薄膜沉积设备PECVD MVS
公司简介
MVSystems, Inc. 由曼登博士（Dr. Arun Madan）创建于1989年。
曼登博士曾在英国丹迪大学从师于斯皮尔（Walter Spear)教授，是1970年代从事非晶硅材料和器件研究的人员之一。
曼登博士在非晶硅薄膜晶体管（TFT)方面进行了开创性的研究，这是他的博士论文的主要内容之一。非晶硅薄膜晶体管现已成为平板显示器中必不可缺的重要器件。
公司在薄膜半导体技术和先进的高真空半导体薄膜沉积设备方面拥有14项ZL，包括：
多腔室PECVD沉积系统 主要产品 ? 用于柔性衬底的Reel-to-reel多室系统 - 主要产品
碳热丝化学气相沉积设备 掺氟纳米硅（微晶硅）材料
P型宽带隙非晶硅材料 掺氟二氧化锡绒面透明导电膜（与日本Asahi公司合作）
公司生产制造的80多台设备已销往全世界23个国家和地区。
公司生产的主要薄膜材料和器件产品包括：
材料
器件
非晶硅（a-Si:H)
薄膜硅太阳电池
纳米(微晶)硅 (nc-Si)
薄膜晶体管
氮化硅(SiNx)，氧化硅(SiOx)，氮氧化硅(SiON)
成像器件
氧化锌(AZO)，铟锡氧化物(ITO), 二氧化锡(SnO2)
X光探测器
MVSystems公司设计，制造和提供各类单腔室和多腔室薄膜沉积设备。另外，根据用户的需求，各种
PECVD，HWCVD，和PVD腔室可以单个制造，也可配备到现有的团簇型（星型）或是直线型沉积系。我们公司的工程设计部门尽可能为用户着想，以使用户们获取他们最需要的且价格合适的设备。
R&D to
Production
可用于研发和生产
?PECVD
等离子化学气相沉积
?HWCVD
热丝化学气相沉积
?Sputter
溅射
?Anneal
退火处理
R&D Cluster tools
Cluster tool w/ 8 port locations
具有8个腔室的团簇型沉积系统
15.6x15.6cm substrates
衬底尺寸为15.6x15.6cm
Computer controlled
可完全由电脑程序控制操作运行
PECVD, HWCVD and Sputter capability
制备方式包括等离子体和热丝化学气相沉积，及溅射
R&D Cluster tools
Cluster tool w/ 10 port locations
具有10个腔室的团簇型沉积系统
15.6x15.6cm substrate
衬底尺寸为15.6x15.6cm
Computer controlled
可完全由电脑程序控制操作运行
PECVD, HWCVD, Sputter capability and in-vacuum characterization module
制备方式包括等离子体和热丝化学气相沉积，以及溅射。另外，该系统还带有一个测试腔， 用于在真空中测试所制备样品的光电子性能。
R&D Cluster tools
Cluster tool w/ 8 port locations
具有8个腔室的团簇型沉积系统
30x40cm substrate
衬底尺寸为30x40cm
Computer controlled
可完全由电脑程序控制操作运行
PECVD, HWCVD and Sputter capability 制备方式包括等离子体和热丝化学气相沉积，及溅射。
Silicon Nitride Coating Systems for Multi-crystalline Silicon Solar Cells
用于制备多晶硅太阳电池的氮化硅涂层沉积设备
In-Line PECVD system for HIT junctions
用于制备GX异质结太阳电池的直线型等离子体化学气相沉积系统
Throughput: 18
Reel to Reel Cassette System
Cassette houses flexible material
卷筒用于装载柔性衬底材料
Cassette transported from one process chamber to another via a robotic handler
制备薄膜时，卷筒可由真空机器手从一个腔室输送至另一个腔室
Advantages 此沉积系统的优点
- Eliminates cross-contamination 在制备多层膜器件时消除了交互掺杂影响
- Flexibility to adjust parameters on any part of the process. 制备薄膜时，能灵活控制各种运转沉积参数
- Down time reduced, i.e. each chamber can be serviced independently 因每个腔室可单独维护，减少了停机非运转时
Reel to Reel Cassette Cluster tools
Cluster tool w/ 8 port locations
具有8个腔室的团簇型沉积系统
15cm and 30cm webwidth
柔性衬底的宽度可从15cm至30cm
Computer controlled
可完全由电脑程序控制操作运行
PECVD, HWCVD and Sputter capability
制备方式包括等离子体和热丝化学气相沉积，及溅射
Amorphous silicon- intrinsic and doped (n+ and p+ type).
非晶硅本征和掺杂(n+ and p+ 型)膜。
Nano (or micro) crystalline silicon (intrinsic and doped)
纳米（或者微晶）硅 (本征和掺杂)膜。
Dielectrics (SiNx, SiOx)
介质薄膜(如SiNx, SiOx)。
Transparent conducting oxides (ITO, AZO)
透明导电薄膜 (如ITO，AZO)。
Solar cells, TFT’s, imaging and memory devices etc. 太阳电池，非晶硅薄膜晶体管，电子成像和存储器件等。
In-house Cluster Tool
Substrate: 30x40cm
DC, RF, pulsed-RF, VHF
