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LDO芯片电性能测试仪器

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详细介绍

LDO,全称为“Low Dropout Regulator”,是一种低压差线性稳压元器件。其工作原理为,使用在其饱和区域内运行的晶体管或场效应管(FET),从应用的输入电压中减去超额的电压,产生经过调节的输出电压。相比于传统的DC-DC变换器,LDO具有成本低,噪音低,静态电流小的特点,需要的外接元件也很少,因此,LDO广泛应用于需要稳压输出的场景。

LDO常用的电性能参数测试,主要包括输出电压、输入输出电压差、线性调整率、负载调整率、静态电流等。由于LDO的测试需要分别采集输入与输出端的数据,因此一般情况下,测试系统至少需要配置2台SMU,并采用上位机软件(PssSMUTools)进行控制。

LDO芯片电性能测试仪器认准武汉生产厂家普赛斯仪表,详询一八一四零六六三四七六;普赛斯S系列高精度数字源表,集电压、电流输入输出及测量等多种功能于一体。产品Z大输出电压达300V,Z小测试电流量程低至100pA,支持四象限工作,因此,可广泛应用于LDO类芯片测试。详询一八一四零六六三四七六

S系列高精度数字源表特点

5寸800*480触摸显示屏,全图形化操作 

内置强大的功能软件,加速用户完成测试,如LIV、PIV

源及测量的准确度为0.1%,分辨率5位半

四象限工作(源和肼),源及测量范围:高至300V,低至10pA

丰富的扫描模式,支持线性扫描、指数扫描及用户自定义扫描

支持USB存储,一键导出测试报告

支持多种通讯方式,RS-232、GPIB及以太网


技术参数

Z大输出功率:30W,4象限源或肼模式;

源限度:电压源:±30V(≤1A量程),±300V(≤100mA量程);

电流源:±1.05安(≤30V量程),±105mA(≤300V量程);

过量程: 105%量程,源和测量;

稳定负载电容:<22nF;

宽带噪声(20MHz):2mV RMS(典型值),<20mV Vp-p(典型值);

线缆保护电压:输出阻抗1KΩ,输出电压偏移<80uV;

Z大采样速率:1000 S/s;

触发:支持IO触发输入及输出,触发极性可配置;

输出接口:前后面板香蕉头插座输出,同一时刻只能用前或者后面板接口;

通信口:RS-232、GPIB、以太网;

电源:AC 100~240V 50/60Hz;

工作环境:25±10℃;

尺寸:106mm高 × 255mm宽 × 425mm长;


S系列高精度数字源表应用

•分立半导体器件特性测试,电阻、二极管、发光二极管、齐纳二极管、PIN二极管、BJT三极管、MOSFET、SIC、GaN等器件;

•能量与效率特性测试,LED/AMOLED、太阳能电池、电池、DC-DC转换器等

•传感器特性测试,电阻率、霍尔效应等

•有机材料特性测试,电子墨水、印刷电子技术等

•纳米材料特性测试,石墨烯、纳米线等  


选择普赛斯仪表的理由:
1、国产自主研发
       技术雄厚,多项砖利,自主可控
2、可定制化方案
       聚焦鲜进器件,提供成熟可落地定制化方案
3、对标进口
       国货精品,品质保障,对标进口产品


以上是关于LDO芯片电性能测试仪器的信息,更多有关S系列源表的信息找武汉生产厂家普赛斯仪表一八一四零六六三四七六






产品优势
LDO芯片电性能测试仪器认准武汉生产厂家普赛斯仪表,普赛斯S系列高精度数字源表,集电压、电流输入输出及测量等多种功能于一体。产品最大输出电压达300V,最小测试电流量程低至100pA,支持四象限工作,因此,可广泛应用于LDO类芯片测试
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