赛默飞半导体助力后摩尔时代的“芯”航程

随着“后摩尔时代”的到来，半导体器件的架构日趋复杂，伴随而来的应用场景也不断繁增。随着世界能源的消耗增长，对电力电子器件的需求越来越大，从便携式设备、电动汽车等消费者领域到工业自动化、可再生能源等工业领域，一切设备都需要更高效率、更可靠的功率半导体器件如绝缘栅双极型晶体管（IGBT）、金氧半场效晶体管（MOSFET）和高电子迁移率晶体管（HEMT）等。

显示技术也日新月异，已经成为我们日常生活不可或缺的组成部分。从各种消费者器件到大型灯箱广告，以及流行的车载显示和虚拟现实等高新显示技术，都推动了显示器件从传统的液晶显示（LCD）过渡到有机发光二极管（OLED）以及微发光二极管（micro-LED）等新技术。

“后摩尔时代”也给器件的封装带来了更多挑战，设备的便携化要求器件封装可以提升器件整体性能，集成更多功用，同时要减少能耗。这些挑战使得器件封装开始向三维层次发展，推动了异构集成（Heterogeneous Integration）封装技术成为“后摩尔时代“的重要支柱。

这些新技术的诞生为半导体器件生产过程中的良率提升及失效分析带来了新的挑战。

一方面各种器件结构的复杂化使得制程偏差带来的关键结构缺陷变得更加不容易被发现。还原缺陷结构的原貌通常需要大量并快速的移除器件结构中多余的材料，同时可以有效进行根本性分析。

另一方面，新材料的研发也在推动“后摩尔时代“的半导体器件实现更高的性能，并运用到更多环境当中。例如基于第三代化合物半导体材料的宽带隙功率器件使制造更高性能、更可靠的组件成为可能，这些组件可以使功率效率提升并在更严苛的操作环境下使用。然而，这些材料面临生产过程中良率提升的需求，也会引入新的失效模式。

因此，如何快速有效的提升良率，并对失效进行关键性分析，就成为半导体工业界所面临的重要挑战。

为了更好的助力半导体企业在后摩尔时代的“芯“航程，快速提高良率，有效解决失效分析的难点痛点，赛默飞世尔科技带来了一场与高效率电镜技术相关的线上面对面的探讨交流，欢迎一同参加！

线上直播主题报告预告

“更快，更深，更全”——高效率双束电镜在半导体量产工业领域的应用

双束电镜是半导体工业领域过程控制以及失效分析的重要手段，它可以实现定点位置的快速加工和高分辨SEM成像，而Xe+离子FIB (PFIB) 技术有别于传统的Ga+离子，具有更高更密集的束流，可同时实现高通量的切割和高质量的表征，将数据处理时间从原先的数天或数周缩短到以分钟和小时计算，同时对于第三代半导体，Xe+离子加工技术还可有效避免Ga+污染。此报告将从FIB-SEM双束电镜的基本原理和前沿技术出发，重 点介绍Helios 5 PFIB在芯片封装、显示面板、第三代半导体等领域的应用优势。

主讲嘉宾

蔡琳玲

赛默飞世尔科技PFA业务拓展经理

赛默飞PFA商务拓展经理，10多年电镜技术支持的从业经验，具有坚实的显微镜理论基础以及丰富的实际应用经验，对于电镜产品如何助力于逻辑、存储、化合物半导体、封装以及面板类产品的研发以及良率提升有着持续和深入的研究，对于半导体工业各类样品的的失效分析方法都非常熟悉。基于她丰富的应用经验，她可以为不同行业的客户提供相适应的EFA到PFA的失效解决方案。

参与方式

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