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SOI基片(Si+SiO2+Si)
- 品牌:合肥科晶
- 型号: SOI基片(Si+SiO2+Si)
- 产地:
产品名称:SOI基片(Si+SiO2+Si)常规尺寸:dia4"镀膜层:20umSiP/B+2umSiO2+500umSiundoped技术参数:国产SOI:膜层厚度可以按照客户需求加工①顶层2um±0.5(5点),BOX层2um±0.1,P型,总厚度大约621um,平整度LTV<1um②顶层3um±0.5(5点),BOX层2um±0.1,P型,总厚度大约622um,平整度LTV<1um电阻率ΩNaN:15-25ohmNaN;进口SOI:点击查看:http://mtixtl.com/soiwa
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Ge晶体基片
- 品牌:合肥科晶
- 型号: Ge晶体基片
- 产地:
产品名称:Ge晶体基片产品简介:化学符号为Ge,主要用途有:制作半导体器件、红外光学器件及太阳能电池衬底等材料。技术参数:密度:5.765g/cm3;熔点:937.4℃;热传导性:640;掺杂物质:不掺杂;掺Sb;掺In或Ga;类型:/;N;P;电阻率W.cm:>35;0.05;0.05-0.1;EPD:<4x103/cm2<4x103/cm2<4x103/cm2常规尺寸:晶体方向:<111>,<100>and<110>±0.5°或特殊的方向;标
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磷化铟(InP)晶体基片
- 品牌:合肥科晶
- 型号: 磷化铟(InP)晶体基片
- 产地:
产品名称:磷化铟(InP)晶体基片产品简介:技术参数:单晶:InP掺杂:None;Sn;S;Fe:Zn硬度:3.0莫氏硬度密度:4.78g/cm3导电类型:N;N;N;Si;P折射率:3.45载流子浓度cm-3:1-2x1016、1-3x1018、1-4x1018、6-4x1018位错密度cm-2:<5x104生长方法:LEC温度:1072℃弹性模量:7.1E11dynCm-2常规尺寸:常规晶向:<100>;常规尺寸:10x10x0.5mm、dia2"x0.5mm;抛光情况:单抛或双抛;
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磷化镓(GaP)晶体基片
- 品牌:合肥科晶
- 型号: 磷化镓(GaP)晶体基片
- 产地:
产品名称:磷化铟(InP)晶体基片产品简介:技术参数:单晶:InP掺杂:None;Sn;S;Fe:Zn硬度:3.0莫氏硬度密度:4.78g/cm3导电类型:N;N;N;Si;P折射率:3.45载流子浓度cm-3:1-2x1016、1-3x1018、1-4x1018、6-4x1018位错密度cm-2:<5x104生长方法:LEC温度:1072℃弹性模量:7.1E11dynCm-2常规尺寸:常规晶向:<100>;常规尺寸:10x10x0.5mm、dia2"x0.5mm;抛光情况:单抛或双抛;
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锑化镓(GaSb)晶体基片
- 品牌:合肥科晶
- 型号: 锑化镓(GaSb)晶体基片
- 产地:
产品名称:锑化镓(GaSb)晶体基片产品简介:技术参数:单晶GaSb掺杂none;None, high R;Zn;Te;Te, high R导电类型PP-P+N载流子浓度cm-31-2x1017 1-5x1016 1-5x10182-6x10171-5x1016位错密度cm-2<103生长方法及最大尺寸LEC? 3"产品规格:标准尺寸:<100>, dia2"x0.5mm, 单抛, ?3"x 0.5mm.表面粗糙度Ra:<15A可按客户需求定制相应的方向和尺寸。标准包装:1000级
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锑化铟(InSb)晶体基片
- 品牌:合肥科晶
- 型号: 锑化铟(InSb)晶体基片
- 产地:
产品名称:锑化铟(InSb)晶体基片产品简介:技术参数:单晶InSb掺杂None;Te;Ge导电类型N;N;P载流子浓度cm-31-5x10141-2x1015位错密度cm-2<2x102产品规格:标准尺寸:2"x0.5mm,表面粗糙度Ra:<15A注:可按客户需求定制特殊的方向和尺寸。标准包装:1000级超净室,100级超净袋或单片盒封装相关产品:OtherInSbInAsInPGaAsGaSb基片包装盒系列薄膜制备设备RTP快速退火炉
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砷化铟(InAs)晶体基片
- 品牌:合肥科晶
- 型号: 砷化铟(InAs)晶体基片
- 产地:
