射频器件测试SMU源表

GaN  HEMT器件的评估一般包含直流特性(直流l-V测试)、频率特性(小信号S参数测试)、功率特性(Load-Pull测试)。

射频器件测试SMU源表直流特性测试

    与硅基晶体管一样,GaN  HEMT器件也需要进行直流l-V测试,以表征器件的直流输出能力以及工作条件。其测试参数包括:Vos、IDs、BVGD、BVDs、gfs等,其中输出电流lps以及跨导gm是Z为核心的两个参数。

图6:GaN  HEMTGaN HEMT器件规格参数

图7:GaN  HEMT器件输出特性曲线

频率特性测试

    射频器件的频率参数测试包含小信号S参数、互调(IMD)、噪声系数和杂散等特性的测量。其中,S参数测试描述了RF器件在不同频率下和对于信号的不同功率水平的基本特性,量化了RF能量是如何通过系统传播。

    S参数也就是散射参数。S参数是一种描述元器件在表现为射频特性的高频信号激励下的电气行为的工具,它描述的方法是以元器件对入射信号作出反应(即“散射”)后,从元器件外部“散射”出的可测量的物理量来实现的,测量到的物理量的大小反应出不同特性的元器件会对相同的输入信号“散射”的程度不一样。

    使用小信号S参数,我们可以确定基本RF特性,包括电压驻波比(VSWR)、回报损耗、插入损耗或给定频率的增益。小信号S参数通常均利用连续波(CW)激励信号并应用窄带响应检测来测量。但是,许多RF器件被设计为使用脉冲信号工作,这些信号具有宽频域响应。这使得利用标准窄带检测方法精确表征RF器件具有挑战性。因此,对于脉冲模式下的器件表征,通常使用所谓的脉冲S参数。这些散射参数是通过特殊的脉冲响应测量技术获得的。目前,已有企业采取脉冲法测试S参数,测试规格范围为:100us脉宽,10~20%占空比。

    由于GaN器件材料以及生产工艺限制,器件不可避免存在缺陷,导致出现电流崩塌、栅极延迟等现象。在射频工作状态下,器件输出电流减小、膝电压增加，Z终使得输出功率减小,性能恶化。此时,需采用脉冲测试的方式,以获取器件在脉冲工作模式下的真实运行状态。科研层面,也在验证脉宽对电流输出能力的影响,脉宽测试范围覆盖0.5us~5ms级别,10%占空比。

功率特性测试(Load-pull测试)

    GaN  HEMT器件具有适应高频率、高功率工况的优异特性,因此,小信号S参数测试已难以满足大功率器件的测试需求。负载牵引测试(Load-Pull测试)对于功率器件在非线性工作状态下的性能评估至关重要,能够为射频功率放大器的匹配设计提供帮助。在射频电路设计中,需要将射频器件的输入输出端都匹配到共轮匹配状态。当器件处于小信号工作状态下时,器件的增益是线性的,但是当增大器件的输入功率使得其工作在大信号非线性状态时,由于器件会发生功率牵引,会导致器件的Z佳阻抗点发生偏移。因此为了获得射频器件在非线性工作状态下的Z佳阻抗点以及对应的输出功率、效率等功率参数,需在对器件进行大信号负载牵引测试,使器件在固定的输入功率下改变器件输出端所匹配的负载的阻抗值,找到Z佳阻抗点。其中,功率增益(Gain)、输出功率密度(Pout)、功率附加效率(PAE)是GaN射频器件功率特性的重要考量参数。

基于普赛斯Р系列脉冲源表/CP系列恒压脉冲源的脉冲I-V特性测试系统

    整套测试系统基于普赛斯P系列脉冲源表/CP恒压脉冲源,配合探针台以及专用测试软件,可用于GaN  HEMT 、GaAs射频器件脉冲I-V参数测试,尤其是脉冲l-V输出特性曲线的绘制。

P系列射频器件测试SMU源表

CP系列脉冲恒压源

    普赛斯CP系列脉冲恒压源是武汉普赛斯仪表推出的窄脉宽、高精度宽量程插卡式脉冲恒压源。设备支持窄脉冲电压输出,并同步完成输出电压及电流测量;支持多设备触发实现器件的脉冲l-V扫描等;支持输出脉冲时序(如delay.pulse  width、period   等)调节,可输出复杂曲线。其主要特点有:脉冲电流大,Z高可至10A;脉冲宽度窄,最小可低至100ns;支持直流、脉冲两种电压输出模式;支持线性、对数以及自定义多种扫描工作方式。产品可应用于氮化家、砷化窃等材料构成的高速器件的I-V测试。

    对于射频器件的脉冲式l-V特性测试,其栅极电压—般在±10V以内,源、漏端电压在±60V以内,脉冲宽度从0.5us~500us不等，占空比为10%或20%。此外，由于器件为三端口类型,因此,至少需2台Р源表,或者2通道CP子卡。

脉冲输出特性曲线测试

     由于GaN器件材料以及生产工艺限制,存在电流崩塌效应。因此,器件在脉冲条件下工作时会存在功率下降,无法达到理想的大功率工作状态。脉冲输出特性测试方法为，在器件的栅极和漏极同步施加周期性脉冲电压信号,栅极和漏极的电压会同步在静态工作点和有效工作点之间进行交替变化。在Vcs和Vos为有效电压时,对器件电流进行监测.研究证明,不同的静态工作电压以及脉宽长度对电流崩塌有不同影响。

      武汉普赛斯一直专注于功率器件、射频器件以及第三代半导体领域电性能测试仪表与系统开发,基于核心算法和系统集成等技术平台优势,率先自主研发了高精度数字源表、脉冲式源表、脉冲大电流源、高速数据采集卡、脉冲恒压源等仪表产品以及整套测试系统。产品广泛应用在功率半导体材料与器件、射频器件、宽禁带半导体的分析测试领域。可根据用户的需求,提供高性能、高效率、高性价比的电性能测试综合解决方案。