SPV技术所检测的信息主要是样品表层(-般为几十纳米)的性质,因此不受基底或本体的影响,这对光敏表面的性质及界面电子转移过程的研究显然很重要。由于表面电压技术的原理是基于检测由入射光诱导的表面电荷的变化,其检测灵敏度很高,而借助场诱导表面光电压谱技术可以用来测定半导体的导电类型(特别是有机半导体的导电类型)、半导体表面参数,研究纳米晶体材料的光电特性,了解半导体光激发电荷分离和电荷转移过程,实现半导体的谱带解释,并为研究符合体系的光敏过程和光致界面电荷转移过程提供可行性方法。
采用直流模式测试分析,采用KE源表,增加偏置光源,增加样品台
系统采用500W进口德国欧司朗氙灯,配合300mm高精度光谱
FWS-1000型ICP单道扫描光谱仪, 对稀土磁性材料NdFeB中多元素同时测定达到了准确块速操作简便之特
天津市拓普仪器有限公司原天津市光学仪器厂,是国家定点生产制造物理分光仪器的ZD企业公司现位于天津市南开区高新
天津市拓普仪器有限公司原天津市光学仪器厂,是国家定点生产制造物理分光仪器的ZD企业公司现位于天津市南开区高新
天津市拓普仪器有限公司原天津市光学仪器厂,是国家定点生产制造物理分光仪器的ZD企业公司现位于天津市南开区高新
天津市拓普仪器有限公司原天津市光学仪器厂,是国家定点生产制造物理分光仪器的ZD企业公司现位于天津市南开区高新
天津市拓普仪器有限公司原天津市光学仪器厂,是国家定点生产制造物理分光仪器的ZD企业公司现位于天津市南开区高新
通过DTPA法对土壤样品进行浸提,采用连续光源原子吸收光谱仪,直接对滤液进行多元素同时测定,克服传统原子吸收