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半导体参数分析仪
品牌:武汉普赛斯
型号:PMST-4000A
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数字源表测电阻率四探针法
品牌:武汉普赛斯
型号:S100
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VCSEL器件窄脉冲LIV测试系统
品牌:武汉普赛斯
型号:PL202
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半导体分立器件静态测试系统
品牌:武汉普赛斯
型号:PMST-3500V
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第三代半导体晶圆测试高电压大电流源
品牌:武汉普赛斯
型号:HCPL100型
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功率循环测试系统
- 品牌:西安易恩电气
- 型号: ENG1220 IGBT
- 产地:西安
ENG1220型IGBT功率循环测试设备的测试方法符合GB/T29332-2012/IEC 60747-9:2007及GB4023-83等相关标准。 IGBT功率循环测试设备,是IGBT测试的重要检测设备,该设备具有如下特点: 1.该测试系统是一套动态综合的测试系统,测试参数多,设备测试数据精度高。 2.该测试系统是一套大电流测试设备,设备的电气性能要求高。 3.该测试系统具有过流、过热、水压不足等保护功能。具有连续工作的特点。 4.该系统的测试程序由计算机控制,测试可按测试员设定的程序进行自动测试。 5.该测试系统采用内控和外控两种方式。便于工作人员操作。 6.该系统采用计算机记录测试结果,并可将测试结果转化为EXCEL文件进行处理。 7.该测试系统是IGBT模块成品可靠性检验测试中不可缺少的专用测试设备。
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EN-DC3020便携式IGBT测试仪
- 品牌:西安易恩电气
- 型号: EN-DC3020
- 产地:西安
针对IGBT的各种静态参数而研制的智能测试系统 功率源 3000V200A
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二极管、IGBT和MOSFET的静态参数测试。
- 品牌:西安易恩电气
- 型号: EN-3020B-1
- 产地:西安
EN-3020B型分立器件测试仪是用于二极管、IGBT和MOSFET的静态参数测试。系统的测试原理符合相应的国家标准、军标,系统为独立式单元,封闭式结构,具有升级扩展潜能。
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曲线追踪仪
- 品牌:西安易恩电气
- 型号: ENJ2005J-9
- 产地:西安
测试范围 二极管DIODE,晶体管(NPN型/PNP型),J型场效应管J-FET,MOS场效应管 MOS-FET双向可控硅TRIAC,可控硅SCR,绝缘栅双极大功率晶体管IGBT,硅触发可控硅STS 达林顿阵列DARLINTON,光电耦合OPTO-COUPLER,继电器RELAY,稳压、齐纳二极管ZENER三端稳压器REGULATOR,光电开关OPTO-SWITCH,光电逻辑OPTO-LOGIC,金属氧化物压变电阻MOV,固态过压保护器SSOVP,压变电阻VARISTOR,双向触发二极管DIAC
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半导体参数分析仪
- 品牌:西安易恩电气
- 型号: ENJ2005C-7
- 产地:西安
IV曲线显示/局部放大,程序保护电流/电压,以防损坏,品种繁多的曲线,可编程的数据点对应,增加线性或对数,可编程延迟时间可减少器件发热
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功率器件曲线分析仪
- 品牌:西安易恩电气
- 型号: EN2005C-7
- 产地:西安
器件测试程序的生成是通过在一台运行系统为Windows或WindowsNT的PC机上USB接口程序实现的。该程序提供快速的器件测试程序生成,具有全屏显示和增强型编辑帮助。
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新型半导体晶体管图示系统
