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激光器LIV测试窄脉冲系统
品牌:武汉普赛斯
型号:PL101/102
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大功率IGBT静态参数测试仪
品牌:武汉普赛斯
型号:PMST-3000V
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霍尔电流传感器测试平台
品牌:武汉普赛斯
型号:CTMS
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第三代半导体功率器件测试系统
品牌:武汉普赛斯
型号:PMST-3500V
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高电压and大电流igbt测试机
品牌:武汉普赛斯
型号:PMST-3500V
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塞贝克系数/电阻测量系统ZEM
- 品牌:日本Advance Riko
- 型号: ZEM-3
- 产地:日本
♦ 拥有温度精确控制的红外金面加热炉和控制温差的微型加热器; ♦ 测量是由计算机控制的,并且能够在指定的温度下执行测量,并允许自动测量消除背底电动势;
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纳米薄膜热导率测试系统-TCN-2ω
- 品牌:日本Advance Riko
- 型号: TCN-2ω
- 产地:日本
日本Advance Riko公司推出的纳米薄膜热导率测试系统-TCN-2ω是使用2ω方法测量纳米薄膜厚度方向热导率的商用系统。与其他方法相比,样品制备和测量极为简单。
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OPTM 半导体膜厚测试仪
- 品牌:日本大塚
- 型号: optm
- 产地:日本
测量目标膜的JD反射率,实现高精度膜厚和光学常数测试! (分光干渉法)
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YAMATO半导体热阻测试仪TE100
- 品牌:日本雅马拓
- 型号: TE100
- 产地:日本
由于功率器件长期暴露在高温状态下,会导致效率低下和可靠性问题,所以提高其散热性、可靠性是非常必要的,而“基板”是影响功率半导体散热的重要部件。 TE100是用于功率半导体陶瓷基板热阻测试的系统,本系统简化了功率半导体陶瓷基板的热阻测试流程。 功率半导体基板和材料的热特性(热阻)评估采用符合ISO4825-1:2023的方法进行测量功率半导体安装基板热特性评估和分析设备(TE100)。
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HAMAMATSU 日本滨松EMMI/OBIRCH微光显微镜PHEMOS系列
- 品牌:日本滨松
- 型号: PHEMOS-1000 / PHEMOS-X
- 产地:日本
PHEMOS-1000 是一款高分辨率微光显微镜,它能通过探测半导体器件缺陷导致发射的微弱光和热来定位失效位置。由于 PHEMOS-1000 可与通用探测仪结合使用,因此您可以使用您已经熟悉的样品设置来执行各种分析任务。安装可选的激光扫描系统可以采集高分辨率图案图像。不同类型的探测器可用于各种分析技术,例如发射分析、热分析和 IR-OBIRCH 分析。
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激光闪光法热常数测量系统-TC-1200RH
- 品牌:日本Advance Riko
- 型号: TC-1200RH
- 产地:日本
激光闪光法热常数测量系统(型号:TC-1200RH)使用红外金面炉替代传统电阻炉加热,大大缩短测量时间。可应用于热电材料的研究与开发,及其他材料的热物理性能评价。
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岩通计测IWATSU 半导体特性图示仪 IGBT测试系统CS-3000系列
- 品牌:日本岩崎
- 型号: CS-3000系列
- 产地:日本
IWATSU岩崎(岩通计测) CS-3000大功率晶体管特性图示仪,分为CS-3100/3200/3300,zuida峰值电压:3000V,zuida峰值电流:1000 A,支持漏电流(LEAKAGE)测试模式(光标分辨率:1 pA),测量IGBT、MOSFET\VDMOS、三极管等功率半导体的耐压、漏电流、导通电阻、输出曲线等参数, IWATSU岩崎(岩通计测) CS-3000大功率晶体管特性图示仪,分为CS-3100/3200/3300,zuida峰值电压:3000V,zuida峰值电流:1000 A,支持漏电流(LEAKAGE)测试模式(光标分辨率:1 pA),测量IGBT、MOSFET\VDMOS、三极管等功率半导体的耐压、漏电流、导通电阻、输出曲线等参数
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[公开招标]预算180.05万元 福建理工大学采购显微镜及真空系统
福建理工大学公开招标显微镜及真空系统、半导体分析仪,探针台、辐射发光光谱仪,阻尼光学平台、磁力搅拌器,项目编号:[350001]ZYT[GK]2023052
- 半导体参数测试仪
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