分子束外延系统主要功能和技术参数

分子束外延系统为一种在物理学、化学、材料科学领域应用的分析仪器。

近十几年来在半导体工艺中发展起来的一项新技术包括分子束外延技术，其在超高真空条件下，类似于真空蒸发镀把构成晶体的各个组分和予掺杂的原子(分子)，通过一定的热运动速度，根据一定的比例由喷射炉中往基片上喷射去进行晶体外延生长而对单晶膜进行制备的一种方法。简称为MBE法。

分子束外延系统主要功能

基于传统的分子束外延（MBE）和脉冲激光沉积系统（PLD）发展出来了激光分子束外延系统（LMBE）。脉冲激光沉积系统（PLD）结合对原位监测进行提供的反射高能电子衍射仪（RHEED），使得与分子束外延系统（（MBE）类似的单原子层精度的薄膜生长得以实现。与分子束外延系统（（MBE）的热蒸发相比较，其为通过脉冲激光的高能量蒸发甚至电离材料，所以被叫做激光分子束外延系统（LaserMBE）。激光分子束外延系统（LaserMBE）属于高端薄膜制备设备，对于各种纳米尺度的单层膜或多层膜的生长十分适用。

分子束外延系统技术指标

超高真空沉积腔体，本底真空比10-9mbar要好，能够与如磁控溅射源、离子源、STM、XPS等多种薄膜制备以及表面分析设备集成。能够利用软件对工艺流程进行编写，自动执行系统，能够使多层膜的自动化生长得以实现。将原位监测的RHEED提供给激光分子束外延系统的电子枪一般需要在较高的真空环境下进行工作（低于10-6mbar），然而在成膜过程中，较高的工艺压力一般为LMBE系统所需要。