气相沉积系统气相沉积系统是半导体工业中应用最为广泛的用来沉积多种材料的技术,包括大范围的绝缘材料,大多数金属材料和金属合金材料。气相沉积系统是传统的制备薄膜的技术,其原理是利用气态的先驱反应物,通过原子、分子间化学反应,使得气态前驱体中的某些成分分解,而在基体上形成薄膜。气相沉积系统包括常压化学气相沉积、等离子体辅助化学沉积、激光辅助化学沉积、金属有机化合物沉积等。
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快速热化学气相沉积系统(RTCVD)
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快速热化学气相沉积系统 (RTCVD)生产商:韩国EcopiaRTCVD快速热化学气相沉积设备广泛用于多晶硅、氧化硅、氮化硅等常见半导体薄膜的沉积和制备。性能和特点:- 温度范围:室温 ~ 1500°C;- 升温速度:200°C/s;- 气体混合能力(带有质量流量计);- 真空度:~10-6Torr;
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低压化学气相沉积设备(LPCVD)产地:韩国Ecopia;有单管和双管两个不同的型号,用于科研或者小规模生产。性能和特点: - 温度范围:500 ~ 1000摄氏度;- 气体混合能力(带有质量流量计);- 真空范围:~ 10-6 Torr;典型应用:- 无应力氮化硅;- LPCVD;- 退火;- 氧化;- 其他...
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