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闪存智能测试高低温平台

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详细介绍

产品概述

闪存芯片智能测试系统FT-N200是一款可量身定制测试方案的综合闪存测试系统,系统可提供宽温测试环境,并行测试闪存颗粒种类最多可达25种,并行测试闪存颗粒数量最多可达200 颗。

闪存芯片智能测试系统FT-N200 支持多种测试 pattern及自定义测试参数功能,提供一键式基础测试流程、高灵活性的实验测试及高阶测试流程,可以实现闪存颗粒剩余寿命预测、实测、数据保持和读干扰等多种功能性测试,帮助用户检验闪存颗粒的可靠性状态,完成测试后可以方便快捷地一键导出测试报告,为用户提供最直观的图形化测试数据,为闪存颗粒等级分类和应用提供最精确的参考依据,并基于闪存颗粒品质检测结果实现智能分级。


设备组成

名称

规格

数量

 

 

 

 

 

主    体

测试板

PCBA_XC7Z030_NAND_TEST_V1_3_Rohs;

25

 

温箱

 FT-N200 定制温箱 L187cm*W89cm*H183cm;

可并行测试颗粒数量:1~200 颗;

温箱温度范围:-60℃~+150℃;

含维护用螺丝刀、备用螺丝、扳手;

 

1

上位机

CPU-i7,16G 内存,1T 固态硬盘+机械硬盘 3T;

21.5 寸显示器;

1

交换机

千兆交换机

2

 

 

 

 

配    件

真空吸笔

便携式防静电

1

闪存规格限位框

12mm*18mm(测试底座内置)

200

闪存规格限位框

14mm*18mm

200

安装 U 盘

32GB

1

 

 

 

软    件

NAND 闪存自动化测试分类与寿命预测仪 1.0

1

闪存筛选方法软件 V1.0.0

1

NAND 闪存高低温测试分类与筛选仪 V1.0

1


产品功能

产品功能

 

 

 

 

 

 

 

 

 

基础测试

芯片信息识别

实时功耗测试

误码率测试

平均擦除时间测试

平均编程时间测试

坏块数测试

坏块容量测试

剩余可用容量测试

闪存等级划分

剩余寿命预测

一键导出测试报告

 

 

 

 

 

 

实验测试

最大错误数测试

平均擦除时间测试

平均编程时间测试

闪存错误数变化绘图

实际可擦写次数测试

最大页面错误数变化测试

擦除时间变化测试

编程时间变化测试

 

 

 

 

 

高阶测试

测试电压拉偏

设置测试范围(块间隔)

ECC 设定

挑选测试 pattern

Read-retry

数据保持

读干扰


产品优势
该系统是一款可量身定制测试方案的综合闪存测试系统,系统可提供宽温测试环境,并行测试闪存颗粒种类最多可达25种,并行测试闪存颗粒数量最多可达200颗。同时支持多种测试 pattern 及自定义测试参数功能,提供一键式基础测试流程、高灵活性的实验测试及高阶测试流程,可以实现闪存颗粒剩余寿命预测、实测、数据保持和读干扰等多种功能性测试,帮助用户检验闪存颗粒的可靠性状态,完成测试后可以方便快捷地一键导出测试报告,为用户提供最直观的图形化测 试数据,为闪存颗粒等级分类和应用提供最精确的参考依据,并基于闪存颗粒品质检测结果实现智能分级,是国内唯一自主研发的闪存芯片智能测试系统,可以为存储产商、科研机构以及测试中心等提供全面的产品解决方案和专业的测试服务。
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