- 品牌:西安易恩电气
- 型号: EN-2005C-5
- 产地:西安
本系统使用方便,只需要通过USB或者RS232与电脑连接,通过电脑中友好的人机界面操作,即可完成测试。并可以实现测试数据以EXCEL和WORD的格式保存。
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EN-2005C 功率器件综合图示系统
- 品牌:西安易恩电气
- 型号: EN-2005C 4
- 产地:西安
系统在失效分析,IQC来料检验及高校实验室等部门有广泛的应用。系统生成的曲线都使用ATE系统逐点建立,保证了数据的准确可靠。
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易恩晶体管特性曲线图示仪
- 品牌:西安易恩电气
- 型号: EN-2005C-1
- 产地:西安
可根据客户的实际需求设置功能测试,直接读取数显结果。系统在失效分析,IQC来料检验及高校实验室等部门有广泛的应用。
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测试分析、器件选型元器件测试仪
- 品牌:西安易恩电气
- 型号: EN-2005B-7
- 产地:西安
系统提供与机械手、探针台、电脑的连接口,可以支持各种不同辅助设备的相互连接使用。
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新能源汽车、轨道机车检修IGBT测试仪
- 品牌:西安易恩电气
- 型号: EN-3020B
- 产地:西安
EN-3020B型分立器件测试仪是用于二极管、IGBT和MOSFET的静态参数测试。系统的测试原理符合相应的国家标准、军标,系统为独立式单元,封闭式结构,具有升级扩展潜能。
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电源、变频器、逆变器、变流器、数控、电焊机专用测试仪
- 品牌:西安易恩电气
- 型号: EN-2005B-6
- 产地:西安
采用脉冲测试法,脉冲宽度为美军标规定300uS 被测器件引脚接触自动判断功能,遇到器件接触不良时系统自动停止测试,确保被测器件不受损坏
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开尔文感应结构的测试插座半导体参数测试仪
- 品牌:西安易恩电气
- 型号: EN-2005B-4
- 产地:西安
系统采用带有开尔文感应结构的测试插座,自动补偿由于系统内部及测试电缆长度引起的任何压降,保证测试结果准确可靠。
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EN-2005B功率器件综合测试系统
- 品牌:西安易恩电气
- 型号: EN-2005B-2
- 产地:西安
应用领域 院所、高校、半导体器件生产厂商、 电源、变频器、逆变器、变流器、数控、电焊机、白色家电、 新能源汽车、轨道机车检修等
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易恩半导体分立器件测试系统
- 品牌:西安易恩电气
- 型号: EN-2005B-1
- 产地:西安
真正的动态跨导测试。(主流的直流方法测动态跨导,其结果与器件实际偏差很大) 系统故障在线判断修复能力,便于应急处理排除故障 二极管极性自动判断功能,无需人工操作
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美国吉时利 替代品 易恩MOS测试仪
- 品牌:西安易恩电气
- 型号: EN-MOS
- 产地:西安
此设备具有以下测试单元。注:开关时间,二极管反向恢复,栅极电荷需要可在分装后测试,静态参数及雪崩测试需要在加电容前测试。 开关时间测试单元 开启延迟时间(Td(on)) 上升时间(Tr) 关断延迟时间(Td(off)) 下降时间(Tf) 开启损耗Eon 关断损耗Eoff 二极管反向恢复测试单元 反向恢复时间(Trr) 反向恢复电荷(Qrr) 栅极电荷测试单元 阈值电荷(Qg(th)) 栅电荷(Qg) 静态全参数测试单元 RDS(ON) VGS(th) TDSS IGSS VSD R25 雪崩测试单元 雪崩电流(I),雪崩电压(V),雪崩能量(E)
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JUNO测试仪 替代品 易恩晶闸管综合测试仪
- 品牌:西安易恩电气
- 型号: DBC-226
- 产地:西安
