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对标2602b脉冲电流源PL系列
品牌:武汉普赛斯
型号:PL201/202
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激光器LIV测试仪器
品牌:武汉普赛斯
型号:PL201/202
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半导体功率循环数据采集卡
品牌:武汉普赛斯
型号:A400
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直流3A国产SMU
品牌:武汉普赛斯
型号:sxxb系列
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半导体参数测试系统CV+IV特性扫描仪
品牌:武汉普赛斯
型号:SPA6100
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半导体特性曲线测试仪
- 品牌:武汉普赛斯
- 型号: SPA6100
- 产地:武汉
SPA-6100半导体特性曲线测试仪可以帮助用户根据测试需要,灵活选配测量单元进行升级。产品支持Z高1200V电压、100A大电流、1pA小电流分辨率的测量,同时检测10kHz至1MHz范围内的多频AC电容测量
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半导体参数测试系统CV+IV特性扫描仪
- 品牌:武汉普赛斯
- 型号: SPA6100
- 产地:武汉
普赛斯仪表SPA-6100半导体参数测试系统CV+IV特性扫描仪可以帮助用户根据测试需要,灵活选配测量单元进行升级。产品支持Z高1200V电压、100A大电流、1pA小电流分辨率的测量,同时检测10kHz至1MHz范围内的多频AC电容测量
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宽量程30μV-1200V,1pA-100A半导体测试仪器
- 品牌:武汉普赛斯
- 型号: SPA6100
- 产地:武汉
SPA-6100宽量程30μV-1200V,1pA-100A半导体测试仪器可以帮助用户根据测试需要,灵活选配测量单元进行升级。产品支持Z高1200V电压、100A大电流、1pA小电流分辨率的测量,同时检测10kHz至1MHz范围内的多频AC电容测量
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半导体特性曲线IV+CV测试仪
- 品牌:武汉普赛斯
- 型号: SPA6100
- 产地:武汉
SPA-6100型半导体特性曲线IV+CV测试仪可以帮助用户根据测试需要,灵活选配测量单元进行升级。产品支持Z高1200V电压、100A大电流、1pA小电流分辨率的测量,同时检测10kHz至1MHz范围内的多频AC电容测量
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半导体参数CV测试仪
- 品牌:武汉普赛斯
- 型号: 武汉普赛斯
- 产地:武汉
普赛斯半导体功率器件C-V测试系统主要由源表、LCR表、矩阵开关和上位机软件组成。LCR表支持的测量频率范围在0.1Hz~1MHz,源表(SMU)负责提供可调直流电压偏置,通过矩阵开关加载在待测件上。半导体参数CV测试仪认准普赛斯仪表
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半导体电学特性测试系统IV+CV测试仪
- 品牌:武汉普赛斯
- 型号: SPA6100
- 产地:武汉
SPA-6100型半导体电学特性测试系统IV+CV测试仪可以帮助用户根据测试需要,灵活选配测量单元进行升级。产品支持Z高1200V电压、100A大电流、1pA小电流分辨率的测量,同时检测10kHz至1MHz范围内的多频AC电容测量
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宽量程半导体参数分析仪0-1200V/0-100A
- 品牌:武汉普赛斯
- 型号: SPA6100
- 产地:武汉
宽量程半导体参数分析仪0-1200V/0-100A具有高精度、宽测量范围、快速灵活、兼容性强等优势。产品可以同时支持DC电流-电压(I-V)、电容-电压(C-V)以及高流高压下脉冲式I-V特性的测试,旨在帮助加快前沿材料研究、半导体芯片器件设计以及先进工艺的开发,具有桌越的测量效率与可靠性。
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功率器件CV测试仪
- 品牌:武汉普赛斯
- 型号: 武汉普赛斯
- 产地:武汉
普赛斯半导体功率器件C-V测试系统主要由源表、LCR 表、矩阵开关和上位机软件组成。LCR 表支持的测量频率范围在 0.1Hz~1MHz,源表(SMU)负责提供可调直流电压偏置,通过矩阵开关加载在待测件上。
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功率半导体器件CV测试系统
- 品牌:武汉普赛斯
- 型号: 普赛斯仪表
- 产地:武汉
