分子束外延发展

分子束外延系统为一种在物理学、化学、材料科学领域应用的分析仪器。

近十几年来在半导体工艺中发展起来的一项新技术包括分子束外延技术，其在超高真空条件下，类似于真空蒸发镀把构成晶体的各个组分和予掺杂的原子(分子)，通过一定的热运动速度，根据一定的比例由喷射炉中往基片上喷射去进行晶体外延生长而对单晶膜进行制备的一种方法。简称为MBE法。

分子束外延发展

迁移增强外延技术（MEE）和气源分子束外延（GS-MEE）技术随着MBE技术的发展得以出现。自1986年问世以来，MEE技术的发展非常迅速

在砷化镓的MBE过程中，在镓原子到达表面以后不能够马达和砷原子发生表面反应生长砷化镓层，而是在衬底表面使镓原子保持一个较长的距离，使得表面台阶处成核生长达到。其在非常低的温度下（200摄氏度），也可以将高质量的外延层生长出来，对于镓和砷的束流强度的控制为较为关键的问题，不然会对表面的质量有所影响。气源迁移增强外延在近年来出现了.新的工艺研究方向为硅基低维材料的制作开辟了.为了对难以控制难以控制的问题发展气源MBE技术.发展起了气源MBE技术MBE方法生长InP系的主要困难通过继续对固态IV族元素和杂质源加以采用,再用砷烷和磷烷作为V族元素源来加以解决.