晶闸管综合参数测试系统,是大功率晶闸管测试的重要检测设备,该设备具 有如下特点: 1. 该测试系统是一套综合的测试系统,综合测试参数多,技术难度大。 2. 该测试系统是一套高压大电流的测试设备,对设备的电气性能要求高。 3. 该系统是一套动态和静态参数的集成测试系统,因此该设备的结构设计难度大。 4. 该系统的测试控制完全采用自动控制,测试可按测试员设定的程序进行自动测试。 5. 该系统采用计算机记录测试结果,并可将测试结果转化为 Excel 文件进行处理。 6. 该测试系统是晶闸管出厂检验测试中不可缺少的专用测试设备。该套测试设备主要测试晶闸管。
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日本CATS 替代 易恩栅电荷测试系统
- 品牌:西安易恩电气
- 型号: ENS1040
- 产地:西安
日本CATS 替代 易恩栅电荷测试系统ENS1040栅电荷测试系统功能指标测量参数技术条件开启栅电荷QgOnId=1 to 100Amps存储电荷QgsVdd=5 to 95v平台电荷QgdVg=+/-1 to+/-19V平台电压PlateauVoltageIg=0.1 to 10maId@threshold=100 to 1000ua导通电阻RdsOnQg=0.5 to 500nc栅电阻RgRds(0n)=0.001 to 2.0Ohms阈值电压GateThresholdVotageGate/Drain
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日本JUNO 替代品 易恩热阻测试仪
- 品牌:西安易恩电气
- 型号: ENR0620
- 产地:西安
西安易恩电气ENR0620 热阻测试系统,本系统测试原理符合 JEDEC51-1 定义的动态及静态测试方法)运用实时采样静态测试方法(Static Method),广泛用于测试各类 IC(包括二极管、三极管、MOSFET、IGBT、SOC、SIP、MEMS 等)、大功率 LED、导热材料、散热器、热管等的热阻、热容及导热系数、接触热阻等热特性。
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日本科佩尔 替代 易恩IPM测试仪
- 品牌:西安易恩电气
- 型号: ENI1220
- 产地:西安
IPM模块需要测试的特性参数很多,其中zui关键的测试参数为开关特性(时间特性)的测量。该系统在解决IPM的控制信号以及高速数据采集处理两个关键技术的条件下,是一套基于DSP及FPGA的高速实时测试系统。
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瑞士LEMSYS 替代品 易恩IGBT动态参数测试仪
- 品牌:西安易恩电气
- 型号: EN-2020A
- 产地:西安
EN-2020A半导体器件动态参数测试系统,该系统是针对IGBT器件的开关性特性及IGBT内部续流二极管的反向恢复特性而专门设计的一套全自动测试系统,适用于电流不超过1500A和集电极电压不超过3500V的IGBT器件开关时间测试以及正向电流不超过2000A的二极管反向恢复特性的测试。
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美国ITC 替代品 易恩大功率IGBT静态测试仪
- 品牌:西安易恩电气
- 型号: EN-3020C
- 产地:西安
EN—3020C测试系统(以下简称系统)是西安易恩电气科技有限公司推出的IGBT静态测试系统,该系统符合国军标GJB128-86和国家标准GB/T 4587-94测试规范。 系统适合工厂、研究所用做IGBT及其模块的筛选、检验、分析以及器件生产厂用做生产测试,是一款针对IGBT的各种静态参数而研制的智能测试系统。 系统标准功率源为3500V/200A,电流可扩展至2000A。 系统的自动化程度高,按照操作人员设定的程序自动工作,实现全自动化的智能测试,计算机记录测试结果,测试结果可转化为文本或 EXCEL 格式存储。测试方法灵活,可wan美测试器件以及单个单元和多单元的模块测试。 系统采用品牌工控机,具有抗电磁干扰能力强,排风量大等特点 系统安全稳定,PLC 对设备的工作状态进行全程实时监控并与硬件进行互锁。
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日本岩崎 替代品 易恩晶体管特性曲线图示仪
- 品牌:西安易恩电气
- 型号: EN-2005C
- 产地:西安
