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锑化镓(GaSb)晶体基片

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详细介绍
产品名称:锑化镓(GaSb)晶体基片
产品简介:
技术参数:单晶GaSb掺杂none;None, high R;Zn;Te;Te, high R导电类型PP-P+N载流子浓度cm-31-2x1017 1-5x1016 1-5x10182-6x10171-5x1016位错密度cm-2<103生长方法及最大尺寸LEC? 3"
产品规格:标准尺寸:<100>, dia2"x0.5mm, 单抛, ?3"x 0.5mm.表面粗糙度Ra:<15A可按客户需求定制相应的方向和尺寸。
标准包装:1000级超净室,100级超净袋或单片盒封装

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