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上海伯东射频离子源 RFICP 220
- 品牌:美国KRI
- 型号: RFICP 220
- 产地:美国
- 供应商报价: 面议
- 伯东企业(上海)有限公司 更新时间:2024-03-27 15:06:09
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企业性质授权代理商
入驻年限第10年
营业执照已审核
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KRi 射频离子源 RFICP 220
上海伯东代理美国原装进口 KRi 射频离子源 RFICP 220 高能量栅极离子源, 适用于离子溅镀, 离子沉积和离子蚀刻. 在离子束溅射工艺中, 射频离子源 RFICP 220 配有离子光学元件, 可以很好的控制离子束去溅射靶材, 实现更佳的薄膜特性. 同样的在离子束辅助沉积和离子束刻蚀工艺中, 离子光学元件能够完成发散和聚集离子束的任务. 标准配置下射频离子源 RFICP 220 离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 1000 mA.
KRI 射频离子源 RFICP 220 技术参数:阳极
电感耦合等离子体
2kW & 2 MHz
射频自动匹配最/大阳极功率
>1kW
最/大离子束流
> 1000mA
电压范围
100-1200V
离子束动能
100-1200eV
气体
Ar, O2, N2, 其他
流量
5-50 sccm
压力
< 0.5mTorr
离子光学, 自对准
OptiBeamTM
离子束栅极
22cm Φ
栅极材质
钼
离子束流形状
平行,聚焦,散射
中和器
LFN 2000, MHC 1000
高度
30 cm
直径
41 cm
锁紧安装法兰
10”CF
KRI 射频离子源 RFICP 220 基本尺寸
KRI 射频离子源 RFICP 220 应用领域:
预清洗
表面改性
辅助镀膜 (光学镀膜) IBAD,
溅镀和蒸发镀膜 PC
离子溅射沉积和多层结构 IBSD
离子蚀刻 IBE
射频离子源 RFICP 220 集成于半导体设备, 实现 8寸芯片蚀刻
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产宽束离子源, 根据设计原理分为考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专/利. KRi 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 和离子束抛光工艺 IBF 等领域, 上海伯东是美国 KRi 考夫曼离子源中国总代理.若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:
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- 产品优势
- 上海伯东代理美国原装进口 KRI 射频离子源 RFICP 220 高能量栅极离子源, 适用于离子溅镀, 离子沉积和离子蚀刻. 在离子束溅射工艺中, 射频离子源 RFICP 220 配有离子光学元件, 可以很好的控制离子束去溅射靶材, 实现完美的薄膜特性. 同样的在离子束辅助沉积和离子束刻蚀工艺中, 最佳的离子光学元件能够完成发散和聚集离子束的任务. 标准配置下射频离子源 RFICP 220 离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 800 mA.
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