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C11665-01 微米膜厚测量仪

联系方式:滨松客服400-074-6866

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详细介绍

C11665-01 微米膜厚测量仪


C11665-01型光学微米测厚仪是一款非接触薄膜测厚仪器,它将光源、探测器和数据分析模块集成到一个箱体里,实现了紧凑型设计。在半导体行业,TSV技术的广泛应用使得基底测厚成为至关重要的方面,与此同时半导体薄膜工业正将连接层制作的越来越薄。这些领域的进步需要1 μm到300 μm范围内高准确度的膜厚测量。C11665-01可对多种类型的材料(硅基底,薄膜等等)进行测厚,测量范围为0.5 μm 到 700 μm,这也是半导体和薄膜制造领域经常使用应用的厚度。欢迎您登陆滨松ZG全新中文网站http://www.hamamatsu.com.cn/查看该产品更多详细信息!


特性

  • 无参照物工作

  • 尺寸紧凑,节省空间

  • 高速、高准确度

  • 不整平薄膜精确测量

  • 分析光学常数(n,k)

  • 可外部控制

参数

型号C11665-01
可测膜厚范围(玻璃)0.5 μm to 700 μm*1
可测膜厚范围(硅)0.5 μm to 300 μm*2
测量可重复性(硅)0.1 nm*3 *4
测量准确度(硅)±1 %*4 *5
光源LED
测量波长940 nm to 1000 nm
光斑尺寸Approx. φ1 mm*4
工作距离5 mm*4
可测层数最大10层
分析FFT 分析,拟合分析,光学常数分析
测量时间19 ms/点*6
光纤接口形状FC
外部控制功能RS-232C / Ethernet
电源AC100 V to 240 V, 50 Hz/60 Hz
功耗85W

*1:SiO2薄膜测量特性

*2:Si薄膜测量特性

*3:测量6 μm厚硅薄膜时的标准偏差

*4:取决于所使用的光学系统或物镜的放大率

*5:在标准量具的测量保证范围内

*6:连续数据采集时间不包括分析时间



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