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InGaAs单光子阵列探测器组件 950～1650nm
- 品牌：上海筱晓
- 型号： MP6514S
- 产地：黄浦区
- 供应商报价： 面议
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筱晓（上海）光子技术有限公司
更新时间：2024-04-23 09:11:37 -
企业性质生产商
入驻年限第3年
营业执照已审核
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- 详细介绍
总览MP6514S型探测器组件由4x4阵列规格InGaAs单光子雪崩光电二极管(SPAD)芯片、CMOS主被动淬灭电路芯片倒焊互连而成的探测器模块与电压逆变模块、制冷模块、信号控制模块组成。在盖革工作模式下，探测器组件各像元独立、自由运行，探测0.95 ~ 1.65 μ m的近红外波段范围内微弱光信号，实时输出TTL电信号。
技术参数探测器面阵规格
性能描述
器件类型
InGaAs APD
阵列规模
4x4
像元大小
100μm x 100μm
光敏面大小[1]
85μm x 85μm
光窗
石英光窗
感光靶面至光窗外表面间距
4mm (光窗厚度为1mm )
注[1]:单片集成微透镜焦距150μm。
主要性能指标(Tc=22+3℃)
特性参数
参数指标
工作波长[1]
0.95 ~ 1.65μm
探测效率
≥10% ( 1.57 +0.05μm)
暗计数率
≤10KHz
时间抖动
≤500ps
死时间
100 ~ 1000ns可调
有效像元率
100%
注[1]:在工作波长范围内选配标准窄带滤光片。
JDZD额定值
参数
额定值
单位
工作温度范围Tc
-40～+55
°C
贮存温度范围TSTG
-40～+70
°C
ZD功耗P
15
W
输入偏置范围VR
4.9～5.5
V
静电放电敏感度ESD
1000～2000
V
质量可靠性保证
● 产品执行GJB8121-2013《半导体光电组件通用规范》相关要求。
产品特点●光谱响应波段0.95 ~ 1.65μm
●采用金属封装，器件质轻灵巧
●像元独立、自由运行
●像元可探测弱光子信号
●死时间、盖革雪崩信号检测阈值可调
通用参数封装外形结构与尺寸(单位: mm )
电学接口
●电源输入: +5V
●数据输出类型: TTL
●控制命令接口: J63A-31
●电源输入接口类型: J30J
●数据输出接口类型: J63A-31
●外触发接口: SSMA
接口编号
功能
1
SSMA-1:内同步信号输出
2
SSMA-2:外同步信号输入
3
J63A-31:输出信号端口及探测器工作设置输入信号端口
4
J30J: +5V单电源供电
产品应用●透雾、霾、烟尘等测距
●近红外激光告警
●远距离激光测距
●远距离空间激光通信
- 产品优势
- 器件类型 InGaAs APD；工作波长 950～1650nm；阵列规模 4x4；像元大小 100μm x 100μm；光敏面大小 85μm x 85μm；石英光窗；探测效率 ≥10% (1.57+0.05μm)