西安易恩电气 EN-2005C是一款很具有代表性的新型半导体晶体管图示系统,本系统可自动生成功率器件的I-V曲线,也可根据客户的实际需求设置功能测试,直接读取数显结果。系统在失效分析,IQC来料检验及高校实验室等部门有广泛的应用。系统生成的曲线都使用ATE系统逐点建立,保证了数据的准确可靠。系统典型的测试时间是6 to 20ms,通常上百个数据点曲线只需要几秒钟时间便可以展现出来,数据捕获的曲线可导入EXCEL等格式进一步分析研究,是一款GX多功能的高端半导体测试设备。
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SiC/GaN器件动态参数测试系统
- 品牌:西安易恩电气
- 型号: EN-MOS
- 产地:西安
此设备具有以下测试单元。注:开关时间,二极管反向恢复,栅极电荷需要可在分装后测试,静态参数及雪崩测试需要在加电容前测试。 开关时间测试单元 开启延迟时间(Td(on)) 上升时间(Tr) 关断延迟时间(Td(off)) 下降时间(Tf) 开启损耗Eon 关断损耗Eoff 二极管反向恢复测试单元 反向恢复时间(Trr) 反向恢复电荷(Qrr) 栅极电荷测试单元 阈值电荷(Qg(th)) 栅电荷(Qg) 静态全参数测试单元 RDS(ON) VGS(th) TDSS IGSS VSD R25 雪崩测试单元 雪崩电流(I),雪崩电压(V),雪崩能量(E)
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高精度大功率晶闸管综合测试仪
- 品牌:西安易恩电气
- 型号: DBC-226
- 产地:西安
晶闸管综合参数测试系统,是大功率晶闸管测试的重要检测设备,该设备具 有如下特点: 1. 该测试系统是一套综合的测试系统,综合测试参数多,技术难度大。 2. 该测试系统是一套高压大电流的测试设备,对设备的电气性能要求高。 3. 该系统是一套动态和静态参数的集成测试系统,因此该设备的结构设计难度大。 4. 该系统的测试控制完全采用自动控制,测试可按测试员设定的程序进行自动测试。 5. 该系统采用计算机记录测试结果,并可将测试结果转化为 Excel 文件进行处理。 6. 该测试系统是晶闸管出厂检验测试中不可缺少的专用测试设备。该套测试设备主要测试晶闸管。
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栅电荷测试系统
- 品牌:西安易恩电气
- 型号: ENS1040
- 产地:西安
ENS1040栅电荷测试系统功能指标测量参数技术条件开启栅电荷QgOnId=1 to 100Amps存储电荷QgsVdd=5 to 95v平台电荷QgdVg=+/-1 to+/-19V平台电压PlateauVoltageIg=0.1 to 10maId@threshold=100 to 1000ua导通电阻RdsOnQg=0.5 to 500nc栅电阻RgRds(0n)=0.001 to 2.0Ohms阈值电压GateThresholdVotageGate/DrainwaveformCapture/sto
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厂家直供功率器件动态参数测试单元
- 品牌:西安易恩电气
- 型号: EN-AC1220
- 产地:西安
EN-AC1220型功率器件动态参数测试单元,是一款专为功率器件测SY户设计开发 的低成本、组合式、低电感、高精度、手动测试单元。可实现对IGBT、MOS FET、二极 管的多种动态参数的精确测试,测试原理符合国军标。 产品的使用是由多种配套产品组合而成,用户根据自身现有资源自选搭配,让企 业现有的资产GX使用,避免资产重复购置。 产品旨在解决目前业内动态成套测试系统价格高昂而给中小微企业造成的资金压力和 测试瓶颈。该产品是一款真正意义上的,能够解决测试需求的“高指标,低成本”简化产 品。 该产品由国内数位半导体产业ZS专家及教授协作开发,为从事功率半导体产业的测 SY户奉上一款良心产品。
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厂家直供正向寿命试验台
- 品牌:西安易恩电气
- 型号: EN-ZXSM
- 产地:西安
绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,简称IGBT)作为功率开关器件,具有载流密度大、饱和压降低等 许多优点, 但是由于其长期工作在高电压、大电流、高频开关状态等且运行环境复杂,IGBT功耗和结温频繁波动容易造成器件疲劳老化。目前国内外温度循环引起的器件失效机理已进行了深入研究,在此基础上正积极发展功率模块寿命预测技术以提高变流器运行可靠性。
