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C11665-01 微米膜厚测量仪
- 品牌:日本滨松
- 型号: C11665-01
- 产地:日本
- 供应商报价: 面议
- 滨松光子学商贸(中国)有限公司 更新时间:2024-02-04 13:42:48
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企业性质生产商
入驻年限第9年
营业执照已审核
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- 详细介绍
C11665-01 微米膜厚测量仪
C11665-01型光学微米测厚仪是一款非接触薄膜测厚仪器,它将光源、探测器和数据分析模块集成到一个箱体里,实现了紧凑型设计。在半导体行业,TSV技术的广泛应用使得基底测厚成为至关重要的方面,与此同时半导体薄膜工业正将连接层制作的越来越薄。这些领域的进步需要1 μm到300 μm范围内高准确度的膜厚测量。C11665-01可对多种类型的材料(硅基底,薄膜等等)进行测厚,测量范围为0.5 μm 到 700 μm,这也是半导体和薄膜制造领域经常使用应用的厚度。欢迎您登陆滨松ZG全新中文网站http://www.hamamatsu.com.cn/查看该产品更多详细信息!
特性
无参照物工作
尺寸紧凑,节省空间
高速、高准确度
不整平薄膜精确测量
分析光学常数(n,k)
可外部控制
参数
型号 C11665-01 可测膜厚范围(玻璃) 0.5 μm to 700 μm*1 可测膜厚范围(硅) 0.5 μm to 300 μm*2 测量可重复性(硅) 0.1 nm*3 *4 测量准确度(硅) ±1 %*4 *5 光源 LED 测量波长 940 nm to 1000 nm 光斑尺寸 Approx. φ1 mm*4 工作距离 5 mm*4 可测层数 最大10层 分析 FFT 分析,拟合分析,光学常数分析 测量时间 19 ms/点*6 光纤接口形状 FC 外部控制功能 RS-232C / Ethernet 电源 AC100 V to 240 V, 50 Hz/60 Hz 功耗 85W *1:SiO2薄膜测量特性
*2:Si薄膜测量特性
*3:测量6 μm厚硅薄膜时的标准偏差
*4:取决于所使用的光学系统或物镜的放大率
*5:在标准量具的测量保证范围内
*6:连续数据采集时间不包括分析时间