PHI 4700 AES俄歇分析仪

在开发新材料及薄膜制程上，为了有助于了解材料组成间的相互作用及解决工艺流程的问题，材料组成或薄膜迭层的深度分析是非常重要的。

PHI 4700使用了AES分析技术为基础，搭配灵敏度半球型能量分析器、10 kV LaB6扫瞄式电子枪、5 kV浮动柱状式Ar离子枪及高精密度自动样品座。针对例行性的俄歇纵深分析、微区域的故障分析，提供了全自动与及高经济效益的解决方法。

PHI 4700是建基于Ulvac-Phi公司的高性能PHI 700Xi俄歇扫描纳米探针。它提供了高度自动化，低成本、GX益的方案进行例行俄歇深度分析和微米范围的故障分析。 PHI 4700可以轻易的配备上互联网的设备，以供远程操作或监控之用。

优点：

l 量化薄膜的成分

l 层的厚度测量

l 检测相互扩散层

l 微米范围多点分析

基本规格：

l 全自动多样品纵深分析：PHI 4700薄膜分析仪在微小区域之纵深分析拥有绝 佳的经济效益，可在SEM上特定微米等级之微小区域快速进行深度分析。图2显示长年使用的移动电话镀金电极正常与变色两个样品之纵深分析结果，两者材质皆为镀金之锡磷合金。从电极二（变色电极）可看到金属锡扩散到镀金膜上，因为界面的腐蚀而产生氧及锡导致电极变色。

l 灵敏度半球型能量分析器：PHI 4700半球形能量分析器和高传输输入透镜可提供最高的灵敏度和大幅缩短样品分析时间。除此之外，具有全自动的量测功能，此装置可在短时间内测量多个样品。 点选屏幕上软件所显示的样品座，可以记录欲量测的位置，对产品与工艺流程管理上之数据搜集可进行个别分析。

l 10 kV LaB6扫瞄式电子枪：PHI的06-220电子枪是基于一个以LaB6为电子源灯丝以提供稳定且长寿命电子枪的工具，主要在氩气溅射薄膜时进行深度分析。06-220电子枪还可以：产生二次电子成像，俄歇测绘和多点分析。在加速电压调节从0.2至10千伏。电子束的最小尺寸可保证小于80纳米。

l 浮动柱状式Ar离子枪：PHI的FIG- 5B浮动柱状式Ar离子枪:提供离子由5伏到5千伏。大电流高能量离子束被用于厚膜，低能量离子束（250-500 V）用于超薄膜。浮动柱状式，确保高蚀刻率与低加速电压。物理弯曲柱会阻止高能量的中性原子，从而改善了溅射坑形状和减少对邻近地区的溅射。

l 五轴电动样品台和Zalar方位旋转：PHI 15-680精密样品台提供5轴样品传送：X，Y，Z，旋转和倾斜。所有轴都设有马达及软件控制，以方便就多个样品进行的自动纵深分析。样品台提供Zalar（方位角）旋转的纵深剖析，利用旋转来降低样品在一个固定位置上的择优溅射，以优化纵深分析。

l PHI SmartSoft用户界面：PHI SmartSoft是一个被认同为方便用者使用的操作仪器软件。软件透过任务导向和卷标横跨顶部的显示指导用户从输入样品，定义分析点，并设定分析。多个分析点的定义和最理想样品的定位是由一个强大的“自动Z轴定位”功能所提供。预存多样的操作设定，可让新手能够快速，方便使用。

可选用配备：

l 热/冷样品座

l 样品真空传送管（Sample Transfer vessel）

应用领域：

l 半导体薄膜产业

l 微电子封装产业

l 无机光电产业