ALD设备:ALD原子层沉积可以满足膜厚控制以及高深宽比结构的保形沉积,这方面ALD原子层沉积远超过其它沉积技术。由于前驱体流量的随意性不会带来影响,所以在ALD原子层沉积中有序、自限制的表面反应将会带来非统计的沉积。这使得ALD原子层沉积膜保持高度的光滑、连续以及无孔的特性,可以提供优异的薄膜性能。ALD原子层工艺也可以实现到大基片上。
ALD设备应用:
Oxides氧化物: Al2O3, HfO2, La2O3, SiO2, TiO ZnO, In2O3,etc
Nitrides氮化物: AlN, TiN, TaN, etc..
Photovoltaic and MEMS applications光伏及MEMS应用.
Nano laminates纳米复合材料
高K介质
疏水性涂覆
钝化层
高深宽比扩散阻挡层的铜连接
微流控应用的保形性涂覆
燃料电池中诸如催化层的单金属涂覆
本文转载自:冶金分析2007年第12期 作者:朱利亚,赵忆宁,赵辉, 杨光辉,黄章杰,陈云江,朱武勋,刘云
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