普赛斯半导体功率器件C-V测试系统主要由源表、LCR 表、矩阵开关和上位机软件组成。LCR 表支持的测量频率范围在 0.1Hz~1MHz,源表(SMU)负责提供可调直流电压偏置,通过矩阵开关加载在待测件上。
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半导体参数分析仪1200V/100A
- 品牌:武汉普赛斯
- 型号: SPA6100
- 产地:武汉
SPA-6100半导体参数分析仪可以帮助用户根据测试需要,灵活选配测量单元进行升级。产品支持最高1200V电压、100A大电流、1pA小电流分辨率的测量,同时检测10kHz至1MHz范围内的多频AC电容测量
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GaNGaAs高速器件I-V扫描静态参数测试系统
- 品牌:武汉普赛斯
- 型号: PMST-3500V
- 产地:武汉
普赛斯仪表专业研究和开发半导体材料与器件测试的专业智能装备,产品覆盖半导体领域从晶圆到器件生产全产业链。推出基于高精度数字源表(SMU)的第三代半导体功率器件静态参数测试方案,为SiC和GaN器件提供可靠的测试手段,实现功率半导体器件静态参数的高精度、高效率测量和分析,GaNGaAs高速器件I-V扫描静态参数测试系统认准普赛斯仪表咨询
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半导体器件参数分析仪
- 品牌:武汉普赛斯
- 型号: S300B
- 产地:武汉
普赛斯“五合一”高精度数字源表(SMU)可为高校科研工作者、器件测试工程师及功率模块设计工程师提供测量所需的工具。不论使用者对源表、电桥、曲线跟踪仪、半导体参数分析仪或示波器是否熟悉,都能简单而迅速地得到精确的结果。半导体器件参数分析仪之数字源表认准普赛斯仪表
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iv测试仪+半导体分立器件IV扫描仪器
- 品牌:武汉普赛斯
- 型号: S300B
- 产地:武汉
iv测试仪+半导体分立器件IV扫描仪器就找普赛斯仪表,普赛斯数字源表作为电压源和或电流源,并同步测量电流和或电压,支持四象限工作。可以限定电压或电流输出大小,预防器件损坏。覆盖0-3A的电流范围0-300V的电压范围,全量程测量精度0.03%。
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高电压/大电流IGBT静态参数测试设备
- 品牌:武汉普赛斯
- 型号: PMST-3500V
- 产地:武汉
普赛斯仪表推出的高电压/大电流IGBT静态参数测试设备主机内部采用的电压、电流测量单元,均采用多量程设计,测试精度为0.1%。其中,栅极-发射极,最大支持30V@10A脉冲电流输出与测试,可测试低至pA级漏电流;集电极-发射极,最大支持6000A高速脉冲电流,典型上升时间为15μs,且具备电压高速同步采样功能
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半导体电性能IV+CV测试仪
- 品牌:武汉普赛斯
- 型号: S300B
- 产地:武汉
半导体电性能IV+CV测试仪认准普赛斯仪表,武汉普赛斯是国内醉早生产源表的厂家,产品系列丰富:产品覆盖不同的电压、电流范围,产已经过了市场的考验、市面有近500台源表在使用,市场占有率高;SXXB系列高精度数字源表,相比于传统S系列源表,直流更大、精度更高、准确度提升至±0.03%,直流电流升级至3A,可为半导体行业提供更加精准、稳定的测试方案
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光耦特性曲线测试设备
- 品牌:武汉普赛斯
- 型号: PMST-3500V
- 产地:武汉
普赛斯仪表光耦特性曲线测试设备集多种测量和分析功能一体,可以精准测量不同封装类型功率器件(如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半导体等)的静态参数,具有高电压和大电流特性、μΩ级J确测量、nA级电流测量能力等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容,如输入电容、输出电容、反向传输电容等。
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led反向漏电流测试设备
- 品牌:武汉普赛斯
- 型号: PMST-3500V
- 产地:武汉
普赛斯led反向漏电流测试设备,集多种测量和分析功能一体,可以精准测量IGBT功率半导体器件的静态参数,具有高电压和大电流特性、uQ级精确测量、nA级电流测量能力等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容,如输入电容、输出电容、反向传输电容等
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二极管反向击穿电压测试设备
- 品牌:武汉普赛斯
- 型号: PMST-3500V
- 产地:武汉
普赛斯二极管反向击穿电压测试设备,集多种测量和分析功能一体,可以精准测量IGBT功率半导体器件的静态参数,具有高电压和大电流特性、uQ级精确测量、n安级电流测量能力等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容
