分子束外延系统影响

分子束外延系统为一种在物理学、化学、材料科学领域应用的分析仪器。

近十几年来在半导体工艺中发展起来的一项新技术包括分子束外延技术，其在超高真空条件下，类似于真空蒸发镀把构成晶体的各个组分和予掺杂的原子(分子)，通过一定的热运动速度，根据一定的比例由喷射炉中往基片上喷射去进行晶体外延生长而对单晶膜进行制备的一种方法。简称为MBE法。

分子束外延系统影响

MBE的问世在超薄层材料外延生长技术方面实现了原子、分子数量级厚度的外延生长。使得可以带工程这一新的半导体领域得到了开拓。对于半导体物理学和信息科学，半导体材料科学的发展所起到的推动作用非常的积极。微电子技术，光电子技术，超导电子技术及真空电子技术均是基于此。从历史来观，在现代半导体器件的发展中，外延技术的进展和用它制成所要求的结构所起到的作用不可或缺。BE的出现无疑对科学家和工程师们的想象力产生了激发的作用，并且提供了挑战的机会给它们。分子束外延技术的发展对以GaAs为主的III-V族半导体及其它多元多层异质材料的生长起到了推动作用，使新型微电子技术领域的发展得到了大大的促进，使GaAs IC、GeSi异质晶体管及其集成电路以及各种超晶格新型器件造就了。尤其是GaAs IC（以MESFET、HEMT、HBT以及以这些器件为主设计和制作的集成电路）和红外及其它光电器件，在军事应用上的意义相当的重要。