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车规IGBT静态测试系统

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详细介绍

IGBT一种是功率半导体器件,用于电力转换、变频,相当于电力电子领域的“CPU”。融合了 BJT和        MOSFET的性能优势,具有高耐压,大电流,低导通损耗等特点。
随着技术的升级,芯片面积、工艺线宽、通态功耗、关断时间、开关功耗均不断减小,器件耐压值由600V升至        7000V。其主要应用包括传统的工业控制和家电,    以及新兴的电动汽车、新能源发电等领域。普赛斯IGBT静态参数测试平台集多种测量和分析功能一体,可J准测量功率器件(MOSFET、BJT、IGBT等)的静态参数,电压可高达3KV,电流可高达4KA。该系统可测量不同封装类型的功率器件的静态参数,具有高电压和大电流特性,uΩ级电阻,pA级电流J准测量等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容,如输入电容,输出电容、反向传输电容等。详询一八一四零六六三四七六


IGBT静态测试方案.jpg



IGBT静态参数测试平台优点:

    量程范围宽—具有高电压和大电流特性,电压可高达3kV,电流可高达4000A(多模块并联)。
    测量精度高—采用多量程设计架构,各量程下均可保证0.1%精度,具有uΩ级精确测量、pA级电流测量能力。
    模块化测量单元—测量单元采用模块化设计理念,可根据测试需求搭配不同规格测量单元。系统预留有升级空间,后期可添加或升级测量单元,降低整体使用成本。
    测试效率高—内置专用开关矩阵夹具,符合国标测试要求,根据测试项目自动切换电路与测量单元,提高测试效率。

    技术指标


产品应用

功率器件如二极管、三极管、MOS管、IGBT、SIC、GaN;


IGBT静态测试要求.jpg



产品优势
车规IGBT静态测试系统集多种测量和分析功能一体,可精准测量功率器件(MOSFET、BJT、IGBT等)的静态参数,电压可高达3KV,电流可高达4KA。该系统可测量不同封装类型的功率器件的静态参数,具有高电压和大电流特性,uΩ级电阻,pA级电流精准测量等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容,如输入电容,输出电容、反向传输电容等。
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