反应磁控溅射广泛使用的缘由

磁控溅射仪为一种用于物理学领域的分析仪器，于2015年05月25日启用。

磁控溅射为物理气相沉积的一种。金属、半导体、绝缘体等多材料的制备通常会采用一般的溅射法，其的特点为有着较为简单的设备，控制起来不困难，有着较大的镀膜面积以及有着较强的附着力等。在上世纪 70 年代发展起来的磁控溅射法更是使高速、低温、低损伤得以实现。由于高速溅射是在低气压下进行，必须要使气体的离化率得到有效地提高。磁控溅射利用将磁场往靶阴极表面引入，通过磁场约束带电粒子来使得等离子体密度提高进而使得溅射率增加。

反应磁控溅射

靶阴极材料可以采用金属、合金、低价金属化合物或半导体，在基片表面沉积成膜过程中或者在溅射过程中和气体粒子发生反应使得化合物薄膜生成，此即为反应磁控溅射。在化合物薄膜的大批量生产中广泛应用反应磁控溅射广，有如下四点原因：

1、反应磁控溅射沉积过程中，基板升高较小的温度，并且在制膜过程中对基板进行高温加热一般也不会被要求，所以很少会限制基板材料的。

2、反应磁控溅射对于大面积均匀薄膜的制备相当适用，并且可以使单机年产上百万平方米镀膜的工业化生产得以实现。

3、反应磁控溅射所用的反应气体 ( 氧、氮、碳氢化合物等 ) 以及靶材料 ( 单元素靶或多元素靶 )均具有相当高的纯度，所以对于高纯度的化合物薄膜的制备相当的有帮助。

4、通过对反应磁控溅射中的工艺参数的调节，能够对化学配比或非化学配比的化合物薄膜进行制备，薄膜特性也可以通过对薄膜的组成的调节来进行调控。