体器件进行微细加工。
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干法刻蚀机 NIM-4000(M)离子铣刻蚀系统 那诺-马斯特
- 品牌:美国那诺-马斯特
- 型号: NIM-4000(M)
- 产地:美国
NIM-4000(M)离子铣刻蚀系统:利用离子束轰击固体表面的溅射作用,剥离加工各种几何图形,通过大面积离子源产生的离子束,可对固体材料溅射刻蚀,对固体器件进行微细加工。
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离子束刻蚀机 NIE-4000(A)全自动IBE离子束刻蚀 那诺-马斯特
- 品牌:美国那诺-马斯特
- 型号: NIE-4000(A)
- 产地:美国
NIE-4000(A)全自动IBE离子束刻蚀:如铜和金等金属不含挥发性化合物,这些金属的刻蚀无法在RIE系统中完成。然而通过加速的Ar离子进行物理刻蚀则是可能的。通常情况下,样品表面采用厚胶作为掩模层,刻蚀期间富有能量的离子流会使得基片和光刻胶过热。除非可以找到有效的方式消除热量,否则光刻胶将变得非常难以去除。
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离子束刻蚀机 NIE-3500(M)IBE离子束刻蚀 那诺-马斯特
- 品牌:美国那诺-马斯特
- 型号: NIE-3500(M)
- 产地:美国
NIE-3500(M)IBE离子束刻蚀:是一款手动放片/取片,但工艺过程为全自动计算机控制的紧凑型独立的立柜式离子束刻蚀系统,可以用于表面清洗、表面处理、离子铣。
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电子束刻蚀 NIE-3500(R)RIBE反应离子束刻蚀 那诺-马斯特
- 品牌:美国那诺-马斯特
- 型号: NIE-3500(R)
- 产地:美国
NIE-3500(R)RIBE反应离子束刻蚀:可以用于光栅刻蚀,SiO2二氧化硅、Si 硅以及金属等的深槽刻蚀。此外,还可以用于表面清洗、表面处理、离子铣。系统可以兼容反应气体以及非反应气体,比如Ar,O2,CF4,Cl2等。
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离子束刻蚀 NIE-4000IBE离子束刻蚀系统 那诺-马斯特
- 品牌:美国那诺-马斯特
- 型号: NIE-4000
- 产地:美国
NIE-4000IBE离子束刻蚀系统:如铜和金等金属不含挥发性化合物,这些金属的刻蚀无法在RIE系统中完成。然而通过加速的Ar离子进行物理刻蚀则是可能的。通常情况下,样品表面采用厚胶作为掩模层,刻蚀期间富有能量的离子流会使得基片和光刻胶过热。除非可以找到有效的方式消除热量,否则光刻胶将变得非常难以去除。NANO-MASTER技术已经证明了可以把基片温度控制在50° C以内。
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等离子刻蚀 NRE-3000型RIE-PE刻蚀机 那诺-马斯特
- 品牌:美国那诺-马斯特
- 型号: NRE-3000
- 产地:美国
PC控制的RIE刻蚀PE刻蚀系统,淋浴头气体分布装置以及水冷RF样品,不锈钢柜子及13“的上盖式圆柱形铝腔,便于晶圆片装载.腔体有两个端口:一个带有2“的视窗,另一个空置用于诊断.该系统可以支持Z大到12“的晶圆片。腔体为超净设计,真空泵可以达到10-6 Torr 或更小的极限真空。可以在20mTorr到8Torr之间的真空下工作。
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那诺-马斯特 NIE-3500(A)全自动IBE离子束刻蚀
- 品牌:美国那诺-马斯特
- 型号: NIE-3500(A)
- 产地:美国
是一款自动放片/取片,并且工艺过程为全自动计算机控制的紧凑型独立的立柜式离子束刻蚀系统,可以用于表面清洗、表面处理、离子铣。
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那诺-马斯特 NIE-4000(M)IBE离子束刻蚀
- 品牌:美国那诺-马斯特
- 型号: NIE-4000(M)
- 产地:美国
