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膜去溶剂化进样ICPMS法直接测定电子级高纯过氧化氢中痕

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摘要:用ARIDUS膜去溶剂化进样器,在ICPMS的标准状态(STD)和冷焰状态(PS)测定电子级高纯过氧化氢中的34个痕量金属杂质,用铟作内标可补偿基效应,方法检出限为0.1~70ng/L,加标回收率为9O ~l1O ,长时间相对标准偏差(RSD)小于5 ,ICPMS测定结果与ICP光谱测定结果基本一致,ICPMS提高了分析的准确性和工作效率关键词:电子级高纯过氧化氢;ICPMS;痕量金属杂质;膜去溶剂化进样 莱伯泰科Aridus II膜去溶雾化系统
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