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GaSe 硒化镓 NIR-IR近红外非线性光学晶体

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详细介绍

总览

GaSe(硒化镓)晶体的太赫兹振荡能达到有非常宽的频域,至41THz。GaSe是负单轴层状半导体晶体,拥有六边形结构的62m空间点群,300K时禁带宽度为2.2eV。GaSe晶体抗损伤阈值高,非线性系数大(54pm/V),非常合适的透明范围,以及超低的吸收系数,这使其成为中红外宽带电磁波振荡的非常重要的解决方案。因宽带太赫兹振荡和探测使用的是低于20飞秒的激光光源,GaSe发射-探测系统能获得与ZnTe可比的甚至更好的结果。通过对GaSe晶体厚度的选取,我们可以实现对THz波的频率可选择性控制。
注:GaSe晶体的解理面为(001),因此对该晶体使用的一个很大限制在于质软,易碎。

技术参数

主要特性

复合物

GaSe

透光率, µm

0.62 – 20

非线性系数, pm/V

d22 = 54 @10.6 µm


对称度

六方晶系, 6m2 point group


晶胞参数, Å

a=3.74, c=15.89


典型反射系数

10.6 µm
5.3 µm

no=2.6975, ne=2.3745
no=2.7233, ne=2.3966

光学损伤阈值, MW/cm2

1064 nm
(t=10 ns)

30

离散角, °

5.3 µm

4.1

应用

  • 10.6 µm激光辐射二次谐波的产生

  • 中红外区域高达17µm的光学参量振荡器、光学参量放大器、DFG等

对于所有晶体,我们能够为特定应用提供合适的防反射/保护涂层,以及反射率曲线。


产品优势
透光率0.62 – 20µm,非线性系数, pm/V : d22 = 54 @10.6 µm,对称度:六方晶系, 6m2 point group,晶胞参数, Å a=3.74, c=15.89,离散角, ° 5.3 µm
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