• 行业应用
由于各种原因，CMP 研磨液中存在大颗粒、团聚体和干燥薄片。在CMP 加工过程中，这些不需要的粒子会在抛光的晶片上造成划伤。[1,2]尽管大多数研磨液供应商在生产过程中已经采用了过滤工艺降低这些不良颗粒，但是这些颗粒往往由于不稳定的化学反应和处理步骤而缓慢团聚。
形 成不良颗粒的一些假定来源包括：容器和日间槽中的干燥、稀释过程中pH 值冲击、随着时间的沉淀、运输或者存储过程中的温度波动、以及浓缩浆过度回流造成的剪切、流动受阻等。
Chemical mechanical polishing (or planarization) is th
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