产品名称:砷化铟(InAs)晶体产品简介:技术参数:晶体结构:立方 a=5.4505?生长方法:CZ导电类型:N型掺杂类型:不掺杂载流子浓度:2~5E16/cm3迁移率:>18500cm2/V.S常规尺寸:常规晶向:<100>、<111>;常规尺寸:10x10x0.5mm;dia2″x0.5mm;抛光情况:单抛或双抛;表面粗糙度Ra:<15A注:可按客户需求定制相应的方向和尺寸。备注:1000级超净室100级超净袋OtherInAsInSbInPGaAsGaSb基片包装
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砷化镓(GaAs)晶体基片
- 品牌:合肥科晶
- 型号: 砷化镓(GaAs)
- 产地:
产品名称:砷化镓(GaAs)晶体基片产品简介:技术参数:单晶:砷化镓(GaAs)掺杂:None;Si;Cr;Te;Zn导电类型:Si;N;Si;N;P载流子浓度cm-3:/>5x1017/~2x1018>5x1018位错密度cm-2:<5x105生长方法及最大尺寸:LEC&HB?3"常规尺寸:常规晶向:<100>、常规尺寸:10x10x0.5mm;dia2″x0.5mm;抛光情况:单抛或双抛;表面粗糙度Ra:<15A;注:可按客户需求定制相应的方向和尺寸。备注:
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硅(Si)晶体基片
- 品牌:合肥科晶
- 型号: 硅(Si)晶体基片
- 产地:
产品名称:硅(Si)晶体基片产品简介:化学符号为Si,主要用途有:制作半导体器件、红外光学器件及太阳能电池衬底等材料。技术参数:掺杂物质:掺B掺P类型:PN电阻率Ω.cm:10-3~4010-3~40EPD(cm-2):≤100≤100氧含量(/cm3):≤1.8x1018≤1.8x1018碳含量(/cm3):≤5x1016≤5x1016常规规格:晶体方向:<111>、<100>、<110>±0.5°或特殊的方向;常规尺寸:dia1"x0.30mm;dia2"x0.5m
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Si+SiO2+Ti+Pt (国产料)
- 品牌:合肥科晶
- 型号: Si+SiO2+Ti+Pt (国产料)
- 产地:
产品名称:Si+SiO2+Ti+Pt薄膜(国产料)产品简介:薄膜厚度:SiO2=500nmTi=50nmPt=200nm;P型掺B电阻率:<0.005ohm.cm常规尺寸:dia4"x0.5mm;10x10x0.5mm;单抛可按照客户要求加工尺寸标准包装:1000级超净室100级超净袋单片盒或25片插盒封装
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Si+SiO2薄膜
- 品牌:合肥科晶
- 型号: Si+SiO2薄膜
- 产地:
产品名称:Si+SiO2薄膜产品简介:技术参数:常规晶向:<100>,<111>,掺杂类型:N型掺杂或者P型掺杂制作方法:干法或湿法薄膜厚度:常规厚度300nmSiO2常规尺寸:dia4"x0.5mm;dia2"x0.5mm;单面氧化或者双面氧化可按照客户要求加工氧化层厚度:50nm~1um标准包装:1000级超净室100级超净袋单片盒或25片插盒封装
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氧化锆(YSZ)晶体基片
- 品牌:合肥科晶
- 型号: 氧化锆(YSZ)晶体基片
- 产地:
产品名称:氧化锆(YSZ)晶体基片产品简介:氧化锆(ZrO2)由于ZrO2单晶需掺入钇(Y)以稳定其结构, 一般实际使用的是YSZ单晶――加入钇稳定剂的氧化锆单晶。它机械、化学稳定性好,价格较低因而得以广泛应用。技术参数:化学分子式(Zr,Y)O2with Zr : Y = 91:9晶体结构立方晶格常数a = 5.125 ?密度5.8 g / cm3纯度99.99%熔点2800oC热膨胀系数10.3x10-6/oC介电常数27晶体生长方法弧熔法产品规格:<100>, <110>,
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钽酸钾(KTaO3)晶体基片
- 品牌:合肥科晶
- 型号: KTaO3
- 产地:
产品名称:钽酸钾(KTaO3)晶体基片技术参数:分子量268.04晶体结构立方,钙钛矿晶格常数a=3.989?生长方法顶部籽晶熔融法熔点~1500℃密度7.015g/cm3莫氏硬度6Mohs热导率0.17 w/m.k@ 300k折射率2.14产品规格:常规晶向:<100>, <110>, <111>公差:+/-0.5度常规尺寸:10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm抛光情况:单抛或双抛,Ra<5A注:可按客户需求定制相应的方向和尺寸。标准包装:1000级超
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镓酸钕(NdGaO3)晶体基片
- 品牌:合肥科晶
- 型号: NdGaO3
- 产地:
