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微波等离子化学气相沉积系统-MPCVD
品牌:德国iplas
型号:iplas CYRANNUS
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超高真空多腔室物理气相沉积系统
品牌:美国PVD
型号:4000
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NLD-3500 (A) ,全自动原子层沉积系统
品牌:美国Nano-Master
型号:NLD-3500(A),
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德国iplas微波等离子化学气相沉积 Cyrannus 1-16" 915MHz 系统
品牌:德国iplas
型号:Cyrannus 1-16" 915MHz 系统
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德国IPLAS 微波等离子化学气相沉积系统CYRANNUS
品牌:德国iplas
型号:iplas 微波等离子化学气相沉积系统
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激光分子束外延分析系统 180 Laser MBE/PLD
- 品牌:美国Neocera
- 型号: 180 Laser MBE/PLD
- 产地:美国
独立的MAPLE PLD系统 有机和聚合物薄膜的沉积 在同一室的附加沉积源(可选): 脉冲电子沉积(PED),射频/直流溅射和直流离子源 Load-lockable衬底阶段 与XPS分析系统集成,直接将晶片从PLD系统转移到分析系统
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YES-自动硅烷单层沉积系统
- 品牌:美国YES
- 型号: YES VertaCoat
- 产地:美国
将拥有成本降低30%以上,同时ZDCD地减少自动化大批量生产中的化学用量。将VertaCoat配置为适用于各种需要精确表面修饰,高产量和可靠性的应用。
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YES-EcoCoat硅烷单层气相沉积系统
- 品牌:美国YES
- 型号: YES-EcoCoat
- 产地:美国
具有原位等离子体的硅烷单层气相沉积系统
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Denton 等离子体增强型化学气相沉积 PE-CVD
- 品牌:美国Denton Vacuum
- 型号: DentonPE-CVD
- 产地:美国
PE-CVD解决方案与典型CVD反应器相比,等离子体增强型化学气相沉积(PE-CVD)提供了一种可使用更低温度沉积各种薄膜的有效替代方案,同时不会降低薄膜质量。高质量的二氧化硅(SiO2)膜可以在300℃至350℃沉积,而CVD需要650℃至850℃的温度生产类似质量的镀膜。PE-CVD使用电能产生辉光放电(等离子体),其中能量转移到气体混合物中。
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NLD-3500 (A) ,全自动原子层沉积系统
- 品牌:美国Nano-Master
- 型号: NLD-3500(A),
- 产地:美国
NLD-3500(A)全自动原子层沉积系统概述:原子层沉积是一项沉积薄膜的重要技术,具有广泛的应用。ALD原子层沉积可以满足精确膜厚控制以及高深宽比结构的保形沉积,这方面ALD原子层沉积远超过其它沉积技术。由于前驱体流量的随意性不会带来影响,所以在ALD原子层沉积中有序、自限制的表面反应将会带来非统计的沉积。这使得ALD原子层沉积膜保持高度的光滑、连续以及无孔的特性,可以提供ZY的薄膜性能。
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脉冲激光沉积系统 Pioneer 180 MAPLE PLD
- 品牌:美国Neocera
- 型号: Pioneer180MAPLEPLD
- 产地:美国
基质辅助脉冲激光蒸发(MAPLE)是PLD的一种变体。这是由NRL集团新引入的技术,以促进某些功能有机材料的薄膜沉积。基于UV (5-6 eV)的传统PLD技术中,光化学反应可能会恶化有机分子、聚合物等的功能。而在MAPLE中,通过将待沉积的有机物(或聚合物)与吸收激光波长的溶剂(基质)混合来制备特殊的靶。除了光学吸收外,在沉积条件下的高蒸气压是基质的先决条件。
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NPE-3500 PECVD等离子体化学气相沉积系统
- 品牌:美国Nano-Master
- 型号: NPE-3500PECVD
- 产地:美国
NPE-3500 PECVD等离子体化学气相沉积系统概述:NANO-MASTER PECVD系统能够沉积高质量的SiO2, Si3N4, 或DLC薄膜到ZD可达12” 直径的基片上.该系统采用淋浴头电极或中空阴极射频等离子源来产生等离子,具有分形气流分布的优势.样品台可以通过RF或脉冲DC产生偏压。
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金属有机化合物化学气相沉积
- 品牌:美国Rocky Mountain
- 型号: MOCVD
- 产地:美国
其反应器的设计可以根据工艺的需要很容易提升到满足大直径晶片生产的需要。
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金属有机化合物化学气相沉积
- 品牌:美国Rocky Mountain
- 型号: MOCVD
- 产地:美国
※ 应用方向:氧化物、氮化物、碳化物、二维硫族化合物 等。 ※ MOCVD系统使用固体、液体金属有机源,在不同衬底上沉 积氧化物 氮化物 III-V族和II-VI族膜层。 ※ 1~4英寸MOCVD系统。 ※ 专为满足科研单位需求而设计。 ※ MOCVD配有前驱体直接处理单元,用于外延材料的研发 和制备。 ※ MOCVD腔室中的红外灯加热系统可实现在线退火工艺。 ※ 高性价比,满足多种应用需求。
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超高真空多腔室物理气相沉积系统
- 品牌:美国PVD
- 型号: 4000
- 产地:美国
该系统由全球专业的沉积设备商制造,配置多种沉积方式(预留各种功能接口),高度灵活,非常适合多种沉积模式的科研.
