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金属晶体生长炉

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详细介绍

SKJ-M50-16金属晶体生长炉是用坩埚下降法生长金属晶体的设备,可在真空、大气、惰性气体或其他保护气氛下、在可控的局部压力状态下运行。根据金属的属性,本机可采用中频感应加热电源,以及石墨电阻加热两种加热方式;采用欧陆微处理器与热电偶闭环控制炉温,使结晶体按照一定的直径进行控制。属于小型晶体生长炉,适合于大专院校、研究所使用。

产品型号

SKJ-M50-16金属晶体生长炉

安装条件

本设备要求在海拔1000m以下,温度25℃±15℃,湿度55%Rh±10%Rh下使用。

1、水:设备配有自循环冷却水机(加注纯净水或者去离子水)

2、电:AC380V 50Hz(63A空气开关),必须有良好接地

3、气:设备腔室内需充注氩气(纯度99.99%以上),需自备氩气气瓶(自带Ø6mm双卡套接头)

4、工作台:尺寸1500mm×600mm×700mm,承重200kg以上

5、通风装置:需要

主要特点

属于小型晶体生长炉,适合于大专院校、研究所使用。

技术参数

1、电源:208V-240V AC三相 50Hz/60Hz 15KW

2、炉体容积:约100L

3、炉管:石英管或刚玉管

4、坩埚:高纯石墨坩埚

5、加热元件:1800级硅钼棒

6、温控系统:50段控温程序

7、控温精度:±1℃

8、工作温度:连续工作1600℃,短时间工作1700℃

9、控温方式:自动程序控温

10、生长方法:区熔法(样品固定不动,炉体向上移动)

11、移动速度:1mm/h-10mm/h可调

12、快速移动:手动

13、结晶转速:1rpm-50rpm

14、真空系统:机械泵和扩散泵

15、极限真空度:10-5torr

标准配件

1、电源控制系统一套

2、机械控制系统一套

可选配件

Kathnal Super-1800级硅钼棒


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