产品名称:镓酸钕(NdGaO3)晶体基片产品简介:NdGaO3是近十年中发展起来的新型基片,主要用作高温超导体(如YBCO)及磁性材料的外延薄膜生长用基片。由于NdGaO3与YBCO的晶格失配很小(~0.27%),且无结构相变,在NdGaO3基片上可外延生长质量良好的薄膜。技术参数:晶体结构正交晶体参数?a=5.43, b=5.50, c=7.71熔点℃1600密度g/cm37.57介电常数25生长方法提拉法产品规格:<001>, <110>, <100>公差:+/-0
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铝酸锶镧(LaSrAlO4)晶体基片
- 品牌:合肥科晶
- 型号: LaSrAlO4
- 产地:
产品名称:铝酸锶镧(LaSrAlO4)晶体基片产品简介:铝酸锶镧晶体从熔点温度直至低温下均无孪晶及相变,与高温超导体YBCO具有相同的结构,<001>面与其它衬底相比与YBCO<001>具有适中的晶格失配(2.5~3.5%),同时该晶体的热膨胀系数比其它钙钛矿结构的晶体低,可以在较低的温度下沉积薄膜从而改善晶格失配及减少应力。技术参数:晶体结构四方晶胞参数?a=3.756 c=12.636熔点℃1650密度g/cm35.92介电常数16.8生长方法提拉法产品规格:常规晶向:<
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铝酸钕钙(NdCaAlO4)晶体基片
- 品牌:合肥科晶
- 型号: NdCaAlO4
- 产地:
产品名称:铝酸钕钙(NdCaAlO4)晶体基片产品简介:技术参数:晶体结构:四方晶格常数:a=3.685c=12.12生长方法:提拉法熔点:1850℃密度:5.56g/cm3莫氏硬度Mohs热膨胀系数12×10-6/℃介电常数19.5产品规格:常规尺寸:10x10x0.5mm、5x5x0.5mm;常规晶向:<001>晶向公差:+/-0.5度抛光情况:单抛或双抛表面粗糙度Ra<5A注:可按照客户要求加工尺寸及方向。标准包装:1000级超净室100级超净袋或单片盒装相关产品:LSATLaAl
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钛酸锶(SrTiO3)双晶基片
- 品牌:合肥科晶
- 型号: Sr-TiO3
- 产地:
产品名称:钛酸锶(SrTiO3)双晶基片产品简介:公司为ZG**可以批量制作双晶产品的单位。可提供SrTiO3, LaAlO3, LSAT双晶基片,用于超导SQUID器件,广泛用于心磁,共振等领域。技术参数:晶体结构立方晶格常数a=3.905?生长方法火焰法熔点2080℃密度5.175g/cm3莫氏硬度6 Mohs热膨胀系数9.4×10-6/℃介电常数~ 300损耗正切~5x10-4@ 300K , ~3 x10-4@77K颜色及外观透明(根据退火状态有时有轻微的棕色)无孪晶化学稳定性不溶于水产品规格:角
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Ge晶体基片
- 品牌:合肥科晶
- 型号: Ge
- 产地:
产品名称:Ge晶体基片产品简介:化学符号为Ge,主要用途有:制作半导体器件、红外光学器件及太阳能电池衬底。技术参数:晶体结构:立方:a=5.6754?;生长方法:提拉法;密度:5.765g/cm3熔点:937.4℃热传导性:640掺杂物质:不掺杂;掺Sb;掺Ga类型:/;N;P;电阻率W.cm:>35;0.05;0.05-0.1;EPD:<4x103/cm2;产品规格:晶体方向:<111>,<100>and<110>±0.5o标准尺寸:dia1"x0.50m
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三氧化二铝(Al2O3)晶体基片
- 品牌:合肥科晶
- 型号: Al2-O-3
- 产地:
产品名称:三氧化二铝(Al2O3)晶体基片产品简介:Al2O3单晶(Sapphire,又称白宝石,蓝宝石)有着很好的热特性,极好的电气特性和介电特性,并且防化学腐蚀,它耐高温,导热好,硬度高,透红外,化学稳定性好。广泛用于耐高温红外窗口材料和III-V族氮化物及多种外延薄膜基片材料,为满足日益增长的蓝、紫、白光发光二极管(LED)和蓝光激光器(LD)的需要,科晶公司专业生产高质量的蓝宝石晶体和外延抛光基片,将为您提供大量高质量低价格的单晶和基片。技术参数:晶体结构六方 a =4.758 ? c= 12.9
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铝酸锂(LiAlO2)晶体基片
- 品牌:合肥科晶
- 型号: LiAlO2
- 产地:
产品名称:铝酸锂(LiAlO2)晶体基片产品简介:铝酸锂单晶与氮化镓的晶格失配率非常小(1.4%)而成为氮化镓薄膜的优质基片。技术参数:晶体结构四方晶格常数(?)a=5.17 c=6.26与GaN失配率(001)1.4%熔点(℃)1900密度(g/cm3)2.62硬度(Mohs)7.5产品规格:常规晶向:<100>, <001>公差:+/-0.5度;常规尺寸:dia2”x0.5mm, 10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm,5x5x0.5mm;抛光情况:细磨、单抛或双抛;注
