BTL5-A11-M1100-P-S32
- 上传人: 上海宁新成套设备有限公司 |大小:423.8KB|浏览:524次|时间:2018-11-02
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订货代码:BTL02UWBTL5-A11-M1100-P-S32关键特征结构型号系列,型面结构接口模拟接口,电压接口插接器,M16工作电压20.0…28.0V分辨率≤±2m许可/一致性CEcURus用于动态规则应用No一般特征BALLUFF/巴鲁夫位移传感器BTL5-A11-M1100-P-S32DiagnosticCoverage0%FunctionalSafetyNoMissionTime0aMTTF(40°C)93a产品组别微脉冲位移传感器代数Generation5反极性保护是防护等级符合IEC60529IP67(带插接器)许可/一致性CEcURus电气特征超压保护是电绝缘是BALLUFF/巴鲁夫位移传感器BTL5-A11-M1100-P-S32工作电压UB,Zda,DC[V]28.0V工作电压UB,Z小,DC[V]20.0V故障信号Ua,上升≥11V故障信号Ua,下降≤-1V耗电量(24VDC)≤150mA接口模拟接口,电压接口组模拟接通峰值电流≤3A/0.5ms连接方式插接器耐电压(GND外壳)500VDC输出信号0…10V和10…0V线性偏差,Zda±0.02%FS用于动态规则应用No余波0.5Vss余波Ua,Zda5mVBALLUFF/巴鲁夫位移传感器BTL5-A11-M1100-P-S32机械特征额定长度1100mmEN55016-2-3(辐射)A级EN60068-2-27(冲击)100g/6msEN60068-2-29(持续冲击)100g/2msEN60068-2-6(振动)12g,10…2000HzEN60068-2-64(杂音)5g,10…2000HzEN61000-4-2(ESD)严重级别3EN61000-4-3(RFI)严重级别3EN61000-4-4(爆裂)严重级别3EN61000-4-5(浪涌)严重级别2EN61000-4-6(HF场)严重级别3EN61000-4-8(磁场)严重级别4TK,典型(在500mm的50%时)≤35ppm/K仓储温度,Zdi-40°C仓储温度,Z高100°C测量值率(根据长度)1kHz,standardBALLUFF/巴鲁夫位移传感器BTL5-A11-M1100-P-S32插头类型M16电极数8电缆/插头出线轴向额定长度1100mm分辨率≤±2m固定方式固定夹规格规格P环境温度Ta,Zda85°C环境温度Ta,Z小-40°C结构型号系列,型面结构空气湿度<90%,不凝结零点73.0mm外壳材料阳极化铝重复精度≤0.1mVBALLUFF/巴鲁夫位移传感器BTL5-A11-M1100-P-S32
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