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第三代半导体晶圆测试高电压大电流源
- 品牌:武汉普赛斯
- 型号: HCPL100型
- 产地:武汉
静态参数主要是指本身固有的,与其工作条件无关的相关参数。主要包括:栅极开启电压、栅极击穿电压、源极漏级间耐压、源极漏级间漏电流、寄生电容(输入电容、转移电容、输出电容),以及以上参数的相关特性曲线的测试。第三代半导体晶圆测试高电压大电流源认准普赛斯仪表
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功率半导体行业测试设备
- 品牌:武汉普赛斯
- 型号: PMST-3500V
- 产地:武汉
普赛斯仪表功率半导体行业测试设备,采用多量程设计,测试精度为0.1%。其中,栅极-发射极,最大支持30V@10A脉冲电流输出与测试,可测试低至pA级漏电流;集电极-发射极,最大支持6000A高速脉冲电流,典型上升时间为15μs,且具备电压高速同步采样功能;最高支持3500V电压输出,且自带漏电流测量功能。
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半导体器件I-V测试系统
- 品牌:武汉普赛斯
- 型号: S100B
- 产地:武汉
实施半导体分立器件特性参数分析的最佳工具之一是数字源表(SMU)。数字源表可作为独立的恒压源或恒流源、伏特计、安培计和欧姆表,还可用作精密电子负载,其高性能架构还允许将其用作脉冲发生器、波形发生器和自动电流-电压(I-V)特性分析系统,支持四象限工作。半导体器件I-V测试系统认准普赛斯仪表
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高电压and大电流igbt测试机
- 品牌:武汉普赛斯
- 型号: PMST-3500V
- 产地:武汉
普赛斯数字源表集电压源、电流源、电压表、电流表、电子负载功能于一体,支持四象限工作、微弱电流10pA输出测量、3500V高压下nA级测量、1000A脉冲大电流输出,全系列产品丰富,高电压and大电流igbt测试机认准普赛斯仪表
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大功率半导体激光器芯片测试设备老化系统
- 品牌:武汉普赛斯
- 型号: LDBIxx系列
- 产地:武汉
针对千瓦级大功率半导体激光器,普赛斯推出国产化极优性价比大功率激光器老化测试系统解决方案.设备可扩展至4层结构,每层设计若干路,每路支持1-16只激光器芯片的串联老化。大功率半导体激光器芯片测试设备老化系统认准普赛斯仪表
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第三代半导体功率器件测试系统
- 品牌:武汉普赛斯
- 型号: PMST-3500V
- 产地:武汉
普赛斯第三代半导体功率器件测试系统,集多种测量和分析功能一体,可以精准测量不同封装类型功率器件(如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半导体等)的静态参数,具有高电压和大电流特性、μΩ级J确测量、nA级电流测量能力等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容,如输入电容、输出电容 、反向传输电容等。
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半导体测试iv参数用源表
- 品牌:武汉普赛斯
- 型号: S300B
- 产地:武汉
普赛斯S系列、P系列源表标准的SCPI指令集,Y秀的性价比,良好的售后服务与技术支持,普赛斯仪表是手家国产数字源表生产厂家,产品已经历3年迭代完善,对标2400、2450、2611、2601B、2651、2657等;半导体测试iv参数用源表认准普赛斯仪表
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功率半导体测试平台1700V/1000A
- 品牌:武汉普赛斯
- 型号: PMST-3500V
- 产地:武汉
普赛斯功率半导体测试平台1700V/1000A,集多种测量和分析功能一体,可以精准测量IGBT功率半导体器件的静态参数,具有高电压和大电流特性、uQ级精确测量、nA级电流测量能力等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容,如输入电容、输出电容、反向传输电容等。
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igbt静态测试设备价格
- 品牌:武汉普赛斯
- 型号: PMST-3500V
- 产地:武汉
普赛斯PMST功率器件静态参数测试系统,集多种测量和分析功能一体,可以精准测量不同封装类型功率器件(如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半导体等)的静态参数,具有高电压和大电流特性、μΩ级J确测量、nA级电流测量能力等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容,如输入电容、输出电容、反向传输电容等。igbt静态测试设备价格找普赛斯仪表专员为您解答!