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等离子体增强化学气相沉积系统
- 品牌:美国PVD
- 型号: G 4000
- 产地:美国
PECVD:是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电离,在局部形成等离子体,而等离子体化学活性很强,很容易发生反应,在基片上沉积出所期望的薄膜。为了使化学反应能在较低的温度下进行,利用了等离子体的活性来促进反应,因而这种CVD称为等离子体增强化学气相沉积(PECVD).
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高级型脉冲激光沉积系统 Pioneer 120 Advanced PLD
- 品牌:美国Neocera
- 型号: Pioneer 120 Advanced PLD
- 产地:美国
独立的交钥匙PLD系统。 外延薄膜、多层异质结构和超晶格的沉积。 利用原位RHEED诊断技术沉积纳米级薄膜。 氧化膜沉积的氧相容性。 升级:负载锁定,激光加热器,RF/DC溅射,组合PLD 与超高真空溅踱系统集成。 与XPS /ARPES超高真空集群工具集成。
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组合型脉冲激光沉积系统 Combinatorial PLD System
- 品牌:美国Neocera
- 型号: Combinatorial PLD System
- 产地:美国
连续组成扩展功能(CCS)可在单次沉积中沉积很多不同组分的材料,大大缩短了沉积不同组分材料合成新材料的时间, 实现合成材料组分的优化。PLD-CCS 系统能以连续的方式改变材料,没有必要使用掩模。可以在每一次循环中,以小于 一个单分子层的速率,快速连续沉积每一种组份,其结果是类似于共沉积法。该法无需在沉积后进行退火促进内部扩散或 结晶,对于生长温度是关键参数的研究或者被沉积的材料或基片不适合高温退火的情况是非常有帮助的。Neocera 公司 PLD 系统可在同一个系统上实现带有连续组成扩展功能(CCS-PLD)和标准型 PLD 功能。
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脉冲激光沉积系统 Pioneer 120 PLD System
- 品牌:美国Neocera
- 型号: Pioneer 120 PLD System
- 产地:美国
Pioneer 120 PLD System是基础型独立PLD系统,用于制备高质量的外延薄膜、多层异质结、超晶格等。该PLD系统与Pioneer 120 Advanced系统和Pioneer 180 PLD系统的主要区别是衬底加热阶段。Pioneer 120 Advanced系统使用导电加热阶段用于衬底加热, 其他模型使用辐射加热阶段。为了达到950°c的额定高温,基板必须与加热板紧密接触,用银浆提供加热板和基板之间的紧密接触(当需要这些高温时)。在不需要银浆的情况下,还提供衬底夹来固定衬底。在这些情况下,ZG衬底温度可能低于额定950°c。加热器是氧兼容的,能达到1大气(760托)的氧, 这个特性有助于制备外延氧化薄膜:可能需要在氧气环境后沉积和氧气压力接近1 atmosphere后退火冷却。Pioneer 120 PLD系统包括一个自动多目标转,具有目标旋转、目标光栅和软件控制的多层和超晶格沉积所需的目标选择。闭环压力控制提供了使用质量流量控制器的精确过程压力控制。干式泵是由机械隔膜泵或涡旋泵支持的涡轮分子泵组合而成。该系统软件(Windows 7, LabView 2013)控制基材加热器,目标转,过程压力,系统泵和激光触发。
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脉冲激光沉积系统 Pioneer120 Advanced PLD System
- 品牌:美国Neocera
- 型号: Pioneer120 Advanced PLD System
- 产地:美国
Neocera Pioneer 系列 PLD 系统— 基于zhuo越经验的创新设计 Neocera 利用PLD 开展了深入广泛的研究,建立了获得**薄膜质量的临界参数,特别适用于沉积复杂氧化物薄膜。 这些思考已经应用于Pioneer 系统的设计之中。
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plasma设备 NPE-3000 PECVD等离子体化学气相沉积系统 那诺-马斯特
- 品牌:美国那诺-马斯特
- 型号: NPE-3000
- 产地:美国
NM的PECVD能够沉积高质量SiO2, Si3N4, 或DLC膜到Z大可达12" 的基片.淋浴头电极或中空阴极射频等离子源,具有分形气流分布优势.样品台通过RF或脉冲DC产生偏压。可支持加热和冷却.使用250l/sec涡轮分子泵及3.5 cfm的机械泵,真空可低至10-7 torr。标准配置含1路惰性气体、3路活性气体和4个MFC。
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PECVD镀膜设备 NPE-3500 PECVD等离子体化学气相沉积系统 那诺-马斯特
- 品牌:美国那诺-马斯特
- 型号: NPE-3500
