808nm 高功率FP泵浦激光二极管 200mW

参数

符号

最小

典型

ZD

单位

中心波长

λ

807

808

809

nm

光谱线宽

Δλ

0.6

0.8

2.0

nm

阈值电流

Ith

30

40

mA

工作电流

Iop

250

350

mA

光纤输出功率

Pf

100

200

250

mW

波长调谐VS 温度

Δλ/T

0.01

nm/°C

跟踪比率(0.1Pop < Pf< Pop)1

TR

0.52

1.48

跟踪误差2

TE

-48

-

+48

监视二极管响应率

IBF

0.5

5

uA/mW

PD 暗电流 (VRD=5V)

Id

0.1

uA

消光比（PM VERSION）

PER

17

20

dB

光纤类型

HI780

正向电压

Vf

1.8

2.6

V

热敏电阻

RT

9.5

10

10.5

KΩ

热敏电阻温度系数

-4.4

%/°C

连接头

None or FC/APC

参数

符号

单位

最小

典型

ZD

测试条件

机身温度

TOP

℃

-5

25

70

芯片温度

TLD

℃

+10

25

50

工作电流

If-max

mA

0

250

350

正向电压

VR

V

0.8

1.2

1.8

TEC电流

I TEC

A

-

1.2

2.0

Tec 电压

VTEC

轴向拉力

N

-

-

5N

3x10s

侧拉力

N

-

-

2.5N

3x10s

光纤弯曲半径

16mm

-

反向电压（LD）

V

-

-

1.8

C=100pF,R=1.5KΩ，HBM

反向电压(PD)

VPD

V

-

-

10

C=100pF,R=1.5KΩ，HBM

LD 静电放电

VESD-LD

V

-

1000

PD 静电放电

VESD-PD

V

-

500

PD 正向电流

IPF

mA

-

10

铅焊接时间

S

-

10s

300℃

存储温度

TSTG

℃

-40

-

+85

2000hr

1

Thermoelectric Cooler (+)

8

N/C

2

Thermistor

9

N/C

3

PD Monitor Anode (-)

10

Laser Anode (+)

4

PD Monitor Cathode (+)

11

Laser Cathode (–)

5

Thermistor

12

N/C

6

N/C

13

Case Ground

7

N/C

14

Thermoelectric Cooler (–)