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等离子清洗机清洗机理

等离子体是正离子和电子的密度大致相等的电离气体。由离子、电子、自由激进分子、光子以及中性粒子组成。是物质的第四态。

通常情况下,人们普遍认为的物质有三态:固态、液态、气态。区分这三种状态是靠物质中所含能量的多少。气态是物质的三个状态中Zgao的能量状态。

给气态物质更多的能量,比如加热,将会形成等离子体。当到达等离子状态时,气态分子裂变成了许许多多的高度活跃的粒子。这些裂变不是的,一旦用于形成等离子体的能量消失,各类粒子重新结合,形成原来的气体分子。

等离子体技术在本世纪六十年代起就开始应用于化学合成、薄膜制备、表面处理和精细化工等领域,在大规模或超大规模集成电路工艺干法化、低温化方面,在近年来也开发应用了等离子体聚合、等离子体蚀刻、等离子体灰化及等离子体阳极氧化等全干法工艺技术。等离子清洗技术也是工艺干法化的进步成果之一。

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与湿法清洗不同,等离子清洗的机理是依靠处于“等离子态”的物质的“活化作用”达到去除物体表面污渍的目的。从目前各类清洗方法来看,可能等离子体清洗也是所有清洗方法中Z为彻底的剥离式的清洗。

干法工艺与湿法清洗的主要区别如下:

就反应机理来看,等离子体清洗通常包括以下过程:

a.无机气体被激发到等离子态。

b.气相物质被吸附在固体表面。

c.被吸附基团与固体表面分子反应生成产物分子。

d.产物分子解析形成气相。

e.反应残余物脱离表面。


气体被激发到等离子态有多种方式,如激光、微波、电晕放电、热电离、弧光放电等多种方式,在电子清洗中,主要是低压气体辉光等离子体。一些非聚合性无机气体(Ar2、N2、H2、O2等)在高频低压下被激发,产生含有离子、激发态分子,自由基等多种活性粒子,一般在等离子清洗中,可把活化气体分为两类,一类为惰性气体的等离子体(如Ar2、N2等);另一类为反应性气体的等离子体(如O2、H2等)。这些活性粒子能与表面材料发生反应,其反应过程如下:电子--气体分子--激发--激发态分子--清洗(浸蚀、溅射)离解自由基在这一过程中等离子体能有效地使材料表面层中产生大量自由基,这种作用在高分子表面特别明显。在半导体领域,反应性等离子体的研究很早就十分活跃。如,CF4和O2混合的等离子体清洗。我们可以通过控制CF4的流量来控制反应的进度。

等离子清洗技术的Zda特点是不分处理对象的基材类型,均可进行处理,如金属、半导体、氧化物和大多数高分子材料(如:聚丙烯、聚脂、聚酰亚胺、聚氯乙烷、环氧、甚至聚四氟乙烯)等原基材料都能很好地处理,并可实现整体和局部以及复杂结构的清洗。清洗的重要作用之一是提高膜的附着力,如在Si衬底上沉积Au膜,经Ar等离子体处理掉表面的碳氢化合物和其它污染,明显改善了Au的附着力。等离子体处理后的基体表面,会留下一层含氟化物的灰色物质,可用溶液去掉。同时有利于改善表面沾着性和润湿性。在清洗过程中经等离子体表面活化形成的自由基,能够进一步加成特定官能团,这种特定官能团的引入,特别是含氧官能团,对改善材料的沾着性和湿润性能起着明显的作用。实验表明:不仅引入氧的等离子体,而且,Ar,N等的等离子体同样能导入含氧的官能团。Z典型的是当高分子材料与氧等离子体接触时在刚生成的自由基位置羟基化或羧基化。

针对不同的等离子体,可能都会有一定种类的副产物出现,如四氟化碳与氧的等离子体在和聚合物发生反应裂解成水蒸汽、二氧化碳、和少量氢氟酸,这些氢氟酸是反应的副产品,有毒,但可用碱式湿法洗涤器去除。

等离子工艺常规的化学清洗具有若干优势,等离子由于使用电能催化化学反应而不是热能,因此提供了一个低温环境。等离子排除了由于湿式化学清洗带来的危险,并且与其它清洗方式相比的Zda优势在于清洗后无废液。总之,等离子工艺是一种简单到几乎不需管理的清洗工艺。


2005-03-19 浏览次数:1099次
本文来源:https://www.yiqi.com/daogou/detail_2787.html
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