挑战1nm制程的竟是她！MIT孔静教授团队发现原子级「铋」密武器｜前沿用户报道

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3nm，2nm, 1nm，先进制程逐渐逼近「硅」的物理极限！近日，「北大才女」孔静教授带领团队找到了代替「硅」的新兴半导体材料——铋（Bi），未来将挑战1nm以下的制程，有助于突破「摩尔定律」极限。

当「硅」达到物理极限，该怎么解？

这一困惑科学界的难题，近日就由「北大才女」孔静教授领导的一支国际联合攻关团队「破解」！

他们成功攻克了半导体领域的二维材料的连接难题，研发出半导体新材料——半金属铋（Bi）。

这项成果将使晶圆的先进制程从纳米级，微观到「原子级」。

新大陆「铋」的发现者，攻克半导体「2D」材料连接难题

目前硅基半导体已经推进到5nm和3nm，IBM也刚刚宣布了突破2nm的「PPT 工艺」。

不过，2nm之后就是1.5nm、1nm。

单位面积容纳的晶体管数量，逐渐逼近硅材料物理极限，但是效能无法逐年显著提升。

几十年来，半导体行业进步的背后存在着一条金科玉律，即「摩尔定律」。

摩尔定律表明：每隔 18~24 个月，封装在微芯片上的晶体管数量便会增加一倍，芯片的性能也会随之翻一番。

然而，硅片触及物理极限，除非找到新的方法，否则这些限制可能会使几十年的进展停滞不前。

尽管科学界对二维材料寄予厚望，却苦于无法解决二维材料高电阻、低电流等问题。

现在，麻省理工学院（MIT）的孔静教授领导的国际联合攻关团队探索了一个新的方向：使用原子级薄材料铋（Bi）代替硅，有效地将这些2D材料连接到其他芯片元件上。

这项最 新研究「Ultralow contact resistance between semimetal and monolayer semiconductors」已发表在Nature期刊上。

孔静教授是项目的领 导者，研究方向制定者并设计了实验，参与论文撰写。