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QSense Omni 耗散型石英晶体微天平
- 品牌:瑞典百欧林
- 型号: QSense Omni
- 产地:芬兰
显著降低噪音水平 QSense Omni通过降低噪音水平和一流的信号处理,与其他任何一款QCM-D仪器对比,灵敏度范围至少提升了4倍。极大地降低了检测限,使数据更易于解析。 快速而精确的液体交换 与使用传统管路的QCM-D系统相比,直接注入式的精密流路设计将液体交换速度提升5倍,且最小限度地避免了不必要的扩散。这使您可以高效控制测量,更好地表征正在研究的相互作用并跟踪快速反应过程。在此过程中节省样品是另一个额外优势。 准确和可复现的芯片定位 智能定位工具使芯片更容易固定在准确的位置上。芯片自动固定并锁紧,保留了芯片的声学指纹特征。准确和可复现的芯片固定和锁紧使实验更加成功。
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赛多利斯天平
- 品牌:德国赛多利斯
- 型号: BSA224S-CW
- 产地:德国
功能齐全 (1)防风罩采用无框架全玻璃设计,确保称量室内有佳的光照条件 (2)密度直读功能,直接显示测得的密度 (3)所有此系列产品都标配内置电机驱动的标准砝码,zuida限度确保称量精度和操作便捷性 (4)可选的适配器电缆能连接其他设备,如通过USB接口连接电脑。另外,所有此系列产品都标配RS-232C接口 (5)连接YDP03-0CE数据打印机,即可得到符合ISO/GLP标准的原始或校准/调整数据。
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赛多利斯天平
- 品牌:德国赛多利斯
- 型号: Quintix125d
- 产地:德国
新一代超级单体传感器,可有效消除静电影响的具有防静电涂层技术的新型称量底板和整个防风罩系统,以及可补偿环境温度的智能调温的防风罩背板等各种新技术,确保新型半微量天平的性能,以及在半微量领域内具有不可超越的重复性和线性
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赛多利斯天平
- 品牌:德国赛多利斯
- 型号: BSA2202S
- 产地:德国
BSA2202S赛多利斯电子天平 ● 前置式水平仪 ● 防静电涂层玻璃防风罩能有效地屏蔽外界静电荷的干扰 ● 五面玻璃防风罩,视野清晰 ● 超级双杠杆单体传感器 ● 40MHz高速微处理器MC1,测量结果更快 ● zuixinSMT技术,线路集成度更高 ● 内置RS232接口,符合GLP标准
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[公开招标]预算177.44万元 南昌大学采购荧光显微镜
南昌大学公开招标荧光显微镜、超微量分光光度计,纯水超纯水一体机,微量天平(百万分之一),项目编号:JXGT2024042
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[公开招标]预算455.23万元 中国海洋大学采购小型超纯水仪
中国海洋大学公开招标小型超纯水仪、电流放大器,小型磁控离子溅射仪、旋转粘度计,光学接触角测试仪、高温烘箱,高精密分析天平、表面电位计,光固化3D打印机、超临界干燥仪,项目编号:HYHAQD2024-0164
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[公开招标]预算104.1万元 遂宁市生态环境局采购火焰/石墨炉原子吸收分光光度计
遂宁市生态环境局公开招标火焰/石墨炉原子吸收分光光度计,十万分之一天平,便携式有毒有害气体检测仪,紫外可见光分光光度计,全自动高锰酸盐指数分析仪,项目编号:N5109012024000054
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[公开招标]预算400万元 西藏大学采购可见分光光度计
西藏大学公开招标可见分光光度计、土壤PH计,电导率仪、离心机、电子天平,教师端数码显微镜、真空干燥箱,移液器、便携式溶解氧仪、离子计,COD消解仪、声级计、PCR扩增仪,凝胶成像系统、超纯水机、高压灭菌锅,项目编号:54000024210200019045
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[公开招标]预算340万元 河北科技大学采购X射线衍射仪
河北科技大学公开招标智能多功能X射线衍射仪及石英晶体微天平系,高分辨激光共聚焦显微镜,项目编号:HBZC-HB202422
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[公开招标]预算60万元 河北北方学院采购紫外可见分光光度计
河北北方学院 公开招标紫外可见分光光度计、台式冻干机,万分之一天平、数控旋转蒸发仪,小型低温冷却循环机、移液枪,立式真空循环水泵、蛋白染色仪,手持式超声波粉碎机、电化学工作站,项目编号:HBZJ-2024N0270
- 石英晶体微天平
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