IGBT测试仪

针对IGBT的各种静态参数而研制的智能测试系统 功率源 3000V200A

EN-3020B型分立器件测试仪是用于二极管、IGBT和MOSFET的静态参数测试。系统的测试原理符合相应的国家标准、军标，系统为独立式单元，封闭式结构，具有升级扩展潜能。

EN-2020A半导体器件动态参数测试系统，该系统是针对IGBT器件的开关性特性及IGBT内部续流二极管的反向恢复特性而专门设计的一套全自动测试系统，适用于电流不超过1500A和集电极电压不超过35...

EN—3020C测试系统（以下简称系统）是西安易恩电气科技有限公司推出的IGBT静态测试系统，该系统符合国军标GJB128-86和国家标准GB/T 4587-94测试规范。 系统适合工厂、研究所用做...

绝缘栅双极型晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor，简称IGBT）作为功率开关器件，具有载流密度大、饱和压降低等 许多优点， 但是由于其长期工作在高电...

IGBT高压反偏试验是在一定温度条件（125℃）下，按照规定的时间和电压，对IGBT施加反偏电压，从而对器件进行质量检验和耐久性评估的一种主要试验方法。 DBC-320测试台是专为IGBT模块进行高...

该系统符合MIL-STD-750D METHOD-1038.3、GJB128、 JEDEC标准试验要求。可供半导体器件配以适当的温度可控装置， 作交流阻断（或反偏）耐久性/ 筛选试验。能满足IGBT进...

1）该测试系统是一套动态参数测试系统，所以对设备的分布参数，低感结构要求较高，难度比较大； 2）该测试系统涉及到多单元模块测试，其适配器的设计及加工具有很大的技术难度； 3）该测试系统完全采用自...

1、综合参数测试，设备自身抗干扰能力高， 2、该测试系统涉及到多单元模块测试。 3、该测试系统完全采用自动控制，测试可按测试人员设定的程序进行自动测试。 4、该系统采用计算机记录测试结果，并可将...