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大功率高温反偏试验台
- 品牌:西安易恩电气
- 型号: EN-GWFP
- 产地:西安
IGBT高压反偏试验是在一定温度条件(125℃)下,按照规定的时间和电压,对IGBT施加反偏电压,从而对器件进行质量检验和耐久性评估的一种主要试验方法。 DBC-320测试台是专为IGBT模块进行高温反偏试验而进行设计,是IGBT出厂检测的重要设备。该试验台可对相应的IGBT器件进行适配器匹配,同时对48只器件进行试验。测试标准符合MIL-STD-750,IEC 60747。本设备采用计算机自动控制系统,后台软件实时监控、自动处理目标数据,具有测试精度高、操作方便、GX等优点。
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西安厂家直供高温阻断试验台
- 品牌:西安易恩电气
- 型号: EN-GWZD
- 产地:西安
该系统符合MIL-STD-750D METHOD-1038.3、GJB128、 JEDEC标准试验要求。可供半导体器件配以适当的温度可控装置, 作交流阻断(或反偏)耐久性/ 筛选试验。能满足IGBT进行高温反 偏耐久性试验、高温漏电流测试(HTIR)和老炼筛选。
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IGBT试验台系列
- 品牌:西安易恩电气
- 型号: EN-2006
- 产地:西安
该系统符合MIL-STD-750D METHOD-1038.3、GJB128、 JEDEC标准试验要求。可供半导体器件配以适当的温度可控装置, 作交流阻断(或反偏)耐久性/ 筛选试验。能满足IGBT进行高温反 偏耐久性试验、高温漏电流测试(HTIR)和老炼筛选。
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热阻测试系统
- 品牌:西安易恩电气
- 型号: ENR0620
- 产地:西安
本系统测试原理符合 JEDEC51-1 定义的动态及静态测试方法)运用实时采样静态测试方法(Static Method),广泛用于测试各类 IC(包括二极管、三极管、MOSFET、IGBT、SOC、SIP、MEMS 等)、大功率 LED、导热材料、散热器、热管等的热阻、热容及导热系数、接触热阻等热特性。
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浪涌测试系统
- 品牌:西安易恩电气
- 型号: ENL3010
- 产地:西安
测试范围 设备zuida可输出17.7mS、80kA的电流,对被测器件进行浪涌电流试验; 功能概述 浪涌电流测试系统 该测试台通过电容充放电原理产生电流波形,根据不同的测试条件,设定好各试验参数,再通过调节不同的电感值(手动调节)来改变不同的电流宽度来输出测试要求的电流值,测试的电压和电流波形同时被采集到示波器和相关的控制电路,反馈给PLC,并由HMI显示测试结果;
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IPM 测试系统
- 品牌:西安易恩电气
- 型号: ENI1220
- 产地:西安
该系统是测试IPM的测试设备,输出电压3000v.电流3000A, 系统通过外接数字温度计来观察vf的特征在通过标准温度和测量温度下的温度特征
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易恩电气大功率IGBT动态参数测试仪
- 品牌:西安易恩电气
- 型号: END2050
- 产地:西安
1)该测试系统是一套动态参数测试系统,所以对设备的分布参数,低感结构要求较高,难度比较大; 2)该测试系统涉及到多单元模块测试,其适配器的设计及加工具有很大的技术难度; 3)该测试系统完全采用自动控制,测试可按测试员设定的程序进行自动测试; 4)该系统采用计算机记录测试结果,并可将测试结果转化为EXCEL 文件进行处理
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易恩电气IGBT静态测试仪
- 品牌:西安易恩电气
- 型号: ENJ30200
- 产地:西安
1、综合参数测试,设备自身抗干扰能力高, 2、该测试系统涉及到多单元模块测试。 3、该测试系统完全采用自动控制,测试可按测试人员设定的程序进行自动测试。 4、该系统采用计算机记录测试结果,并可将测试结果转化为EXCEL 文件进行处理。
- 半导体参数测试仪
- 半导体参数测试仪,半导体参数测试仪