气相沉积技术概述

气相沉积技术是对气相中发生的物理、化学过程加以利用，对工件表面成分进行改变，使得具有特殊性能(例如超硬耐磨层或具有特殊的光学、电学性能)的金属或化合物涂层在表面形成的新技术。气相沉积一般是将厚度大概为0.5-10微米的一层过渡族元素(钛、钒、铬、锆、钼、钽、铌及铪)与碳、氮、氧和硼的化合物覆盖于工件表面。气相沉积根据过程的本质包括物理气相沉积以及化学气相沉积两大类。气相沉积为强化模具表面的新技术之一，已经在各类模具的表面硬化处理方面得到了非常广泛地应用。TiC，TiN为主要应用的沉积层。

气相沉积技术概述

但是，事实上，反应室中的反应相当的复杂，必须要考虑的因素相当的多，沉积参数有着相当宽的变化范围。沉积参数会因为诸如是否需要其它反应室外的外部能量来源、反应的中间产品起的作用、一种气体相对于另一种气体的比率、气体的化学成份、气体通过晶片的路程、气体的流动速率、晶片的温度以及反应室内的压力所加速或诱发。诸如等离子体能量为诸如等离子体能量，当然会有如离子与中性气流的比率，离子能和晶片上的射频偏压等一整套新变数产生。

之后，对沉积薄膜中的变数进行考虑：如结晶晶向和缺陷密度，薄膜的化学配比(化学成份和分布状态)以及在整个晶片内厚度的均匀性和在图形上的覆盖特性(后者指跨图形台阶的覆盖)。当然，一个重要的因素为沉积速率，反应室的产出量取决于沉积速率这一重要的因素。需要折中考虑薄膜的高质量与高的沉积速率。反应生成的膜除了会在晶片上沉积，而且也会在反应室的其他部件上沉积，非常重要的是对反应室进行清洗的次数和彻底程度。