- 产地:美国
NANO-MASTER PECVD系统能够沉积高质量的SiO2, Si3N4, 或DLC薄膜z大可达12” 直径的基片上.该系统采用淋浴头电极或中空阴极射频等离子源来产生等离子,具有分形气流分布的优势.样品台可以通过RF或脉冲DC产生偏压。并可以支持加热和循环冷却水的冷却.使用250l/sec涡轮分子泵及3.5 cfm的机械泵,腔体可以达到低至10-7 torr的真空。标准配置包含1路惰性气体、3路活性气体管路和4个MFC.带有*气体分布系统的平面中空阴极等离子源使得系统可以满足广大范围的要求,无论是等离子强度、均匀度,还是要分别激活某些活性组份,这样系统可以覆盖z广的可能性来获得各种沉积参数。
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PECVD设备 NPE-4000(ICPM)ICPECVD等离子体化学气相沉积系统 那诺-马斯特
- 品牌:美国那诺-马斯特
- 型号: NPE-4000(ICPM)
- 产地:美国
NM的PECVD能够沉积高质量SiO2, Si3N4, 或DLC膜到Z大可达12" 的基片.淋浴头电极或中空阴极射频等离子源,样品台通过RF或脉冲DC产生偏压。可支持加热和冷却.使用250l/sec涡轮分子泵及3.5 cfm的机械泵,真空可低至10-7 torr。标准配置含1路惰性气体、3路活性气体和4个MFC。
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PECVD设备 NPE-4000(ICPA)自动ICPECVD等离子体化学气相沉积系统 那诺-马斯特
- 品牌:美国那诺-马斯特
- 型号: NPE-4000(ICPA)
- 产地:美国
NM的PECVD能够沉积高质量SiO2, Si3N4, DLC膜到Z大可达6" 基片.淋浴头电极或中空阴极射频等离子源,样品台通过RF或脉冲DC产生偏压。可支持加热和冷却.使用250l/sec涡轮分子泵及3.5 cfm的机械泵,真空可低至10-7 torr。标准配置含1路惰性气体、3路活性气体和4个MFC。
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CVD设备 微波等离子化学气相沉积系统 那诺-马斯特
- 品牌:美国那诺-马斯特
- 型号: PECVD
- 产地:美国
NM的微波PECVD能够沉积高质量SiO2, Si3N4, 或DLC膜到Z大可达12" 的基片.淋浴头电极或中空阴极射频等离子源,样品台通过RF或脉冲DC产生偏压。可支持加热和冷却.使用250l/sec涡轮分子泵及3.5 cfm的机械泵,真空可低至10-7 torr。标准配置含1路惰性气体、3路活性气体和4个MFC。
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激光分子束外延分析系统 180 Laser MBE/PLD
- 品牌:美国Neocera
- 型号: 180 Laser MBE/PLD
- 产地:美国
独立的MAPLE PLD系统 有机和聚合物薄膜的沉积 在同一室的附加沉积源(可选): 脉冲电子沉积(PED),射频/直流溅射和直流离子源 Load-lockable衬底阶段 与XPS分析系统集成,直接将晶片从PLD系统转移到分析系统
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PLD激光分子束外延系统 Pioneer 180 MAPLE PLD
- 品牌:美国Neocera
- 型号: Pioneer 180 MAPLE PLD
- 产地:美国
独立的MAPLE PLD系统。 有机和聚合物薄膜的沉积。 在同一室的附加沉积源(可选):脉冲电子沉积(PED)、射频/直流溅射和直流离子源。 负载锁定基底阶段。 与XPS分析系统集成,晶片就地从PLD系统转移到分析系统
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那诺-马斯特 NMC-4000 MOVPE设备
- 品牌:美国那诺-马斯特
- 型号: NMC-4000
- 产地:美国
针对InGaN及AlGaN沉积工艺所研发的台式等离子辅助金属有机化学气相沉积系统(PA-MOCVD),该系统具有5个鼓泡装置(各带独立的冷却槽)、加热的气体管路、950度样品台三个气体环、淋浴式气体分布的RF射频等离子源以及工艺终端的N2冲洗、 250l/sec涡轮分子泵及无油真空泵(5 x 10-7Torr极限真空)、PC全自动控制,完全的安全
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MOCVD设备 NMC-4000(A)全自动PAMOCVD系统 那诺-马斯特
- 品牌:美国那诺-马斯特
- 型号: NMC-4000(A)
- 产地:美国
针对InGaN及AlGaN沉积工艺所研发的台式等离子辅助金属有机化学气相沉积系统(PA-MOCVD),该系统具有5个鼓泡装置(各带独立的冷却槽)、加热的气体管路、950度样品台三个气体环、淋浴式气体分布的RF射频等离子源以及工艺终端的N2冲洗、250l/sec涡轮分子泵及无油真空泵(5 x 10-7Torr极限真空)、PC全自动控制。
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