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功率器件IGBT静态参数测试系统
- 品牌:武汉普赛斯
- 型号: PMST-3500V
- 产地:武汉
IGBT静态参数主要包含:栅极-发射极阈值电压VGE(th)、栅极-发射极漏电流lGEs、集电极-发射极截止电流lcEs、集电极-发射极饱和电压VcE(sat)、续流二极管压降VF、输入电容Ciss、输出电容Coss、反向传输电容Crsso等,功率器件IGBT静态参数测试系统认准普赛斯仪表
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半导体I-V特性测试仪器
- 品牌:武汉普赛斯
- 型号: S100B
- 产地:武汉
普赛斯五合一高精度数字源表(SMU)在半导体IV特性测试方面拥有丰富的行业经验,为半导体分立器件电性能参数测试提供全面的解决方案,包括二极管、MOS管、BJT、IGBT、二极管电阻器及晶闸管等。此外,普赛斯仪表还提供适当的电缆辅件和测试夹具,实现安全、精确和可靠的测试,半导体I-V特性测试仪器认准普赛斯仪表
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半导体分立器件静态测试系统
- 品牌:武汉普赛斯
- 型号: PMST-3500V
- 产地:武汉
普赛斯半导体分立器件静态测试系统集多种测量和分析功能一体,可晶准测量功率器件(如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半导体等)的静态参数,电压可高达10KV,电流可高达6KA。该系统可测量不同封装类型的功率器件的静态参数,具有高电压和大电流特性,uΩ级电阻,pA级电流晶准测量等特点
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功率半导体器件静态测试机1700V/1000A
- 品牌:武汉普赛斯
- 型号: PMST-1000A
- 产地:武汉
单台Z大3500V输出; 单台Z大1000A输出,可并联后Z大4000A; 15us的超快电流上升沿; 同步测量; 国标全指标的自动化测试; 可定制夹具; nA级电流和uΩ级电阻测量;
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半导体参数IV曲线扫描仪+电性能测试设备
- 品牌:武汉普赛斯
- 型号: S100B
- 产地:武汉
半导体参数IV曲线扫描仪+电性能测试设备认准普赛斯仪表,普赛斯仪表推出更高精度、更大直流的SXXB系列高精度数字源表,相比于传统S系列源表,准确度提升至±0.03%,直流电流升级至3A,可为半导体行业提供更加晶准、稳定的测试方案S型数字源表应用优势:1、多功能测量需求下的广泛的适应性,电压高达300V,电流低至30pA;2、实现“源”的输出和“表”的测量同步进行,提高测试效率。3、具备对测试器件的保护功能,可进行自我限制,避免因过充而造成的对测试器件的损害;精确的电压电流限制功能,为器件提供完善的保护功
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1700V/1000A功率器件静态测试设备
- 品牌:武汉普赛斯
- 型号: PMST-1000A
- 产地:武汉
普赛斯1700V/1000A功率器件静态测试设备,集多种测量和分析功能一体,可以精准测量不同封装类型功率器件(如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半导体等)的静态参数,具有高电压和大电流特性、μΩ级J确测量、nA级电流测量能力等特点
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igbt模块测试设备
- 品牌:武汉普赛斯
- 型号: PMST-3500V
- 产地:武汉
普赛斯仪表igbt模块测试设备集多种测量和分析功能一体,可以精准测量不同封装类型功率器件(如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半导体等)的静态参数,具有高电压和大电流特性、μΩ级J确测量、nA级电流测量能力等特点
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igbt测试设备+igbt测试仪
- 品牌:武汉普赛斯
- 型号: PMST-3500V
- 产地:武汉
igbt测试设备+igbt测试仪集多种测量和分析功能一体,可以精准测量不同封装类型功率器件(如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半导体等)的静态参数,具有高电压和大电流特性、μΩ级J确测量、nA级电流测量能力等特点
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半导体参数测试仪支持高电压+大电流
- 品牌:武汉普赛斯
- 型号: S300B
- 产地:武汉
普赛斯数字源表集电压源、电流源、电压表、电流表、电子负载功能于一体,支持四象限工作、微弱电流10pA输出测量、3500V高压下nA级测量、1000A脉冲大电流输出,全系列产品丰富,半导体参数分析仪支持高电压+大电流就找普赛斯仪表
- 半导体参数测试仪
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