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热点检测微光显微镜THEMOS系列
- 品牌：日本滨松
- 型号： THEMOS-1000
- 产地：日本
- 供应商报价： 面议
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滨松光子学商贸（中国）有限公司
更新时间：2024-02-04 13:42:48 -
企业性质生产商
入驻年限第9年
营业执照已审核
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- 详细介绍
热点检测微光显微镜THEMOS系列
THEMOS-1000发热分析工具是一套用于通过半导体器件探测、热信号定位来进行半导体失效分析的系统。通过将高精度热探测器探测到的发热图与从红外共焦激光显微镜获取的高分辨率模板图像叠加，可快速、高精度地识别失效位置。
特性
高灵敏度是通过以下方式获得的：
InSb相机在3 μm到5 μm波段内具有高灵敏度
专为3 μm 到 5 μm波段优化的镜头设计
使用lock-in功能（选配）实现低噪声
使用斯特林循环冷却器实现高制冷性能
噪声等效温差(NETD)只有20mK
高分辨率是通过以下方式获得的：
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InSb相机为640 × 512像素（像素尺寸：15μm）
叠加的激光模板图像来自红外共焦激光显微镜
可选择热纳米镜头(选配)
使用窗口功能，可获得高速探测能力
视频功能
连接测试机，可获得动态分析功能
系统结构灵活，可进行微观到宏观的观测
与PHEMOS、μAMOS系列一样具有用户友好型操作
全系列的选配选项
应用
金属布线短路
接触孔异常
氧化物层微等离子体泄露
氧化物层击穿
TFT-LCD泄露/有机EL泄露定位
器件开发过程中温度异常监测
器件和PC板的温度映射
在器件设计早期，通过获取器件工作时的温度信息，反馈回设计流程，可以缩短器件验证时间，也可增强产品可靠性。在观测基于工作环境的温度行为改变上，该功能也很有用。通过增加U11389温度测量功能，便可以方便地获得该测量功能。
IR-OBIRCH分析功能
极受欢迎的IR-OBIRCH（Infrared Optical Beam Induced Resistance CHange，红外光致阻值变化）分析功能可以作为选配增加到设备中，来探测漏电流或静态电流缺陷（leakage or IDDQ defects）等的线缺陷。可以以4象限电压/电流的形式测量。
使用激光激励组件进行动态分析（DALS）
使用激光激励组件进行动态分析（DALS）是一种利用激光照射来分析器件工作状况的新方式。在使用LSI测试机的测试模板操作器件过程中，使用1.3 μm激光激励器件，器件的工作状态（通过/失败）因激光产生的热量而改变。通过/失败信号的改变以图像形式呈现，表明了引起时序延迟的点，边际缺陷等等。
热纳米镜头系统（Thermal NanoLens System）
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热纳米镜头系统因为高数值孔径，大大提高了光校正效率和分辨率。通过在样品（即便样品表面平整度很差）和透镜之间施加显微镜浸润油来获取高数值孔径。使用操纵器来简化纳米透镜系统的设计，可使工作设备的更新更简单。
LSI测试机对接
半导体器件变得越来越复杂，因此必须通过与LSI测试机对接来初始化采样测量、设置特殊条件。安装专用探针卡适配器后，可以用线缆与LSI测试机对接，执行分析。
激光标记
在定位后的失效点附近进行标记，或者在失效点周围的四个点进行标记，可以轻松地将失效点的位置信息传输到其他的分析设备上。
EO探针单元
EO探针单元是一款工具，通过使用非连续光源，透过硅基底来观察晶体管状态。它由EOP（Electro Optical Probing）来快速测量晶体管工作电压，由EOFM（Electro Optical Frequency Mapping）以特定频率对活跃晶体管成像。
测量示例
案例研究：封装器件观测
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案例研究：对器件一侧开口进行失效层观测
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案例研究：CMOS观测
发现凸球下的缺陷
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案例研究：PCB和封装器件之间的布线失效
在打开封装之前观测热源；打开封装以后获取相位图像以缩小热源范围。
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参数
尺寸/重量 主单元：1360 mm(W)×1410 mm(D)×2120 mm(H), Approx. 900 kg
控制台：880 mm (W)×700 mm (D)×1542 mm (H), Approx. 255 kg
PC桌：1000 mm (W)×800 mm (D)×700 mm (H), Approx. 45 kg线电压 AC220 V (50 Hz/60 Hz) 功耗 约 3000W 真空度 约80 kPa或更大 压缩空气 0.5 MPa to 0.7 MPa 系统配置
C9985-04 InSb相机 标配 红外共焦显微镜 标配 自动平台控制 XYZ 标准透镜 0.8×、4×、15× 样品平台 PM8、PM8DSP 探测目镜 标配 探测镜头 NIR 5× 抗震桌 标配 黑盒 标配 THEMOS分析软件 标配 FOV（mm） 12×9.6 to 0.64×0.51 目标 晶片(可达12英寸), Si 片, 封装 功能
热lock-in测量 选配 3D-IC测量 选配 热测量功能 选配 热纳米镜头 选配 视频功能 标配 外部触发 标配 窗口功能 标配 IR-OBIRCH分析功能 选配 DALS 选配 光发射分析 选配 EO探测单元 选配 光发射观测的相机选择
型号 制冷类型 有效像素数 光谱灵敏度 InGaAs 相机 C8250-21 液氮制冷 640(H)×512(V) 900 nm to 1550 nm InGaAs 相机 C8250-27 半导体制冷 640(H)×512(V) 900 nm to 1550 nm InGaAs 相机 C8250-31 液氮制冷 1000(H)×1000(V) 900 nm to 1550 nm 制冷型CCD 相机 C4880-59 水冷 1024(H)×1024(V) 300 nm to 1100 nm Si-CCD 相机 C11231-01 半导体制冷 1024(H)×1024(V) 400 nm to 1100 nm 红外共焦激光显微镜
1.3 μm激光二极管 输出: 100 mW 1.3 μm高功率激光器（选配） 输出: 超过400 mW 1.1 μm脉冲激光器（选配） 输出: 200 mW (CW), 800 mW (pulse) 光学系统
物镜/微距镜头 N.A. WD（mm） FOV（mm） 配置 MWIR 0.8× 0.13 22 12.0×9.6 标配 MWIR 4× 0.52 25 2.4×1.9 标配 MWIR 8× 0.75 15 1.2×0.96 选配 MWIR 15× 0.71 15 0.64×0.51 标配 MWIR 30× 0.71 13 0.32×0.26 选配 M Plan NIR 5× 0.14 37.5 2.6×2.6 标配 M Plan NIR 20× 0.4 20 0.65×0.65 标配 M Plan NIR 100× 0.5 12 0.13×0.13 标配
