参数:
硅/二氧化硅(90纳米)晶圆(4英寸直径,N型)
氧化物厚度:90纳米
颜色:紫色
晶片厚度:450微米
电阻率:1-10欧姆厘米
类型/掺杂剂:氮
方向:< 100 >
前表面:抛光
背面:蚀刻
Parameter:
Silicon/Silicon Dioxide (90 nm) Wafers (4" Diameter, n-type)
Oxide Thickness:90 nm
Color:Violet
Wafer Tickness:450 μm
Resistivity:1-10 ohm-cm
Type/Dopant:N
Orientation:<100>
Front Surface:Polished
Back Surface:Etched

报价:面议
已咨询1320次
报价:面议
已咨询687次EPM/WAI
报价:面议
已咨询746次EPM/WAI
报价:面议
已咨询697次EPM/WAI
报价:面议
已咨询71次其他
报价:面议
已咨询69次其他
报价:面议
已咨询38次其他
报价:面议
已咨询40次其他