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上海伯东 KRI 射频离子源 RFICP 140

品牌：美国KRI
型号： RFICP 140
产地：美国
供应商报价：面议

伯东企业（上海）有限公司更新时间：2024-03-27 15:06:09

企业性质授权代理商

入驻年限第10年

营业执照已审核

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详细介绍

因产品配置不同, 价格货期需要电议, 图片仅供参考, 一切以实际成交合同为准

KRI 射频离子源 RFICP 140
上海伯东代理美国原装进口 KRI 射频离子源 RFICP 140 是一款紧凑的有栅极离子源, 非常适用于离子束溅射沉积, 离子辅助沉积和离子束刻蚀. 在离子束溅射工艺中，射频离子源 RFICP 140 配有离子光学元件, 可以很好的控制离子束去溅射靶材, 实现更佳的薄膜特性. 同样的在离子束辅助沉积和离子束刻蚀工艺中, 离子光学元件能够完成发散和聚集离子束的任务. 就标准的型号而言, 可以在离子能量为 100~1200 eV 范围内获得很高的离子密度. 可以输出最/大 600 mA 离子流.

射频离子源 RFICP140

KRI 射频离子源 RFICP 140 技术参数:

阳极	电感耦合等离子体 1kW & 1.8 MHz 射频自动匹配
最/大阳极功率	1kW
最/大离子束流	> 500mA
电压范围	100-1200V
离子束动能	100-1200eV
气体	Ar, O2, N2,其他
流量	5-40sccm
压力	< 0.5mTorr
离子光学, 自对准	OptiBeamTM
离子束栅极	14cm Φ
栅极材质	钼, 石墨
离子束流形状	平行,聚焦,散射
中和器	LFN 2000
高度	25.1 cm
直径	24.6 cm
锁紧安装法兰	12”CF

KRI 射频离子源 RFICP 140 应用领域：
预清洗
表面改性
辅助镀膜(光学镀膜)IBAD,
溅镀和蒸发镀膜 PC
离子溅射沉积和多层结构 IBSD
离子蚀刻 IBE

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专/利. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.

若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:

上海伯东: 罗先生                               台湾伯东: 王女士
T: +86-21-5046-1322                 T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049
M: +86 152-0195-1076                   M: +886-939-653-958
www.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw

产品优势

上海伯东代理美国原装进口 KRI 射频离子源 RFICP 140 是一款紧凑的有栅极离子源, 非常适用于离子束溅射沉积, 离子辅助沉积和离子束刻蚀.
在离子束溅射工艺中，射频离子源 RFICP 140 配有离子光学元件, 可以很好的控制离子束去溅射靶材, 实现完美的薄膜特性.
同样的在离子束辅助沉积和离子束刻蚀工艺中, 最佳的离子光学元件能够完成发散和聚集离子束的任务. 就标准的型号而言, 可以在离子能量为 100~1000 eV 范围内获得很高的离子密度.
可以输出 600 mA max离子流

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