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硅(Si)晶体基片

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详细介绍

产品名称:

硅(Si)晶体基片

产品简介:

化学符号为Si,主要用途有:制作半导体器件、红外光学器件及太阳能电池衬底等材料。

技术参数:

掺杂物质:掺B掺P类型:PN电阻率Ω.cm:10-3~4010-3~40EPD(cm-2):≤100≤100氧含量(/cm3):≤1.8x1018≤1.8x1018碳含量(/cm3):≤5x1016≤5x1016

常规规格:

晶体方向:<111>、<100>、<110>±0.5°或特殊的方向;

常规尺寸:dia1"x0.30mm;dia2"x0.5mm;dia3"x0.5mm;dia4"x0.6mm;

表面粗糙度:Ra<10A

可提供热氧化SiO2层的Si片;Si+SiO2+Ti+Pt的基片!欢迎您的咨询!

标准包装:

1000级超净室100级超净袋单片盒或25片插盒封装

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