从上世纪90年代初开始,世界范围内掀起了研究高亮度LED的热潮,以它为基础的固体照明正在迅猛发展。因为高亮度LED采用双异质结构,要求材料具有良好的晶格匹配,这个要求对用于异质结LED的材料体系提出了严格的限制。 Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体材料,拥有优良的光电性质,化学性质非常稳定,可在⾼高温、酸碱、辐射环境下使⽤用,并且禁带宽度大,因此在大功率的电子器件方面颇具吸引力,已引起了国内外众多研究者的兴趣。人们感兴趣的Ⅲ-Ⅴ族氮化物是AIN、GaN、InN及其合金,通过控制它们各自的组份,其禁带宽度可从InN的0.7eV到GaN的3.4eV直到AlN的6.2eV连续变化,覆盖了整个可见光区,并扩展到紫外范围,适合制备高亮度LED。
光谱测量设备采用的是卓立汉光公司自行组建的OmniPL组合式光致发光和电致发光测量系统。
测试原理
实验设备
实验结果
1.光致发光(PL)光谱测量分别针对材料的正极(红色)和负极(绿色)测试得到光致发光光谱曲线如下,GaN的本征发光峰365nm附近以及黄带,InGaN的发光峰475nm附近。
将材料的接到直流电源的正负极,电压加到2.5V时可以有明显的蓝光发射,测量其电致发光光谱曲线如下(红色),峰值在475nm附近。(绿色曲线为另一个样品ZnO的PL谱)!
(来源:北京卓立汉光仪器有限公司)
半导体发光就是电子空穴在复合,光致发光是用光子吸收将电子推向高能态,电致发光是电流注入的方式,同样是将电子
[报告简介]显微拉曼光谱经常用来表征包括化学、磁性、电子、对称性和二维材料的层取向在内的各种性质。材料的多种
随着光致发光(PL)研究的发展,对测量微弱的光致发光信号的高灵敏度仪器的需求日益增长。除了具有良好杂散光抑 制
要点光致发光和电致发光是有机发光二极管(OLED)视觉显示发展的重要技术。与共聚焦显微镜相结合,使用RMS1
电子产品的种类很多,大部分是室内产品,涉及到的电子产品的标准主要是IEC
UV-VIS是测材料的透射,反射和吸收的仪器,通过测出的透射或者吸收谱就能拟合出该材料的禁带宽度。而荧光光谱
《半导体测试制程介绍》 测试制程乃是于IC构装后测试构装完成的产品之电性功能以保证出厂
随着疫情三年的结束,大家又开始马不停蹄出差、旅游、返乡,生活的压力让人喘不过气。更别提出行的时候,还需要背一
标准:《GB 4544-1996 啤酒瓶》由国家技术监督局于1996年6月25日批准,并于1997年1月1日正式
半导体产业概述ZG大陆是2019年唯yi半导体材料增长市场。近年来半导体材料销售额达到 519 亿美元,大陆地区