“同步辐射荧光谱仪”完成验收 性能达国际主流产品水平

项目审查指项目结束未验收前的审查，或项目提报后的可行性真实性的审核检查等行为。项目审查从本质上看，是一种评估。是指按一定标准对项目的进展和表现进行比较，以发现存在的问题，从而为项目管理中的各种决策提供依据。

近日，“基于多元硅漂移探测器的高效同步辐射荧光谱仪”项目完成工艺测试收、项目财务审查。8元谱学探测系统各项技术指标均达到项目要求，总体性能已达到当前国际主流产品的水平。本轮专用光实验中，利用项目完成的基于硅漂移探测器的多元荧光谱仪还初步开展了用户样品的测试。该谱仪系统计划将于下一轮专用光实验中开展应用研究。 

硅漂移探测器一种新型的、独具优势的核辐射探测器。采用平面工艺技术，通过在硅片两表面制造特殊结构的电极，在适当的偏压下,使硅片体处于全耗尽状态，并形成一个平行于上下两表面、均匀的强电场。当带电粒子或光子穿过该耗尽层时，会损失能量并产生电子-空穴对，其中空穴被附近的电极吸收，而电子则被电场强迫向硅片的一端漂移，有效的收集这些电子，就可获得入射粒子较精确的相关信息(能量、位置、时间等)。

根据硅漂移探测器的结构特点和应用领域,大体上可分为两大类：1主要用于X—射线能谱分析这类硅漂移探测器的(电场)电极多呈圆环形或多边形结构，收集极(阳极)位于探测器中央，不管探测器灵敏面积多大，其阳极面积都非常小，这样,阳极电容也非常小，减小了串联噪声分量，降低了整个电子学噪声，并使最佳成形时间变快。

加之，硅漂移探测器中的电子漂移时间与位置有关，当多个光子(或带电粒子)同时入射时，硅漂移室能够加以分辨,从而获得特别高的计数率(可达1Mcps),而Si(Li)、高纯锗和PIN探测器在较好能量分辨的计数率都在10Kcps以下。硅漂移探测器的能量分辨好,一个50 mm~2的SDD的能量分辨达到143eV(对~(55)Fe 5.9KeV X-射线)并且工作温度较高,通常在—60℃～—20℃,有的特殊情况下甚至工作在室温,消耗功率小。

荧光谱仪是一种定性、定量分析的仪器。通过荧光光谱仪的检测，可以获得物质的激发光谱、发射光谱、量子产率、荧光强度、荧光寿命、斯托克斯位移、荧光偏振与去偏振特性，以及荧光的淬灭方面的信息。由光源、激发光源、发射光源、试样池、检测器、显示装置等组成。

荧光光谱仪可分为X射线荧光光谱仪和分子荧光光谱仪。仪器是较新型X射线荧光光谱仪，具有重现性好，测量速度快，灵敏度高的特点。能分析F(9)～U(92)之间所有元素。样品可以是固体、粉末、熔融片，液体等，分析对象适用于炼钢、有色金属、水泥、陶瓷、石油、玻璃等行业样品。无标半定量方法可以对各种形状样品定性分析，并能给出半定量结果，结果准确度对某些样品可以接近定量水平，分析时间短。薄膜分析软件FP-MULT1能作镀层分析，薄膜分析。

荧光光谱仪是研究药物与蛋白质相互作用的常用仪器。药物与蛋白质相互作用后可能引起药物自身荧光光谱和蛋白质自身荧光(内源荧光)光谱以及同步荧光光谱的变化，如荧光强度和偏振度的改变、新荧光峰的出现等，这些均可以提供药物与蛋白质结合的信息。

新闻来源：中国科学院高能物理研究所

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