如铜和金等金属不含挥发性化合物,这些金属的刻蚀无法在RIE系统中完成。然而通过加速的Ar离子进行物理刻蚀则是可能的。通常情况下,样品表面采用厚胶作为掩模层,刻蚀期间富有能量的离子流会使得基片和光刻胶过热。除非可以找到有效的方式消除热量,否则光刻胶将变得非常难以去除。
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刻蚀机 NRE-4000(A)全自动反应离子刻蚀 那诺-马斯特
- 品牌:美国那诺-马斯特
- 型号: NRE-4000(A)
- 产地:美国
独立式RIE反应离子刻蚀系统,淋浴头气体分布装置以及水冷RF样品,不锈钢柜子以及13“的上盖式圆柱形铝腔,便于晶圆片装载.腔体有两个端口:一个带有2“的视窗,另一个空置用于诊断.该系统可以支持Z大到12"的晶圆片。腔体为超净设计,并且根据配套的真空泵可以达到10-6 Torr 或更小的极限真空。该系统系统可以在20mTorr到8Torr之间的真空下工作。
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反应离子刻蚀 RIE刻蚀机 那诺-马斯特
- 品牌:美国那诺-马斯特
- 型号: RIE刻蚀机
- 产地:美国
RIE刻蚀机概述:RIE系统,配套有淋浴头气体分布装置以及水冷RF样品.具有不锈钢柜子以及13"的上盖式圆柱形铝腔,便于晶圆片装载.腔体有两个端口:一个带有2"的视窗,另一个空置用于诊断.该系统可以支持大到12”的晶圆片。腔体为超净设计,并且根据配套的真空泵可以达到10-6 Torr 或更小的极限真空。该系统系统可以在20mTorr到8Torr之间的真空下工作。真空泵组包含一个节流阀,一个250l/s的涡轮分子泵,滤网过滤器,以及一个10cfm的机械泵(带Formblin泵油).RF射频功率通过600W,13.56MHz的电源和自动调谐器提供。系统将持续监控直流自偏压,该自偏压可以高达-500V.这对于各向异性的刻蚀至关重要。
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上海伯东 KRI 霍尔离子源 eH 2000
- 品牌:美国KRI
- 型号: KRI
- 产地:美国
上海伯东代理美国原装进口 KRI 霍尔离子源 eH 2000 是一款更强大的版本, 带有水冷方式, 他具备 eH 1000 所有的性能, 低成本设计提供高离子电流, 特别适合大中型真空系统. 通常应用于离子辅助镀膜, 预清洗和低能量离子蚀刻. 尺寸: 直径= 5.7“ 高= 5.5” 放电电压 / 电流: 50-300V / 10A 或 15A 操作气体: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有机前体
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上海伯东 KRI 考夫曼离子源 KDC 160
- 品牌:美国KRI
- 型号: KDC 160
- 产地:美国
上海伯东代理美国原装进口 KRI 考夫曼离子源 KDC 160是目前考夫曼 KDC 系列最大,离子能量最强的栅极离子源, 适用于已知的所有离子源应用, 离子源 KDC 160 高输出设计,最大电流超过 1000 mA. 无需水冷, 降低安装要求并排除腔体漏水的几率, 双阴极设计,标准配置下离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 800 mA.
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上海伯东 KRI 霍尔离子源 eH 200
- 品牌:美国KRI
- 型号: KRI 霍尔离子源 eH 200
- 产地:美国
上海伯东代理美国原装进口 KRI 霍尔离子源 eH200 是霍尔离子源型 eH 系列中尺寸最小, 低成本设计离子源. 霍尔离子源 eH200 适用于小型真空腔内, 例如研发分析, 薄膜沉积和离子清洗. 霍尔离子源 eH200 操作简单是理想的生产工具.
- 离子束刻蚀系统
- 仪器网导购专场为您提供离子束刻蚀系统功能原理、规格型号、性能参数、产品价格、详细产品图片以及厂商联系方式等实用信息,您可以通过设置不同查询条件,选择满足您实际需求的产品,同时导购专场还为您提供精品优选离子束刻蚀系统的相关技术资料、解决方案、招标采购等综合信息。